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「22nmプロセス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「22nmプロセス」に関する情報が集まったページです。

LCDドライバパッケージング専門:
UMC、台湾Chipbondの株式を9%取得
台湾のUnited Microelectronics Corporation(以下、UMC)は、LCDドライバのパッケージングを専門に手掛けるChipbond Technology(以下、Chipbond)と株式の交換(スワップ)を行った。それにより、UMCはChipbondの株式の9%を保有することになった。(2021/9/16)

湯之上隆のナノフォーカス(41):
「ムーアの法則」は終わらない 〜そこに“人間の欲望”がある限り
「半導体の微細化はもう限界ではないか?」と言われ始めて久しい。だが、相変わらず微細化は続いており、専門家たちの予測を超えて、加速している気配すらある。筆者は「ムーアの法則」も微細化も終わらないと考えている。なぜか――。それは、“人間の欲望”が、ムーアの法則を推し進める原動力となっているからだ。(2021/8/27)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
IntelがIDM 2.0を掲げざるを得なかった理由
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、Intelが7月のオンラインイベントで掲げた「IDM 2.0」の背景についてお届けする。(2021/8/16)

パッケージング技術の最新情報も:
Intelがプロセスの名称を変更、「nm」から脱却へ
Intelは2021年7月26日(米国時間)、半導体プロセスとパッケージング技術の最新情報を説明するウェブキャスト「Intel Accelerated」を開催した。これを受けて、同社の日本法人インテルは7月28日に、Intel Acceleratedの内容を日本のメディア向けに説明するオンライン説明会を実施。インテル 執行役員常務 技術本部本部長である土岐 英秋氏が説明した。(2021/8/3)

モノづくり最前線レポート:
インテルが半導体プロセスノードを再定義、2024年にはオングストローム世代へ
インテル日本法人が、米国本社が2021年7月26日(現地時間)にオンライン配信したWebキャスト「Intel Accelerated」で発表した先端半導体製造プロセスやパッケージング技術について説明した。(2021/7/30)

車載では当面不足が続くが:
半導体市場、2024年には過剰供給に陥るリスクも
TSMCのチェアマンであるMark Liu氏は、米放送局CBSのジャーナリストであるLeslie Stahl氏の取材に対し、「世界的な半導体不足は、2022年も続くだろう」と述べた。Liu氏のこのコメントから、「需要に対応すべく新たな生産能力を急速に拡大させているという現在の状況は、半導体価格の上昇や、最終的に過剰供給などを発生させる可能性がある」という問題が提起されている。(2021/7/20)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
日本の半導体戦略は“絵に描いた餅”
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、急に盛り上がってきた「日本の半導体戦略」についてお届けする。(2021/6/16)

VLSIシンポジウム2021:
「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文
今回は、VLSIシンポジウムを構成する「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文を紹介する。なお、これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介されたものだ。(2021/6/7)

福田昭のデバイス通信(299) imecが語る3nm以降のCMOS技術(2):
CMOSロジックの高密度化を後押しする次世代の電源配線技術
今回は、CMOSロジックの高密度化手法を簡単に解説する。(2021/6/4)

福田昭のデバイス通信(298) imecが語る3nm以降のCMOS技術(1):
微細化の極限を目指すCMOSロジックの製造技術
「IEDM2020」から、imecでTechnology Solutions and Enablement担当バイスプレジデントをつとめるMyung‐Hee Na氏の講演内容を紹介する。CMOSを3nm以下に微細化するための要素技術を解説する講演だ。(2021/5/28)

福田昭のストレージ通信(200) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(25):
埋め込みDRAMが大容量キャッシュの製造コスト低減に貢献
今回はDRAMをロジックLSIに埋め込む技術「eDRAM」の製品化事例を解説する。(2021/5/21)

GAAアーキテクチャを採用:
IBMが「2nm」プロセスのナノシートトランジスタを公開
IBMは、米国ニューヨーク州アルバニーにある研究開発施設で製造した「世界初」(同社)となる2nmプロセスを適用したチップを発表した。同チップは、IBMのナノシート技術で構築したGAA(Gate-All-Around)トランジスタを搭載している。(2021/5/10)

