導通損失を55％低減！ ECU向け理想ダイオードIC：ダイオードから置き換えも容易

新電元工業は「TECHNO-FRONTIER 2024」にて、逆接続／逆流防止用の理想ダイオードICを展示した。従来のSBDと比べて、導通損失を55％、温度上昇を37％低減し、実装面積を75％削減できるという。

[浅井涼，EE Times Japan]

　新電元工業は「TECHNO-FRONTIER 2024」（2024年7月24〜26日、東京ビッグサイト）にて、逆接続／逆流防止用の理想ダイオードICを展示した。

新電元工業が展示した理想ダイオードIC［クリックで拡大］

導通損失や温度上昇を抑制

　自動車のECU（Electronic Control Unit）の逆接続や逆流防止にはダイオードを用いることが一般的だが、ECUの高機能化／複雑化に伴い電流が増加する中で、導通損失や発熱の増加が課題となっている。

　新電元工業の「MF2003SV」は、pチャネル型MOSFETと逆接続保護／逆電流防止回路を組み合わせ、ダイオードのように動作させる理想ダイオードICだ。MOSFETはダイオードと比べて導通損失が小さいため、高効率化が実現する。MF2003SVは従来のSBD（ショットキーバリアダイオード）と比べて、導通損失を55％、温度上昇を37％低減し、実装面積を75％削減できるという。

　「MOSFETと制御回路を一体化しているため、そのままダイオードのように組み込むことができ、回路の設計も容易だ」（ブース担当者）

　ブースでは、MF2003SVとSBDを比較するデモを展示した。MF2003SVが発熱を抑制していることが分かる。

「MF2003SV」とSBDの比較デモ。MF2003SVは発熱が抑えられている［クリックで拡大］

大電流対応品も開発中

　平均電流5AのMF2003SVに加えて、さらなる大電流に対応するために開発中のハイサイドゲートドライバーIC「MF2007SW」も展示した。nチャネル型MOSFETを外付けすることで理想ダイオードとして機能する。

　同製品は、双方向導通の半導体リレーとしても使用できる。従来のメカニカルリレーと比べて、実装面積を約50％削減できるとしている。

半導体リレーとして使用できる「MF2007SW」［クリックで拡大］