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次世代パワー半導体 「期待の5材料」の現在地EE Exclusive(2/3 ページ)

» 2026年04月30日 12時00分 公開
[浅井涼EE Times Japan]

高周波用途で普及が進むGaN

 GaNパワー半導体も利用が進んでいる。GaNはSiと比べてバンドギャップが約3倍、絶縁破壊電界強度が約10倍だ。電子移動度もSiを上回る。このことから、通信インフラ、PCやスマホ向けの急速充電器などの高周波動作や小型化が重要なアプリケーションに強みを持つ。

「設計が難しい」 開発者の課題に応える各社

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