福田昭のストレージ通信(195) アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向(22):
Everspinが3世代にわたって開発してきたMRAM技術の変遷
今回は、最も多くの出荷実績を有するMRAMベンチャーであるEverspin Technologiesについて解説する。(2021/4/27)

2021年2月にオンラインで開催:
「ISSCC 2021」の注目論文、Samsungの3nm GAA SRAMなど
2021年2月13〜22日にオンラインで開催される、半導体業界最大級の国際学会「ISSCC 2021」。新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の影響で今回は全てのセッションをオンラインで行う。会期以降も同年3月31日までオンデマンドで聴講が可能だ。今回は、注目論文を紹介する。(2021/1/18)

200℃以下でSi層とGe層を積層:
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。(2020/12/10)

福田昭のデバイス通信(286) Intelが語るオンチップの多層配線技術(7):
銅配線の微細化限界を拡張するサブトラクティブ技術
前回に続き、配線プロセスの代表であるダマシン技術とサブトラクティブ技術を解説する。(2020/11/30)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
Arm再売却の予想と、Intel TMGの行方
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、2020年7月の業界動向の振り返りとして、SoftBankがArmの売却に動いている件についての見解と、Intelの半導体製造を担うTMG(Technology and Manufacturing Group)についてお届けする。(2020/8/5)

苦戦を強いられた半導体の巨人:
Intel「10nmノード」の過去、現在、未来
Intelは現在、10nmプロセスの進化に向けて開発を進めているが、このプロセスノードは長年Intelを苦しめてきた。10nmにおけるIntelの闘いを振り返る。(2020/7/31)

頭脳放談:
第241回 CoreとAtomを重ねて実装、新プロセッサ「Lakefield」の技術的挑戦
Intelから新しい第10世代のCoreプロセッサが発売された。開発コード名「Lakefield」と呼ばれるモバイル向けのプロセッサだ。Microsoftからは、デュアルスクリーンデバイスの「Surface Neo」に採用することが発表されている。このLakefieldとはどのようなプロセッサなのかを明らかにする。(2020/6/19)

スタンバイ消費電力は91%減に:
Intel、3D積層技術Foveros採用の「Lakefield」を発表
Intelは2020年6月10日(米国時間)、10nmプロセスを採用した同社のノートPC向けSoC(System on Chip)「Lakefield(開発コード名)」として「Intel Core processors with Intel Hybrid Technology」を発表した。(2020/6/11)

開発コードは「Horse Ridge」:
Intel、極低温で動作する量子制御チップを発表
Intelは2019年12月、量子制御チップ「Horse Ridge(開発コード名)」を発表した。Horse Ridgeは、フルスタックの量子コンピューティングシステムの開発を加速させるために設計された、極低温域で動作するプロセッサである。(2020/1/9)

頭脳放談:
第235回 Intelの量子ビット制御チップが量子コンピュータ格差を生む?
Intelからまた量子コンピュータに関する発表があった。ただ、今回の製品は、量子デバイスではなく、特殊な半導体だ。この製品の意味するところは何なのか、考えてみる。(2019/12/23)

頭脳放談:
第232回 Intelの10nmプロセスの不思議、「10nm」はどこにある?
Intelが10nmプロセスによる量産製造を開始した。一方、AMDはすでにTSMCによる7nmプロセスで製造を行っている。「Intelは遅れているのではないか?」とも言われているが、実際のところはどうなのだろうか? プロセスの数字の秘密を解説する。(2019/9/20)

組み込み開発ニュース:
TSMCは2020年に5nmプロセスを量産、自動車向けロードマップも示す
TSMCは2019年6月28日、横浜市内で記者会見を開催し、同社半導体ファウンドリビジネスの概況やプロセス技術開発への取り組みなどを説明した。世界最大の専業ファウンドリである同社の収益は既に7nmプロセス(N7)がけん引役となっており、2020年から5nmプロセス(N5)を採用したチップの量産開始を予定する。(2019/7/2)

福田昭のストレージ通信(150) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(11):
磁気抵抗メモリ(MRAM)の技術動向と製品動向
今回は、MRAMの技術開発状況と製品化動向を取り上げる。特に、最近のMRAM開発で注目されている埋め込みメモリについて解説する。(2019/6/14)

