メディア

三菱電機、第5世代SiC MOSFETの核　オン抵抗25％減の独自構造：PCIM Expo & Conference 2026（2/2 ページ）

» 2026年07月29日 11時00分公開

[永山準，EE Times Japan]

「現在の構造では、ここまでがほぼ限界」

　なお、三菱電機の示す図からは、既にセルピッチには余裕がないように見える。多留谷氏はこの点について「現在の構造では、ここまでがほぼ限界だ。さらにオン抵抗を下げるには、新しいデバイス構造が必要になる」と言及していた。次世代ではスーパージャンクションのような新しい構造技術を採用する可能性があるということだ。

第5世代SiC MOSFETの構造について［クリックで拡大］

　その他、プレーナー型のSiC MOSFETについても「用途に応じて使い分けていく考え」とし、次世代品開発も進めていく方針だ。例えば、高耐圧品について現在の3.3kV品だけでなく、4.5kVや6.5kVクラスについても開発を進めているとしている。

三菱電機のSiC MOSFET開発ロードマップ［クリックで拡大］

第5世代品では8インチウエハーに移行

　デバイス構造と並んで、第5世代を支えるもう1つの柱が量産技術だ。第5世代では、デバイス構造の改良に加え、6インチから8インチウエハーへ移行し、ダイコスト低減を図る。また、表面メタライズでは、顧客の多様な実装要求に対応するとした。

6インチから8インチへ移行することでコストの低減を図る。また、表面メタライズでは、顧客の多様な実装要求に対応する［クリックで拡大］

　三菱電機は熊本県菊池市に8インチ SiCウエハー工場を建設し、現在試作を進めている。既存の熊本工場では8インチのシリコンデバイスと6インチのSiCデバイスを量産してきたが、この新工場では8インチ SiCウエハー専用ラインを構築し、検査工程まで一貫した自動化された生産ラインを実現。設備の稼働状況や製造データはMESで一元管理し、生産効率を約30％向上させるとともに、約40％の省人化を実現するとしている。

8インチSiCウエハー［クリックで拡大］

三菱電機、OBC用SiCモジュール初公開　ディスクリート4個を置き換え
三菱電機は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、開発中の車載オンボードチャージャー（OBC）向け炭化ケイ素（SiC）MOSFETモジュールを初公開した。絶縁型2-in-1 SiC MOSFETモジュールで、従来4個のディスクリートデバイスで構成していた回路を1パッケージで置き換えられ、設計の簡素化や実装面積の削減が実現する。
三菱電機とソニー、AIビジョンセンサーで新会社設立へ
三菱電機とソニーセミコンダクタソリューションズは、製造業向けAIビジョンセンサーソリューションを開発する新会社を合弁で設立する。新会社の社名は「Advanced Vision Solutions」で、2026年10月より事業を始める予定。
パワー半導体企業ランキング、日本勢は三菱電機ら5社がトップ20入り
フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサスエレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。
三菱電機、SiC MOSFETのAC特性変動「世界最小」級と実証
SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。
電力損失19％削減した産業用IGBTモジュール10種　三菱電機
三菱電機は、最新のIGBTを搭載することで電力損失を最大約19％削減したパワー半導体モジュール「産業用NXタイプ1.2kV IGBTモジュール」10機種を開発、サンプル出荷を始めた。産業用機器向けインバーターなどの電力消費を低減できる。
パワー停滞も光デバイス堅調、三菱電機の半導体部門
三菱電機は2025年度通期（2025年4月～2026年3月）業績を発表した。半導体部門（セミコンダクター・デバイスセグメント）の売上高は前年度比7億円増の2871億円、営業利益は同69億円増の475億円だった。パワー半導体の需要停滞は継続したが、通信用光デバイスが堅調に推移した。