ローム、8インチSiC MOSFET開発の技術目標を2年前倒しで達成：電力損失50％以上低減

ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。

[杉山康介，EE Times Japan]

「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」を達成

　ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETの開発」の技術目標を達成し、2025年度をもって研究開発事業を完了したと発表した。当初計画では2027年末の技術目標の達成を予定していたが、2年前倒しで達成した形だ。

開発した8インチSiCデバイス試作ウエハー（イメージ図）出所：ローム／NEDO

　NEDOはグリーンイノベーション基金事業の一環として、次世代グリーンパワー半導体などの実現を目指す「次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトを推進している。ロームは同プロジェクトの中核テーマの1つ「次世代パワー半導体デバイス製造技術開発」において、2022年4月から8インチ次世代SiC MOSFETの開発事業を行ってきた。

事業イメージ［クリックで拡大］出所：ローム／NEDO

　今回、ロームはSiCの8インチへの大口径化とプロセス最適化によって低コスト化を実現した。また8インチに対応したエピタキシャル成長技術、低オン抵抗化技術を確立。8インチ化に伴う技術課題やSiCの高難度プロセスも克服し、各要素技術を統合することで、ローム・デバイスマニュファクチャリングの筑後工場（福岡県筑後市）に8インチSiCデバイス製造ラインを構築した。

ローム・デバイスマニュファクチャリング筑後工場［クリックで拡大］出所：ローム／NEDO

　同ラインで製造した8インチSiC MOSFETデバイスをローム内製モジュールに搭載し、従来のシリコン（Si）IGBTデバイスと比較評価したところ、電力変換器の電力損失を50％以上低減できることを確認し、技術目標の「電力変換器などにおいて電力損失50％以上の低減」と「低コスト化」を達成したという。

　ロームは「同ラインで製造する8インチSiC MOSFETは、低オン抵抗化と歩留まり向上により競争力の強化が期待される。今後は本格生産を進め、さまざまな機器の省エネ、小型化に貢献する。8インチSiC技術を基盤とした、さらなる低コスト化と電力損失低減にむけた研究開発も継続する」としている。

研究開発のスケジュールと技術的優位性について［クリックで拡大］出所：NEDO（2025年10月時点の資料）