5nm、3nmへと突き進む:
「当面は微細化を進められる」 TSMCが強調
TSMCは、米国カリフォルニア州サンタクララで2019年4月23日(現地時間)に開催した年次イベント「TSMC 2019 Technology Symposium」において、半導体のさらなる技術進展を実現すべく、同社のロードマップに「N5P」プロセスを追加したことを発表した。(2019/5/8)

京都で2019年6月9〜14日開催:
VLSIシンポジウム 2019 開催概要を発表
2019年6月9〜14日に京都市で開催される半導体デバイス/回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム」の開催概要に関する記者説明会が2019年4月17日、東京都内で開催された。(2019/4/19)

福田昭のストレージ通信(140) 半導体メモリの技術動向を総ざらい(3):
DRAMのスケーリング論
今回はDRAMのスケーリングと、次世代メモリへのニーズが高まっている背景を取り上げる。(2019/4/2)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
車載向けで進む28nmプロセス採用――ルネサス、STマイクロを追従するカギはNVM
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。(2019/3/14)

ロジックへの統合が容易:
Samsung、28nm FD-SOIプロセス適用のeMRAMを出荷へ
Samsung Electronics(以下、Samsung)は、28nm FD-SOI(完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター、以下FDS)プロセスをベースにした最初のeMRAM(組み込み型磁気抵抗メモリ)製品の量産を発表した。(2019/3/12)

ISSCC 2019:
Intel、22nm FinEFT適用MRAMの概要を発表
Intelは、22nm FinFETプロセス適用デバイスで採用する、組み込みSTT-MRAM(スピン注入磁化反転方式の磁気抵抗メモリ)向け技術について、詳細を明らかにした。(2019/2/22)

さらば平成、さらば水冷、いくぜNUC:
自作PCユーザーが5年振りに目覚めた2つのきっかけ
とある自作PCユーザーが平成最後の年にふと目覚め、ほぼ5年ぶりにPCを新調しました。その過程を含め、今どきの自作事情をお届けしたいと思います。(2019/2/9)

ヘテロ統合への第一歩を踏み出す:
Intelが新しい3D積層チップ技術「Foveros」を発表
Intelは、新しい3Dパッケージング技術「Foveros」のデモを披露した。2019年後半には提供できる見込みだという。Intelは、このFoverosの開発に20年間を費やし、ロジックとメモリを組み合わせた3D(3次元)のヘテロジニアス構造でダイ積層を実現した。(2018/12/14)

湯之上隆のナノフォーカス(7):
Intel 10nmプロセスの遅れが引き起こしたメモリ不況
2018年、メモリ市場の成長に暗雲が立ち込め、メモリ不況が避けられない事態となった。アナリストらは、メモリの過剰供給による価格の下落を要因として指摘しているが、どうも腑に落ちない。そこで筆者は、Intelの10nmプロセスの遅れという点から、メモリ不況の要因を探ることにした。(2018/12/7)

メモリ関連の論文も豊富:
ISSCC 2019の目玉はAIと5Gに、CPUの話題は少ない?
2019年2月17〜21日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される半導体回路技術関連の国際学会「ISSCC 2019」は、発表内容のほとんどが、機械学習(マシンラーニング)や高速ネットワーク、メモリが主役となる“データ時代”に関するものとなりそうだ。(2018/11/26)

超低消費電流を実現したASSP:
環境発電で“欠けていたピース”埋める、ルネサスのSOTB
ルネサス エレクトロニクスはドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、エナジーハーベスト(環境発電)で得たエネルギーで駆動できる組み込みコントローラー「R7F0E」を発表した。核となるのはルネサス独自のプロセス技術「SOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)」である。(2018/11/20)

7nm開発は中止したが:
GF、FD-SOIのデザインウィン獲得を着実に重ねる
GLOBALFOUNDRIES(GF)は、7nmプロセスの開発を中止してから初めての年次カンファレンスの中で、ある新規顧客が、GFの22nm FD-SOI(完全空乏化型シリコン・オン・インシュレータ)プロセス「22FDX」を用いて、少なくとも3種類のディープラーニング用組み込みチップを製造していることを明らかにした。(2018/10/3)

医療技術ニュース:
自己組織化でサッカーボール形状のタンパク質ナノ粒子を構築
慶應義塾大学は、サッカーボール形状のタンパク質ナノ粒子「TIP60」の構築に成功した。小さな有機化合物を内部の空洞に導入し、TIP60同士を集合させてより大きな構造を作ることができる。(2018/10/2)

