パナソニックとインフィニオン、GaNパワー半導体で協業：ビジネスニュース 企業動向

パナソニックとインフィニオン テクノロジーズは、GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスを共同開発することで合意したと発表した。

[竹本達哉，EE Times Japan]

　パナソニックとインフィニオン テクノロジーズ（Infineon Technologies）は2015年3月10日、両社でGaN（窒化ガリウム）パワーデバイスを開発することで合意したと発表した。パナソニックのノーマリオフ（エンハンスメントモード）GaNパワーデバイスを、インフィニオンの表面実装（SMD）パッケージと組み合わせる。またパナソニックはインフィニオンへノーマリオフGaNトランジスタ構造のライセンスを提供する。

　今回の協業により、両社それぞれが高性能なGaNデバイスを製造できるようになる他、「これまで他のGaN on Silicon^＊）デバイスでは実現できていなかった、パッケージ互換のGaNパワースイッチを2社から調達することが可能になる」（両社）と主張する。

＊）GaN on Silicon：シリコン基板上に、GaNを成膜しGaNデバイスを形成すること。

　なお、両社は2015年3月15〜19日に米国ノースカロライナ州で開催されるApplied Power Electronics Conference and Exposition（APEC）にDSO（Dual Small Outline）パッケージを用いた600V 70mΩ品のサンプルを展示するという。

　GaNパワーデバイスは、SiC（炭化ケイ素）を用いたパワーデバイスと並んで、現状のシリコンによるパワーデバイスに置き換わる次世代パワーデバイスとして注目を集めている。

　インフィニオンはこれまで、SiCパワーデバイスの開発に集中し、GaNパワーデバイスには慎重な姿勢をみせていたが、2015年1月にインターナショナル・レクティファイアーを買収したことで、GaNパワーデバイスに関する製品/技術を手に入れている。一方のパナソニックも、GaNパワーデバイスとともにSiCパワーデバイスの開発も手掛け、直近では三社電機製作所と業界最小をうたう1200V耐圧のSiCパワーモジュールを開発している。