SAIMEMORYと新光電気が協業 ZAM商用化見据え：実装／製造技術の確立へ

SAIMEMORYは同社が手掛ける次世代メモリ技術「ZAM（Z-Angle Memory：ザム）」の研究開発および商用化において、新光電気工業と協業することを発表した。NEDOプロジェクトでのZAM研究開発の先を見据えての協業だという。

[杉山康介，EE Times Japan]

ZAM開発の先の実用化を見据え協業

ZAMのモック写真。大きさ比較のためレゴを並べている［クリックで拡大］出所：SAIMEMORY

　SAIMEMORYは2026年9月28日、同社が手掛ける次世代メモリ技術「ZAM（Z-Angle Memory：ザム）」の研究開発および商用化において、半導体パッケージ製品などを手掛ける新光電気工業と協業することを発表した。

　SAIMEMORYが開発を進めるZAMは、米Intelが開発したメモリ技術を基盤とする次世代メモリだ。最大の特徴がDRAMを垂直に立てて横方向に並べる「垂直ビルド」構造で、従来の広帯域メモリ（HBM）で用いられるDRAMを平行に積層する方式は、配線層で放熱が妨げられるため20層程度が積層の限界とされるが、ZAMは垂直ビルドによって放熱の問題を解消し、理論上、積層枚数の限界を無くした。他にも磁界結合無線通信I/Oなどの技術も用い、高密度／広帯域／低電力を実現するという。

　今回、ZAMの研究開発および商用化に向けた実装技術、製造技術の確立に向けて、新光電気工業とパートナーシップの構築に向け基本合意書を締結した。SAIMEMORY広報に確認したところ、「新光電気工業は半導体パッケージの製造や高密度実装技術の知見を持つことから、パートナーシップ締結に至った。新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のプロジェクトとしてZAMの開発を進めているが、その先の実用化、商用化を見据えての協業だ」としていた。

　本協業について、SAIMEMORY代表取締役社長兼CEOの山口秀哉氏は「両社の技術と知見を融合して、ZAMの実用化を加速するとともに、国内外の市場で競争力があるメモリ技術の確立を目指す」と述べる。

　また新光電気工業の代表取締役社長CEOの倉嶋進氏は「SAIMEMORYと力を合わせ、日本が培ってきた技術と知見を結集して、次世代メモリの社会実装を推進し、AIをはじめとする先端デジタル社会の発展に貢献する」としている。