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ここはひとつ、Appleに期待するしか……「GaNの採用」：電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記

なんだかんだ言って、期待してしまう。

» 2019年05月20日 12時00分公開

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

　この記事は、2019年5月20日発行の「電子機器設計／組み込み開発メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

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　長い（長過ぎる？）10連休が明けてすぐ、ドイツ・ニュルンベルクでパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2019」が開催されました。

「PCIM Europe 2019」が開催されたニュルンベルクのメッセ

　筆者が前回、PCIM Europeを取材したのは2年前。「PCIM Europe 2017」の時でした。2年たって、特に次世代パワーデバイスにどのような変化があったのかなと期待して行ったのですが、まずSiCについては、相変わらずデバイスの価格が高いということがボトルネックになっていました。

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パワエレで力を付ける中国、SiCで目立つ地元企業の台頭
中国・上海で、2018年6月26～28日の3日間にわたりパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Asia 2018」が開催された。三菱電機の中国法人は「5～10年前では考えられないほど市場が伸びて、プレイヤーも増えてきている」と語る。SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイスを手掛けるメーカーも増えてきた。PCIM Asia 2018の様子をレポートする。
1つのシリコンを使い尽くす ―― 米国半導体メーカーの合理的な工夫
半導体チップ開発は、プロセスの微細化に伴い、より大きな費用が掛かるようになっている。だからこそ、費用を投じて作ったチップをより有効活用することが重要になってきている。そうした中で、米国の半導体メーカーは過去から1つのチップを使い尽くすための工夫を施している。今回はそうした“1つのシリコンを使い尽くす”ための工夫を紹介していく。
垂直統合にシフトして利益を生み出すApple
Appleはなぜ、多大なコストが掛かるにもかかわらず大規模な半導体設計を自社で行おうとしているのだろうか。そして、既に市場での実績を築いている半導体企業と同等以上の性能を備えたICを設計できるのだろうか――。半導体を自社設計することは、どう考えてもリスクが大き過ぎる。
寿命「30億年」に「10年」が挑む
次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。だが、SiCにはまだまだ課題が残っていた。その1つが寿命だ。