ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（3）〜生産性と欠陥密度：SEMICON West 2015リポート(10)（2/3 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

欠陥密度を3年間で100分の1以下に低減

　前回で説明したように、キヤノンは近年、ナノインプリントの生産性を大幅に向上させてきた。そして同時に、欠陥密度を大幅に下げてきた。

　2012年には、欠陥は1cm²当たりに1200個もあった。それを2013年には、5分の1以下の220個と大きく低減させた。マスク洗浄後の放置時間を短縮したり、レジスト滴下パターンを改良したりといった改良を加えた結果である。

　昨年（2014年）には、1cm²当たりでわずか9個にまで欠陥を減らすことができた。化学物質中の汚染粒子密度を減らす、レジストの剥がれを防止するといった改良を実施した結果である。

　またウエハー表面の微小な汚染粒子（パーティクル）の数も、ここ3年ほどで急速に減らしてきた。2012年前半にはウエハー1枚にパーティクルの数が100個あったのが、同年の後半には10個に減少した。続く2013年には0.4個〜0.1個と減少し、1個未満になった。2014年には0.02個〜0.01個にまで減少した。

　ウエハー表面のパーティクルは、テンプレートを劣化させる。パーティクルの低減がテンプレートの寿命を延ばすことになる。

欠陥密度の推移（クリックで拡大）

欠陥密度を減らすための主な改良点と、ウエハー面内の欠陥密度マップ（クリックで拡大）

ウエハー表面の微小な汚染粒子（パーティクル）の数の推移（クリックで拡大）