次世代パワー半導体　「期待の5材料」の現在地：EE Exclusive（3/3 ページ）

» 2026年04月30日 12時00分公開

[浅井涼，EE Times Japan]

「究極」のパワー半導体材料　ダイヤモンド

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SiCの20年　ウエハーは「中国が世界一」に、日本の強みは何か
次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学工学研究科教授木本恒暢氏に聞いた。
onsemiが縦型GaNパワー半導体開発、700Vと1200V品をサンプル提供
onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。
「動く」ダイヤモンドMOSFETを展示、2030年代実用化へ連携模索
Power Diamond Systems（PDS）は「SEMICON Japan 2025」で、ダイヤモンドMOSFETが動作している様子を展示した。2026年以降は、EVや基地局など具体的なアプリケーションを手掛ける企業と連携を進め、2030年代の実用化を目指すとする。
三拍子そろった好材料　次なるパワー半導体「二酸化ゲルマニウム」の可能性
SiCやGaNのさらに次の世代のパワー半導体材料として期待される二酸化ゲルマニウム。その社会実装を目指す立命館大学発のスタートアップ、Patentixで社長兼CEOを務める衣斐豊祐氏と、Co-CTO（共同最高技術責任者）を務める金子健太郎氏に話を聞いた。
酸化ガリウムデバイス向け4インチウエハー量産へ
FLOSFIAは、酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイスの量産化に向けて、4インチウエハーの製造技術に関する実証を完了するとともに、試作したショットキーバリアダイオード（SBD）を用い、製品の信頼性についても改善されていることを確認した。