SiCの開発と実装が進む 300mm化から次世代EV採用まで：5分で分かる！ 今週のエレクトロニクス業界（1/2 ページ）

[EE Times Japan]

　2026年9月14〜18日のエレクトロニクス業界の主な動きを、EE Times Japanの記事とともに振り返ります。

　今週のエレクトロニクス業界では、パワー半導体からメモリ、AIインフラまで幅広い動きがありました。

　パワー半導体分野では、レゾナックが直径300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表しました。SiC基板では150mmから200mmへの移行が本格化していて、中国や米国のメーカーは既にその先となる300mm品で開発成果を示してきました。今回、日本メーカーからも300mm品の開発成果が示された形です。

　ロームは、BMWの次世代電気自動車（EV）「Neue Klasse」の電動パワートレインにロームのSiCパワー半導体が採用されたと発表しました。SiCを巡っては、材料開発とアプリケーションの双方で動きがあったといえます。

　メモリ分野では、Infineon TechnologiesがNOR型フラッシュメモリ／FRAM（強誘電体メモリ）事業を台湾のメモリメーカーWinbond Electronicsに売却すると発表しました。取引額は11億2000万米ドルです。買収後は同事業を独立した事業体として運営し、社名にはかつてNORフラッシュ大手として知られた「Spansion」を用いる予定です。

　SK hynixとIntelが米国内でのメモリ生産について協議しているとの報道もありました。Reutersが9月16日に報じています。SK hynixがIntelの米オハイオ州の工場の一部を借りる案や、両社と大手クラウド企業が合弁会社を設立する案などが検討されているといいます。SK hynixは、Intelとの協力や米国内でのメモリ生産について具体的に決まったことはないと説明しています。

　AIインフラ関連では、シャープがNVIDIAのテクノロジーを搭載したAIサーバで国内市場に参入すると発表しました。NTTは、AIデータセンターなどへの応用を見据え、サブテラヘルツ帯を用いて100mの距離で2Tビット/秒の無線伝送を実証しました。AI需要の拡大に伴い、計算基盤だけでなく通信技術でも大容量化に向けた開発が進んでいます。

レゾナックが300mm SiC単結晶基板を開発

　レゾナックは9月15日、直径300mmのSiC単結晶の成長と基板加工に成功したと発表しました。SiC基板では6インチから8インチへの移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示してきました。レゾナックは今回の成果について「SiC基板およびSiCエピウエハーの大口径化と高品質化に向けた重要な技術的マイルストーンとなる」としています。

ロームのSiCパワー半導体、BMWのEVに採用

　ロームは9月17日、BMWの次世代EVコンセプト「Neue Klasse」の電動パワートレインにおいて、ロームのSiCパワー半導体が採用されたと発表しました。ロームは、車載インバーター向けを中心に、SiCパワー半導体の展開を強化していて、2025年6月にはトヨタ自動車が中国市場向けに投入した新型バッテリー電気自動車（BEV）「bZ5」への採用を発表していました。