微細化の限界に挑む、Siと新材料の融合で新たな展望も：プロセス技術（1/10 ページ）

半導体製品、特にSi（シリコン）材料を使ったトランジスタの歴史を振り返るとき、「微細化」が重要なキーワードであることは間違いない。微細化に伴って、50年あまりの間にトランジスタの処理性能は劇的に高まり、寸法は小さくなった。ところが、2000 年代に入り、状況が変わってきた。

[前川慎光，EE Times Japan]

　半導体製品、特にSi（シリコン）材料を使ったトランジスタの歴史を振り返るとき、「微細化」が重要なキーワードであることは間違いない。微細化に伴って、50年あまりの間にトランジスタの処理性能は劇的に高まり、寸法は小さくなった。電子機器の発展は、半導体の微細化が下支えしてきた。

　ところが、2000 年代に入り、状況が変わってきた。微細化を続けてきた結果、トランジスタの物性に起因する問題が顕在化し、これまでの技術の延長では、微細化を推し進めることが難しくなってきたのである。

　第1 部では、微細化が難しくなっている中で、微細化をさらに推し進めるための研究開発を概観する。第2部と第3部では、これまでロジック回路の世界では使われてこなかった、磁性材料や強誘電体材料をロジック回路に導入する動きを解説する。最初に、磁性材料や強誘電体材料を利用して、さらに微細化を進める研究を紹介する。その後、微細化を目指すのではなく、新材料で新たな価値を付け加える研究を紹介する。

→第1部　幾何学的スケーリングを超えた先

→第2部　新材料でばらつき耐性向上を実現

→第3部　不揮発性ロジックで消費電力削減