300mmファブ装置投資、今後3年間で過去最高額に：2025〜27年に4000億米ドルを投資（1/2 ページ）

SEMIは、世界の300mm半導体前工程ファブ装置への投資額が、今後3年間（2025〜2027年）で総額4000億米ドルに達するとの予測を発表した。過去最高となる投資額を支えるのは、「半導体ファブの地域化」と「AIチップの需要が増加する」ためである。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

中国における装置投資額は2024年をピークに減少へ

　SEMIは2024年9月26日（米国時間）、世界の300mm半導体前工程ファブ装置への投資額が、今後3年間（2025〜2027年）で総額4000億米ドルに達するとの予測を発表した。過去最高となる投資額を支えるのは、「半導体ファブの地域化」と「AIチップの需要が増加する」ためである。

300mm半導体前工程ファブ装置に対する投資額の実績と予測［クリックで拡大］ 出所：SEMI

　300mmウエハーに対応した製造ライン向け装置の投資額は、2024年に前年比4％増の993億米ドルが見込まれる。さらに2025年は同24％増の1232億米ドルとなり、初めて1000億米ドル台に達することになる。その後も成長は続き、2026年は同11％増の1362億米ドル、2027年は同3％増の1408億米ドルと予測した。

　投資額を地域別にみると、300mmファブ装置の投資を引き続きリードするのは中国。今後3年間にわたって合計1000億米ドルを投資する予定である。ただ、単年度の投資額は2024年の450億米ドルをピークに減少し、2027年は310億米ドルとなる見込み。

　これに続くのが韓国。今後3年間で総額810億米ドルを投資する。DRAMやHBM、3D NANDフラッシュといったメモリ分野で、さらに優位性を高めていく。3位は台湾。今後3年間で国内への投資は750億米ドルと予測する。主に3nm未満の最先端ロジック向けがけん引する。なお、海外での新規ファブ建設も予定している。

　これ以外の地域における300mmファブ装置に対する3年間の投資総額は、米州が630億米ドル、日本が320億米ドル、欧州／中東が270億米ドル、東南アジアが130億米ドルとなっている。これらの地域では産業支援政策の一環として、半導体分野に注力している。このため2027年における装置投資額は、2024年に比べ2倍以上に増えることが予想されている。