メディア

DDR4とHBMの長所と短所福田昭のデバイス通信 ARMが語る、最先端メモリに対する期待(12)(2/2 ページ)

» 2016年03月29日 11時30分 公開
[福田昭EE Times Japan]
前のページへ 1|2       

HBMは高いデータ転送速度を低い消費電力で実現

 データ転送速度と消費電力、製造コスト(価格)でDDR系列やLPDDR系列などを含めたDRAM技術とHBM技術を比べてみよう。

 HBM技術はデータ転送速度が極めて高いにもかかわらず、消費電力はDDR4とあまり変わらない。消費電力効率の高さがHBM技術の特長である。ただし、製造コスト(価格)はかなり高い。DDR4タイプよりもはるかに高いのはもちろんのこと、低消費電力タイプのLPDDR4タイプやWide IO2タイプなどと比べても、かなり高くつく。

DRAM技術を比較 データ転送速度と消費電力、製造コスト(価格)で各種のDRAM技術を比較(クリックで拡大) 出典:ARM

埋め込みDRAM(eDRAM)は主役になれない

 ここからは話題を埋め込みDRAM(eDRAM)に転じよう。eDRAM技術はロジックとDRAMの混載を狙ったデバイス技術である。主に一部のCPUシステムで、ラストレベルキャッシュ(LLC:主記憶に最も近い階層のキャッシュ)に使われてきた。SRAMに比べると記憶容量当たりの製造コストが低いので、eDRAM技術は大容量キャッシュに適している。

 次世代のCPUシステムを想定したとき、HBMのような3次元DRAM技術ではなく、eDRAM技術を活用することも考えられる。しかしRob Aitken氏は、eDRAM技術は普及せず、ニッチな存在にとどまると予測する。

 講演ではその理由をいくつか挙げていた。最初の理由は、ロジックとDRAMでは最適な製造プロセスが異なることである。DRAMに最適化したプロセスではロジックの性能が下がる。逆に、ロジックに最適化したプロセスではDRAMの性能が下がる。両方に適したプロセスだと、製造コストが上昇してしまう。

 またSRAMと異なり、DRAMにはリフレッシュ(定期的なデータ再書き込み)が存在する。eDRAMは市販品が存在しないので、eDRAMキャッシュの設計者はリフレッシュを取り扱わなければならない。これは設計作業をかなり複雑にする。

 そしてコストの問題がある。記憶容量当たりのコストでは、市販のDRAMに比べるとeDRAMは非常に高くなる。eDRAMのシステムが性能で圧倒的に優位に立たない限り、採用は難しい。

埋め込みDRAM(eDRAM)の弱点 埋め込みDRAM(eDRAM)の弱点(クリックで拡大) 出典:ARM

(次回に続く)

⇒「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧

前のページへ 1|2       

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.