超高速駆動制御IC技術でGaN製品の性能を最大化：最小制御パルス幅を2ナノ秒へ

ロームは、GaN（窒化ガリウム）デバイスの性能を最大化することができる「超高速駆動制御」IC技術を確立した。2023年後半には、この技術を搭載した100V入力1chの「DC-DCコントロールIC」を開発し、サンプル出荷を始める予定。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

対応するDC-DCコントロールICを2023年後半にサンプル出荷

　ロームは2023年3月、GaN（窒化ガリウム）デバイスの性能を最大化することができる「超高速駆動制御」IC技術を確立したと発表。この技術を搭載した100V入力1chの「DC-DCコントロールIC」を開発し、2023年後半にもサンプル出荷を始める予定。

GaNデバイスと、超高速駆動制御IC技術を搭載したDC-DCコントロールICの外観 出所：ローム

　今回開発した技術は、電源ICで培った超高速パルス制御技術「Nano Pulse Control」をさらに進化させた。独自の回路構成により制御ICの最小制御パルス幅を、業界最高レベルの2ナノ秒まで向上させた。これまでは9ナノ秒であった。

　これにより、48V系や24V系の用途を中心に、高電圧から低電圧への降圧変換を1個の電源ICで構成することが可能になる。高周波スイッチングによる周辺部品の小型化にも貢献する。開発中のDC-DCコントロールICとGaNデバイス「EcoGaNシリーズ」を組み合わせると、一般的な電源回路に比べ実装面積を86％も削減できるという。