SEMIによると、300mmウエハー対応の半導体製造装置投資額の中で、メモリ製造装置への投資が2026年に520億米ドルとなり、初めて500億米ドルを超える。2027年には570億米ドルに達する見通しである。
SEMIは2026年6月29日(米国時間)、300mmウエハー対応の半導体製造装置投資額の中で、メモリ製造装置への投資が2026年に520億米ドルとなり、初めて500億米ドルを超えるとの予測を発表した。2027年には570億米ドルに達する見通しである。
今回の発表は最新の「300mmFab Outlook」レポートに基づくものである。AIインフラやデータセンター、次世代コンピューティングシステムの需要増に支えられ、先進メモリ需要も高水準で推移する。
300mmFab Outlookレポートの2026年第2四半期版では、メモリ関連の300mmファブ装置投資見通しを上方修正した。DRAM向け装置の投資額は、2026年に29%増の370億米ドルに達すると予測した。GPUなどAIアクセラレータに向けた広帯域メモリ(HBM)および、DDR5の需要拡大によるものである。3D NAND向け装置投資額も2026年は28%増の140億米ドルが見込まれている。
なお、2024年から2029年にかけて、300mmファブ装置投資におけるメモリセグメント投資額は、CAGR(年平均成長率)19%で拡大すると予測した。300mmメモリの生産能力もウエハーベースで2026年には月産410万枚、2027年には同420万枚へと増える見通し。
SEMIのプレジデント兼CEOであるAjit Manocha氏は「HBMをはじめとする先進メモリ技術への旺盛な需要が、半導体サプライチェーン全体における投資の優先順位を変えつつある。AIインフラが拡大する中で、データ集約型アプリケーションの次の成長の波を支えるために、メモリメーカー各社は生産能力と技術移行への投資を同時に加速させている」とコメントした。
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