抵抗変化メモリとGaNデバイス：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（4）（1/3 ページ）

今回のプレビューでは、セッション7〜9を紹介する。セッション7では抵抗変化メモリ（ReRAM）の信頼性に関する発表が相次ぐ。セッション8では、3次元集積回路の製造技術がテーマだ。セッション9では、富士通と東京工業大学が試作した、96GHzの周波数で出力が3W/mmと高いInAlGaN/GaN HEMTなどが発表される。

[福田昭，EE Times Japan]

抵抗変化メモリの劣化を解析

　前回に続き、2015年12月に開催予定の国際学会「IEDM 2015」で12月7日（月）の午後に予定されているセッションを説明する。前回はセッション4からセッション6の予定講演をご報告した。今回はセッション7（キャラクタライゼーション、信頼性、歩留まり）とセッション8（プロセス技術と製造技術）、セッション9（パワーデバイスと化合物デバイス）の講演をご紹介しよう。

12月7日午後の一般講演セッション一覧（クリックで拡大）

　セッション7（キャラクタライゼーション、信頼性、歩留まり）のテーマは「抵抗変化メモリとバックエンドの信頼性」である。テーマにもある通り、抵抗変化メモリ（ReRAM）の信頼性に関する研究成果の講演が相次ぐ。imecとイタリア・University of Paviaの共同研究チームは、抵抗変化メモリ（ハフニウム酸化膜）のプログラミング・アルゴリズムにおける本質的な不安定性を議論する（講演番号7.5）。化学組成の揺らぎによる導電フィラメントの形状変化が抵抗値の変動をもたらしているとする。Politecnico di MilanoとMicron Technologyの共同研究グループは、抵抗変化メモリ（ハフニウム酸化膜）の書き換えサイクルがもたらす特性劣化を解析した結果を報告する（講演番号7.6）。

　パナソニックセミコンダクターソリューションズと京都大学の共同研究チームは、40nm以降の製造技術による抵抗変化メモリのばらつきを確率微分方程式で予測した（講演番号7.7）。40nm技術の2Mbit抵抗変化メモリを試作して予測手法を検証した。長期のデータ保持における抵抗値変化と微細化の関係を予測するときに有効だという。

セッション7の講演一覧（クリックで拡大）