SiCデバイスの潜在欠陥、ウエハーレベルで可視化へ：TEDとアイテスが協業

東京エレクトロン デバイス（TED）とアイテスは、SiCデバイスの潜在欠陥をウエハーレベルで可視化する検査ソリューション分野で協業する。UVレーザー技術を用いた新製品「SiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーターITS-SCX100」の開発などを行っていく。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

材料・プロセス評価の時間短縮や試作コストの削減を支援

　東京エレクトロン デバイス（TED）は2026年4月、炭化ケイ素（SiC）デバイスの潜在欠陥をウエハーレベルで可視化する検査ソリューション分野で、アイテスとの協業を発表した。UVレーザー技術を用いた新製品「SiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーターITS-SCX100」の開発などを行っていく。

　SiCデバイスは、自動車や産業機器、再生可能エネルギーなどの分野で採用が進む。こうした中で、SiC特有の結晶欠陥（BPD）に起因する通電劣化が信頼性という点で課題となっている。ところが、従来の検査手法だと、潜在欠陥を検出するのが難しく、問題を解決するには数カ月単位の時間を要していたという。

　そこで両社は、UVレーザー照射により通電劣化を再現し、SiCウエハー内の潜在BPDを拡張、可視化するSiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーターITS-SCX100を開発する。2026年9月にも受注を始める予定だ。

　これにより、欠陥分布をウエハー全面で把握できる。材料ロットやプロセス条件による欠陥分布の違いも、ウエハーレベルで検証することが可能となる。これらの結果に基づき、材料の選定やプロセス条件を最適化すれば、開発サイクルの短縮や試作コストの削減につながるという。

　さらに両社は、材料メーカーやデバイスメーカーに向けた評価サービスおよびソリューション提供、潜在欠陥データと電気特性／信頼性試験結果を組み合わせた評価や解析支援なども行っていく予定である。