JX金属がインジウムリン基板増産、30年に3倍に:拡大する光通信などに対応
JX金属は、光通信の受発光素子などに用いられる「インジウムリン(InP)基板」を増産するため、新たに約200億円を追加投資し、磯原工場(茨城県北茨城市)の生産能力を増強する。2030年にはInP基板の生産能力が2025年に比べ約3倍に増える。
JX金属は2026年2月、光通信の受発光素子などに用いられる「インジウムリン(InP)基板」を増産するため、新たに約200億円を追加投資し、磯原工場(茨城県北茨城市)の生産能力を増強すると発表した。2030年には生産能力が2025年に比べ約3倍に増える。
InP基板の外観[クリックで拡大] 出所:JX金属
生成AIの進化などにより、データセンターにおけるデータ伝送量や電力消費が急増している。このため、高速かつ大容量のデータ伝送を低電力で行える光通信への移行が加速している。こうした動きは、データセンター間の通信だけでなく、データセンター内のラック間やラック内でデータ伝送する用途にも広がっている。
こうした光通信を支える材料が、電気信号と光信号を相互に変換できる特性を備えたInPである。次世代の情報通信基盤技術として開発が進む光電融合技術でもInPの採用が見込まれている。
このような背景からJX金属は、InP基板の生産能力を増強してきた。2025年7月に設備投資を決め、2025年10月には追加の設備投資を決定。今回のさらなる追加投資は、これらに続くものである。新たに追加する生産設備は、2027年度から段階的に稼働する予定だ。
JXがInP基板の生産拠点増強、33億円を追加投資
JXは、光通信の受発光素子などに用いられる化合物半導体材料「インジウムリン(InP)基板」の生産能力を増強する。2025年7月に磯原工場(茨城県北茨城市)への設備投資を発表していたが、今回はこれに続き追加の設備投資を決めた。一連の投資により、2027年度には生産能力が2025年に比べ約1.5倍に増える。
InP系結晶薄膜素子を300mmシリコンウエハーに転写
OKIは、素子にダメージを与えることなく異種材料集積を可能にするタイリング「CFB」技術を開発した。実験では直径50mm(2インチ)のInPウエハー上に形成したInP系結晶薄膜素子を剥離し、300mm(12インチ)シリコンウエハー全面への転写に成功した。
高速/高出力の300GHz帯信号生成システムを実現 6G開発に弾み
日本電信電話(NTT)とNTTイノベーティブデバイスおよび、Keysight Technologiesは、高速無線通信などに用いられるJ帯フルバンド(220G〜325GHz)をカバーする「増幅器モジュール」と、信号のひずみを高い精度で補償できる「測定システム」を開発した。これらを組み合わせ、300GHz帯で0dBmという高い出力と、280Gビット/秒という高速データレートの信号生成に成功した。
フォトダイオードをSiC上に接合、高出力テラヘルツデバイスを実現
OKIとNTTイノベーティブデバイスは共同で、異種材料接合によって高出力テラヘルツデバイスを高い歩留まりで量産できる技術を確立した。この技術を用い、6Gや非破壊センシングに用いられるテラヘルツデバイスの量産を2026年より始める。
化合物半導体市場、2031年に7兆9920億円規模へ
化合物半導体の世界市場は、2024年見込みの4兆4584億円に対し、2031年には7兆9920億円規模に達する。今後はLEDチップやパワー半導体が市場拡大に寄与する。富士キメラ総研が市場調査し、2031年までの予測を発表した。
光半導体をシリコン基板上に高速実装、東レが開発
東レは、InP(インジウムリン)などをベースとした光半導体をシリコン基板上に実装するための材料とプロセス技術を、東レエンジニアリング(TRENG)と連携して開発した。2025年までに量産技術を確立し、早期実用化を目指す。
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