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» 2015年09月10日 09時00分 公開

ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演(3)〜生産性と欠陥密度SEMICON West 2015リポート(10)(2/3 ページ)

[福田昭,EE Times Japan]

欠陥密度を3年間で100分の1以下に低減

 前回で説明したように、キヤノンは近年、ナノインプリントの生産性を大幅に向上させてきた。そして同時に、欠陥密度を大幅に下げてきた。

 2012年には、欠陥は1cm2当たりに1200個もあった。それを2013年には、5分の1以下の220個と大きく低減させた。マスク洗浄後の放置時間を短縮したり、レジスト滴下パターンを改良したりといった改良を加えた結果である。

 昨年(2014年)には、1cm2当たりでわずか9個にまで欠陥を減らすことができた。化学物質中の汚染粒子密度を減らす、レジストの剥がれを防止するといった改良を実施した結果である。

 またウエハー表面の微小な汚染粒子(パーティクル)の数も、ここ3年ほどで急速に減らしてきた。2012年前半にはウエハー1枚にパーティクルの数が100個あったのが、同年の後半には10個に減少した。続く2013年には0.4個〜0.1個と減少し、1個未満になった。2014年には0.02個〜0.01個にまで減少した。

 ウエハー表面のパーティクルは、テンプレートを劣化させる。パーティクルの低減がテンプレートの寿命を延ばすことになる。

photo 欠陥密度の推移(クリックで拡大)
photo 欠陥密度を減らすための主な改良点と、ウエハー面内の欠陥密度マップ(クリックで拡大)
photo ウエハー表面の微小な汚染粒子(パーティクル)の数の推移(クリックで拡大)

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