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ローム、650V耐圧GaN HEMTの量産を開始：トップクラスのデバイス性能指数

ロームは、業界トップクラスのデバイス性能指数を実現した650V耐圧GaN（窒化ガリウム）HEMTの量産を始めた。サーバやACアダプターなどの電源システムに向ける。

» 2023年04月28日 10時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

台湾・デルタ電子の関連会社「アンコラ」と共同開発

　ロームは2023年4月、業界トップクラスのデバイス性能指数を実現した650V耐圧GaN（窒化ガリウム）HEMTの量産を始めた。サーバやACアダプターなどの電源システムに向ける。

650V耐圧GaN HEMTの外観出所：ローム

　新製品は「GNP1070TC-Z」と「GNP1150TCA-Z」の2製品である。台湾・デルタ電子の関連会社でGaNデバイスを開発するAncora Semiconductors（アンコラ）と共同開発した。デバイス性能指数（ドレイン-ソース間オン抵抗×入力容量/ドレイン-ソース間オン抵抗×出力容量）に優れているためスイッチング損失を削減でき、電源システムの効率を高めることが可能となる。

　また、ESD保護素子を内蔵したことで、静電破壊耐量は3.5kVに向上した。さらに、高速スイッチング動作によって周辺部品を小型化できるという。パッケージは外形寸法が8.0×8.0×0.9mmのDFN8080K／DFN8080AKで供給する。サンプル価格（税別）は5000円。インターネット販売も始めており、チップワンストップやコアスタッフオンラインなどのサイトより購入することができる。

新製品の主な仕様出所：ローム

ローム、低オン抵抗のNチャネルMOSFETを発表
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PrestoMOSの新シリーズ、ロームが3製品を発売
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超高速駆動制御IC技術でGaN製品の性能を最大化
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走行中車両のタイヤに給電する新技術を開発、東大ら
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ローム、1608サイズ対応のSWIRデバイスを開発
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ローム、検出精度±1％の電流検出アンプICを開発
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