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オンセミ、GTATとSiC素材の供給契約で合意：5年間で総額5000万米ドル相当

GT Advanced Technologies（GTAT）は、5年間で総額5000万米ドル相当のSiC（炭化ケイ素）素材を供給する契約をOn Semiconductorと結んだ。

» 2020年03月23日 09時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

SiCウエハーで世界トップクラスの供給力を維持

　GT Advanced Technologies（GTAT）は2020年3月、On Semiconductor（以下、オンセミ）に対し、5年間で総額5000万米ドル相当のSiC（炭化ケイ素）素材を供給する契約を結んだと発表した。

　GTATは、パワーデバイス用ワイドギャップ半導体として注目されているSiCやサファイア材料を生産している。今回の合意に基づきGTATは、SiC素材「CrystX」を生産し、オンセミに供給する。

　オンセミは、GTATから調達した150mm SiC結晶を用いて、SiCウエハーを製造する。オンセミは、ウエハーの量産で40年の経験を持つ。SiCウエハーについてもGTATと連携しながら世界トップクラスの供給力を維持していくという。

　SiCパワー半導体は、電気自動車やハイブリッド車、太陽光発電／蓄電などの用途で需要が拡大している。オンセミでグローバルサプライチェーン担当のシニアバイスプレジデントを務めるBrent Wilson氏は、「GTATと提携し、SiCワイドバンドギャップ半導体材料技術をさらに発展させ、市場が急拡大するこの分野でリーダーシップを強化していく」とコメントしている。

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