メディア
パワーエレクトロニクス最前線 特集
ニュース
» 2021年08月27日 12時30分 公開

オンセミ、SiC材料を手掛ける米GTATを4億ドルで買収SiC製品を強化

onsemi(オンセミ)は2021年8月25日(米国時間)、SiCの製造を手掛ける米GT Advanced Technologies(以下、GTAT)を4億1500万米ドルの現金で買収する正式契約を締結したことを発表した。

[村尾麻悠子,EE Times Japan]

 onsemi(オンセミ)は2021年8月25日(米国時間)、SiCの製造を手掛ける米GT Advanced Technologies(以下、GTAT)を4億1500万米ドルの現金で買収する正式契約を締結したことを発表した。この買収はonsemiおよびGTATの取締役会で承認されていて、規制当局の承認を経て2022年前半に完了する予定だ。

 GTATは1994年創業。SiCおよびサファイア材料を製造している。もともとonsemiにSiC素材を供給してきたメーカーであり、2020年3月にはonsemiと、5年間で総額5000万米ドル相当のSiC(炭化ケイ素)素材を供給する契約を結んでいる。

 GTATは150mmウエハー向けのSiC材料として「CrystX」を2017年から提供している。以降、CrystXの世代ごとにEPD(エッチピット密度)およびBPD(基底面転移)の低減を図ってきた。第3世代では、EPDを1500/cm2以下、BPDを500/cm2以下にする計画を立てている。onsemiは150mm、200mmウエハーのSiC結晶成長技術を進化させるため、GTATの研究開発拡大に向けた投資を行う予定だ。

GTATの「CrystX」のEPDおよびBPDの値 出典:GTAT

 onsemiは今回の買収により、SiCの供給を確保、拡大し、SiC製品に対する需要の高まりに応えることができるとしている。GTATの技術開発の他、SiCパワーデバイスの工場の生産能力拡大と、パッケージングを含めた広範なSiCサプライチェーンに対する投資も行う。

 onsemiは、SiCダイオードとSiC MOSFETの両方を提供している。SiCダイオードでは定格電圧650V、1200V、1700V、SiC MOSFETでは同650V、900V、1200Vの製品群を展開している。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.