世界最大級のパワエレ展示会「PCIM 2024」で見た最新動向：EE Exclusive（7/10 ページ）

» 2024年10月31日 12時00分公開

[永山準，EE Times Japan]

ディスクリート品のように量産可能、生産能力を約30倍向上

　750V耐圧および1200V耐圧品でそれぞれパッケージサイズ（41.6mm×52.5mmまたは58.6mm×52.5mm）や実装パターン（TIM: heat dissipation sheetおよび銀焼結）に対応する12製品をラインアップする。また、今後第5世代SiC MOSFET採用やボンディング素材の改善によって、出力電流を最大900Armsまで達成する予定だとしている。

TRCDRIVE packのロードマップ［クリックで拡大］出所：ローム

　また、TRCDRIVE packはモジュールでありながらディスクリート製品のような大量生産体制を確立しているといい、一般的なケースタイプモジュールの従来品と比べ、生産能力を約30倍向上しているという。

左＝Press fit pinによってゲートドライバー基板を上面からプレスするだけで接続可能になる／右＝TRCDRIVE packをヒートシンクにシンタ―接合している［クリックで拡大］

　ロームは今回、GaN（窒化ガリウム）についても、台湾のデルタ電子のブランド「Innergie」が手掛ける45W出力ACアダプター「C4 Duo」に、ロームの650V耐圧GaN HEMT「GNP1150TCA-Z」が採用されたとして実物を展示してアピールしていた。ロームは、同社の今回、採用に至った理由として、GNP1150TCA-Zに内蔵されたESD保護素子によって、静電破壊耐量を一般的なGaN HEMTと比べて約75％向上した点が、アプリケーションの高信頼化につながるとして評価されたと説明している。