メディア

新原理のトランジスタによるLSI動作実証に成功：トンネルFET（2/2 ページ）

» 2016年12月06日 09時30分公開

[竹本達哉，EE Times Japan]

駆動電流増大技術も適用

　なお、産総研では、次世代トランジスタの動作速度を改善する技術として、トンネルFETの駆動電流増大技術も開発。同技術を適用したトンネルFETによるリング型発振回路と、適用していない同回路での動作周波数を比較したところ、同技術により動作周波数が約2倍向上することを確認したとする。

駆動電流増大技術を適用した場合／しない場合のトンネルFETリング発振回路の動作周波数（クリックで拡大）出典：産業技術総合研究所

実用化へ動作周波数100倍など目指す

　今後、産総研は「今回のトンネルFETの動作電圧は期待値よりも高かったため、しきい値電圧調整技術の開発などによる低電圧動作を目指す。また、実用化には、さらに100倍程度の動作速度が必要になるため、高速化させる。リング型発振回路以外のトンネルFETを用いた集積回路の実現なども目指す」としている。

　今回の開発成果は、米国サンフランシスコで開催されている国際会議「2016 IEEE International Electron Devices Meeting」（2016年12月5～7日、現地時間）で発表される。

究極の低電圧・低消費を目指すスティープスロープFET
2015年12月8日に開催されるセッション22のテーマは「スティープスロープ・トランジスタ」だ。このトランジスタの実現手法に関する研究成果がIntelなどから発表される。同日夜のパネルディスカッションでは、オンチップの相互接続技術や、CMOS技術が直面している課題について議論が行われる予定だ。
「微細化は今後10年続く」――インテルの見解
米国で開催された「IEDM（International Electron Devices Meeting）2014」。Intelの14nm FinFETプロセスやTSMCの16nm FinFETなどの開発状況をはじめ、多くの論文が発表された。IEDM 2014のリポートを数回にわたってお届けする。
微細化の限界に挑む、Siと新材料の融合で新たな展望も
半導体製品、特にSi（シリコン）材料を使ったトランジスタの歴史を振り返るとき、「微細化」が重要なキーワードであることは間違いない。微細化に伴って、50年あまりの間にトランジスタの処理性能は劇的に高まり、寸法は小さくなった。ところが、2000 年代に入り、状況が変わってきた。
TSMCの7nm FinFET、2017年4月には発注可能に？
TSMCは米国カリフォルニア州サンノゼで開催されたイベントで、7nm FinFETプロセス技術について言及した。3次元（3D）パッケージングオプションを強化して、数カ月後に提供を開始する計画だという。
産総研、2030年に向けた研究戦略を策定
産業技術総合研究所（産総研）は、2030年に向けた産総研の研究戦略を策定した。2030年の産業像や社会像を見据え、「超スマート社会（Society 5.0）」の実現など、大きく4つの研究目標を定め開発に取り組む。
LSIに組み込める！産総研などがスピントルク発振素子を高性能化
産業技術総合研究所などは、従来に比べ10倍程度のQ値を持つというスピントルク発振素子を開発したと発表した。この開発成果は、LSI中に組み込むことが可能なナノスケール発振器などに応用できるという。