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SK hynix、EUV露光による1αnm世代DRAM量産を開始：DRAM量産に初めてEUV装置採用

SK hynixは2021年7月12日（韓国時間）、EUV（極端紫外線）露光装置を使用した初めてのDRAM量産を開始したと発表した。10nmプロセス技術の第4世代である「1α（アルファ）nm世代」の8Gビット LPDDR4 モバイルDRAMで、同年後半からスマートフォンメーカー向けに提供する予定だ。

» 2021年07月13日 09時30分公開

[永山準，EE Times Japan]

8Gビット LPDDR4 モバイルDRAM　出典：SK hynix

　SK hynixは2021年2月に完成した新工場「M16」（韓国・京畿道の利川（イチョン）市）が、EUV露光装置を導入した同社初の工場になるとしており、2021年後半からEUV露光装置を活用した1αnm世代のDRAM生産を行うことをアナウンスしていた。

　同社は、既に1ynm世代のDRAM生産でEUV装置を一部導入しており、「最先端のリソグラフィ技術の安定性を証明した後、初めてEUV装置を量産に採用した。プロセスの安定性が証明されたことから、今後、1αnmのDRAM生産には全てEUV技術を使用する予定だ」と説明している。なお、2020年10月に発表したDDR5 DRAMには、2022年初頭から1αnmプロセスを適用する予定という。

　1αnm世代は、前世代（1znm世代）と比較して、同サイズのウエハーから生産されるDRAMチップの数を約25％増加させることができるといい、SK hynixは、「この1αnm DRAMが、世界的なDRAM需要の増加に伴う、世界市場の需給状況の緩和にも貢献するものと期待している」と述べている。

Intelがファウンドリー事業を発表、工場にも大規模投資
Intelは2021年3月23日（米国時間）、新CEOであるPat Gelsinger（パット・ゲルシンガー）氏によるウェブキャスト「Intel Unleashed: Engineering the Future」を公開し、米国アリゾナ州での半導体工場の設立や、独立したファウンドリーサービスの開始を含めた製造関連の戦略「IDM 2.0」について語った。
SamsungのEUV適用D1z世代のDRAMを分析
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韓国、半導体への投資を加速
韓国の報道によれば、SK hynixが、ファウンドリー事業用の生産能力を2倍に拡大する予定だという。同社はプレスリリースで、「実行可能な計画によって、ファウンドリーの生産能力を2倍に増強すべく検討しているところだ」としている。
EUV出荷は100台を突破、コロナ下でも増収増益のASML
オランダASMLは2021年1月21日（現地時間）、2020年第4四半期および通期の業績を発表した。2020年第4四半期の売上高は43億ユーロ（約5400億円）で純利益は14億ユーロ（約1756億円）。2020年通期の売上高は、140億ユーロ（約1兆7560億円）で純利益は36億ユーロ（約4516億円）で、2019年に比べ増収増益となった。
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SK Hynix、31億米ドルを投じメモリ新工場建設へ
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