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低温、常圧で高密着性めっき膜をガラス基板に形成：アキレスが独自手法で実現

アキレスは、次世代半導体の製造工程に向けて、低温・常圧プロセスで密着性の高いめっき膜をガラス基板に形成できる技術を開発した。

» 2024年12月10日 10時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

低温・常圧のプロセスで微細配線の形成を可能に

　アキレスは2024年12月6日、次世代半導体の製造工程に向けて、低温・常圧プロセスで密着性の高いめっき膜をガラス基板に形成できる技術を開発したと発表した。

　半導体パッケージ基板の新たな材料としてガラスが注目されている。アキレスは、導電性高分子の「ポリピロール」を用い、独自のめっき技術を開発してきた。この技術を用いると、これまでめっきが難しいといわれてきたさまざまな素材でも、密着性の高いめっきが可能となる。

　独自開発のナノ分散ポリピロール液を用いためっき処理技術は、「ナノ分散ポリピロール液を塗工した部分にだけめっきが析出する」「さまざまな基材へ密着性の高いめっき処理が可能」「エッチング処理が不要のため環境負荷が低い」といった特長がある。

　今回は、このポリピロールめっき法を用い、低温・常圧プロセスでガラス基板に密着性の高いめっき膜を形成できる技術を開発した。今後は、この技術を次世代半導体の微細配線形成に適用していくための研究を進めるとともに、量産技術の確立に取り組むという。

　なお、「SEMICON Japan 2024」のブース（ブース番号：3242）では、ポリピロールめっき法を用いてガラス基板に微細配線を形成したサンプル品を展示する予定である。

左はめっき処理前と処理後のガラス基板、右は微細配線を形成したガラス基板の外観［クリックで拡大］出所：アキレス

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