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» 2018年06月06日 11時30分 公開

シリコン光変調器の基礎福田昭のデバイス通信(149) imecが語る最新のシリコンフォトニクス技術(9)(2/2 ページ)

[福田昭,EE Times Japan]
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シリコンフォトニクスにおける外部変調器の原理

 外部変調器によって光の振幅や位相などを変更する原理は、いくつか存在する。シリコンフォトニクスでは、シリコンのキャリア(伝導電子と正孔)濃度を制御して屈折率を変える「エレクトロリフラクティブ効果」を利用する変調器と、シリコンに電界を加えて光の吸収率を変える「エレクトロアブソープション(電界吸収)」効果を利用する変調器に分けられる。

 エレクトロリフラクティブ効果を利用する変調器(ER変調器)には、マッハツェンダ(Mach-Zender)型干渉器を利用した変調器(マッハツェンダ変調器あるいはMZ変調器)と、シリコン光導波路のリング共振器を利用したリング変調器がある。

 エレクトロアブソープション(電界吸収)効果を利用する変調器(EA変調器)には、フランツケルディッシュ(Franz-Keldysh)効果を利用した変調器がある。

 それぞれの原理と特徴については、次回で説明しよう。

シリコンフォトニクスの主な外部変調器(クリックで拡大)

次回に続く

⇒「福田昭のデバイス通信」連載バックナンバー一覧

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