ラムリサーチのドライレジスト技術をimecが認定 28nmピッチBEOL向け：高NA EUVスキャナーへの適用も可能か

ラムリサーチ（Lam Research）は、パターニング技術である「ドライフォトレジスト（ドライレジスト）」が、2nmあるいはそれ以下のロジック回路における配線工程（BEOL）の「28nmピッチダイレクトプリント」に適格であることを、imecが認定したと発表した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

EUVリソグラフィーで低欠陥率と高解像度のパターニングを実現

　ラムリサーチ（Lam Research）は2025年1月、パターニング技術である「ドライフォトレジスト（ドライレジスト）」が、2nmあるいはそれ以下のロジック回路における配線工程（BEOL）の「28nmピッチダイレクトプリント」に適格であることを、imecが認定したと発表した。ドライレジスト技術を用いれば、極端紫外線（EUV）リソグラフィーにおいて、低い欠陥率と高解像度のパターニングを実現できるという。

　imecは、低NA EUVスキャナーを用いてラムリサーチの28nmピッチドライレジストプロセスを評価しているが、高NA EUVスキャナーへの適用も可能とみている。しかもドライレジストは、従来のウェット化学レジストプロセスと比べ、エネルギー消費が少なく原材料の使用量を5〜10分の1に削減できるという。

　先端半導体デバイスは、トランジスタの形状やピッチサイズがますます微細化している。このため、BEOLの28nmピッチダイレクトプリントなどが求められるようになった。ただ、ピッチサイズが小さくなるとパターン解像度が低下するなど課題もあった。ラムリサーチのドライレジスト技術はこうした課題を解決した。

　imecのプロセステクノロジー担当バイスプレジデントであるSteven Scheer氏は、「ラムリサーチのドライレジストは、競争力のある露光量で低い欠陥率と優れたパターン再現性を達成している」とコメントしている。