住友化学、6インチGaN on GaNウエハー量産技術の早期確立へ：パワー半導体向けに大口径化

住友化学は、パワー半導体に向けた「6インチGaN on GaNウエハー」の量産技術を早期に確立していく。NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）が進める2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」において、「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウエハーの開発」が採択された。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

NEDOプログラムで採択、高品質で低コスト品の開発を加速

　住友化学は2024年11月、NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）が進める2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」において、「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウエハーの開発」が採択されたと発表した。パワー半導体に向けた「6インチGaN on GaNウエハー」の量産技術を早期に確立していく。

　GaN on GaNウエハーは、GaN（窒化ガリウム）基板の上にGaN層をエピタキシャル成長させたウエハーである。省エネ性や高耐圧で大電流動作といった特長があり、電力インフラやデータセンターサーバ、電気自動車（EV）向け用途などパワーエレクトロニクス用半導体分野で注目されている。

　こうした中で、デバイスのコストダウンには量産に用いるウエハーの大口径化が不可欠である。そこで住友化学は、高品質の6インチGaN on GaNウエハーを量産するための技術を開発していく。具体的には、GaN基板におけるGaN結晶の長尺化や種結晶の高品位化などに取り組んでいく。

技術開発のポイント［クリックで拡大］ 出所：住友化学

左から直径2インチ、4インチ、6インチのGaN基板［クリックで拡大］ 出所：住友化学