GaNパワー半導体も利用が進んでいる。GaNはSiと比べてバンドギャップが約3倍、絶縁破壊電界強度が約10倍だ。電子移動度もSiを上回る。このことから、通信インフラ、PCやスマホ向けの急速充電器などの高周波動作や小型化が重要なアプリケーションに強みを持つ。
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