ローム、低オン抵抗のNチャネルMOSFETを発表：スイッチング損失と導通損失を低減

ロームは、高い電源効率を実現できる耐圧40〜150VのNチャネルMOSFET「RS6xxxxBx／RH6xxxxBxシリーズ」を発表した。産業機器用電源や各種モーター駆動の用途に向ける。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

従来品に比べオン抵抗は約半分に、Qgdは約40％も低減

　ロームは2023年4月、高い電源効率を実現できる耐圧40〜150VのNチャネルMOSFET「RS6xxxxBx／RH6xxxxBxシリーズ」を発表した。産業機器用電源や各種モーター駆動の用途に向ける。

RS6xxxxBx／RH6xxxxBxシリーズの外観 出所：ローム

　新製品は、ドレイン−ソース間電圧が40V、60V、80V、100V、150Vで、ドレイン電流やオン抵抗などがそれぞれ異なる13製品を用意した。特に新製品は、微細プロセスの採用で素子の性能を高めるとともに、パッケージは抵抗が小さい銅クリップ接続の「HSOP8」（外形寸法は5.0×6.0×1.0mm）および、「HSMT8」（同3.3×3.3×0.8mm）を採用した。これにより例えば、耐圧60Vの「RS6L120BG」ではオン抵抗が2.1mΩ（代表値）となり、従来品に比べ約半分となった。

　ゲート構造も改善し、ゲート−ドレイン間電荷量（Q_gd）は従来品に比べ約40％も低減した。これにより、スイッチング損失と導通損失を抑えることが可能になった。例えば、産業機器向け電源評価基板で電源効率を比べると、定常動作時の出力電流範囲において、ピーク時約95％という業界トップクラスの電源効率を実現した。

　新製品は2023年1月から量産を始めた。サンプル価格（税別）は500円。インターネット販売も行っており、コアスタッフオンラインやチップワンストップなどのWebサイトから購入することができる。