AMDはTSMCに委託先を切り替え:
GLOBALFOUNDRIES、7nm開発を無期限停止へ
最先端の半導体プロセス技術をめぐる競争は、今や3社に絞られた。GLOBALFOUNDRIESは、7nm FinFETプロセスの開発を無期限に延期すると発表した。(2018/8/29)

Armへの対抗品となる?:
インドの新興企業、RISC-VベースのCPUコアを開発へ
インドの新興企業であるInCore Semiconductorsは、オープンソースの命令セットアーキテクチャ(ISA)である「RISC-V」ベースのプロセッサコアとディープラーニングアクセラレーター、SoC(System on Chip)設計ツールの設計とライセンス供与に関する意欲的な計画を発表した。(2018/8/9)

半導体開発だけではない:
製造装置の国産化を加速する中国
「中国製造2025」の一環として半導体産業の強化を掲げる中国。今、中国国内には巨大な半導体製造工場が立ち上がりつつある。半導体製造装置については日米欧の寡占状態にあるが、中国は製造装置の内製化も進めようとしている。中国による製造装置の国産化は、どの程度まで進んでいるのか。(2018/8/9)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
「プロセッサIPを出せばいい」時代の終了、Armはどう対処するか
Armは2018年5月から6月にかけて多くのプレスリリースを出している。それらを俯瞰してみると、もう単純に「プロセッサIPだけを提供していればいい」という時代ではないことがよく分かる。その時代にArmはどう対処しようとしているのか。(2018/7/13)

福田昭のストレージ通信(104) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(4):
IoT/自動車向けMRAMに対する要求仕様とデータ書き換え特性
埋め込みフラッシュメモリの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-F)と、埋め込みSRAMの置き換えを想定したMRAM(eMRAM-S)が、IoT(モノのインターネット)や自動車で使われる場合、どういった仕様が要求されるのか。データの書き換え特性を中心に解説する。(2018/6/4)

イスラエルにさらなる投資:
Intel、イスラエルの10nm工場に50億米ドルを投入へ
Intelは、今後2年間で50億米ドルを投じ、イスラエルのキルヤット・ガト(Kiryat Gat)にある同社工場のプロセス技術を、既存の22nmから10nmへとアップグレードする予定だという。(2018/5/28)

福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3):
埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ
今回は、GLOBALFOUNDRIESが提供する埋め込みMRAMマクロの概要を解説する。(2018/5/25)

福田昭のストレージ通信(102) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(2):
微細化限界に達したフラッシュをMRAMで置き換え
埋め込みフラッシュメモリが直面する課題は、微細化の限界である。GLOBALFOUNDRIESは、2xnm以下の技術世代に向けた埋め込み不揮発性メモリとして、MRAM(磁気抵抗メモリ)を考えている。(2018/5/15)

新パッケージング技術の開発も:
TSMCがロードマップを発表、EUV導入は19年前半
TSMCは、7nmプロセスの量産を開始し、さらにEUV(極端紫外線)リソグラフィを導入したバージョンの生産を2019年前半にも開始する計画も発表した。さらに、同社は5nmノードに関する計画も明らかにした。(2018/5/10)

各国の警戒が強まる中:
中国、海外半導体企業の“買いあさり作戦”を変更?
中国は、半導体産業を強化すべく、既に技術を持っている海外企業を買収しようとしてきた。だが、特に米国で、そうした動きに対する警戒が強まる中、中国は海外企業の買収から、国内で全てまかなうという方向にシフトし始めているようだ。(2018/4/5)

28nm製品が伸び悩み:
UMC、増収見込めず設備投資を大幅削減
台湾の半導体ファウンドリーUMCが、2018年度の設備投資費を大幅に削減する。激しい競争が続く28nmプロセスでの売り上げが伸び悩んだことが要因だ。(2018/1/31)

7nmでシェア100%を狙う?:
堅調なTSMC、5nmのリスク生産は19年Q1にも開始
TSMCは、半導体メーカーのファブライト化や、HPC(High Performance Computing)向けチップの需要の高まりにより、堅調な成長を続けている。7nmや5nmプロセスの開発も順調だとする。(2018/1/24)


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