onsemiのGaNが本格始動 まずはGFやInnoscience活用の製品投入：PCIM Expo & Conference 2026

onsemiは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、新たな窒化ガリウム（GaN）パワー半導体ポートフォリオ「GaNEXUS」を初公開した。AIデータセンターやロボティクスなどの市場向けに展開する。縦型GaNの開発も進めているが、まずは外部ファウンドリー活用による製品によって市場参入を進める。

[永山準，EE Times Japan]

　onsemiは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、新たな窒化ガリウム（GaN）パワー半導体ポートフォリオ「GaNEXUS」を初公開した。AIデータセンターやロボティクスなどの市場向けに展開するものだ。

展示していたデモボード［クリックで拡大］

40〜1200V以上まで、GaN展開で攻めるonsemi

　onsemiは2025年10月に700Vおよび1200V対応の縦型GaNパワーデバイスを発表。さらにその後、2025年12月には中国Innoscienceと40〜200V領域、GlobalFoundries（GF）と650V GaNパワーデバイスについて、開発／製造に関する協業を相次いで発表し、GaN市場での本格展開に向けた体制を整えてきた。

　そして2026年6月9日に発表したのがGaNパワーポートフォリオ「GaNEXUS」だ。GaNEXUSは、上述のGFおよびInnoscienceで製造しているという。説明担当者は「われわれはこれらの製品においてまずはファウンドリーを活用する。現時点で公表しているのはGFとInnoscienceだが、この2社以外についても検討はしている」などと説明していた。

　GaNEXUSではまず、40〜200V対応の低／中耐圧GaNEXUS FET、650V対応の高耐圧GaNEXUS FETおよび保護機能やセンシング機能を統合した「650V GaNEXUS Smart」を展開する。高速スイッチングや低スイッチング損失、高電力密度、優れた熱特性を特徴とし、AIサーバ向けの中間バスコンバーター（IBC）やPOL、モータードライブ、高周波絶縁DC-DCコンバーターなどを主なターゲットとしている。米国国内においてはいずれも既にサンプル提供中だ（日本国内での提供時期は未定）

　onsemiによるとAIサーバ向け48VIBCやバッテリーバックアップユニット（BBU）、モータードライブなどの低／中電圧システムでは、磁気部品を約30〜60％小型化できるほか、電力密度を約1.5〜2倍に向上できるという。また、トポロジーによっては0.5〜2％の効率改善も可能としている。さらに高電圧DC-DCコンバーターや力率改善（PFC）、LLC電源段などの高電圧アプリケーションにおいても、磁気部品サイズを最大60％低減可能な他、1.5〜2倍の電力密度向上や0.5〜1％の効率改善などが実現できるという。

AIサーバ／データセンターやロボティクス向けに

　PCIMの会場ではGaNEXUSを用いた複数のデモボードを展示していた。AIサーバ向けでは48Vから12Vへ変換する1.5kW マルチフェーズIBCに加え、700〜900V入力、デュアル50V出力に対応する12kW 高電圧IBCを公開。後者はスタックドLLCトポロジーを採用し、効率98％（ピーク98.8％）、電力密度990W/in³を実現するという。AIデータセンター向けの高電圧電源アーキテクチャを想定していて「AIインフラ向け高出力／高周波IBCアーキテクチャにおけるGaNの優位性を示すものだ」などと説明している。

48Vから12Vへ変換する1.5kW マルチフェーズIBCのデモボード［クリックで拡大］

12kW 高電圧IBC［クリックで拡大］

　また、ロボティクス向けにも1kW級モータードライブを展示。ヒューマノイドロボットやドローン向けを想定したもので、GaN活用によって電源回路やモーター駆動回路の小型化、軽量化を図れるとし、電力変換だけでなくセンシングや保護、通信機能まで統合したプラットフォームとして提案していた。

ロボティクス向けの1kW級モータードライブ［クリックで拡大］

　GaNEXUSは、TOLLやTOLTおよび3.3mm×3.3mmと5mm×6mmのデュアルクーリングパッケージなど、デュアルソース対応の業界標準フットプリントを採用したパッケージを採用。なおGaNEXUSではさらに、モノリシック双方向スイッチやゲートドライバー統合品、制御回路統合品なども開発中だという。

縦型GaNの開発も進む、現状は

　上述の通り、onsemiは700Vおよび1200V以上の領域については、GaN on GaN技術を用いた縦型GaNを展開する方針だ。onsemiは、2023年末に操業を停止した縦型GaN開発のNexGen Power Systems（以下、NexGen）の半導体工場（米国ニューヨーク州シラキュース）およびIP（Intellectual Property）を取得。同技術をベースに2027年の量産開始を目指している。

　説明担当者は「われわれは縦型GaNプロセスの改良に取り組む大規模なチームを擁している。NexGenの技術を出発点としてプロセス改良を進めていて、量産化と認証取得に向けた段階にある」と説明した。

　onsemiは縦型GaNに最適なパッケージや専用ドライバーも開発中で、将来的にはドライバーとGaNデバイスを統合した製品も視野に入れているという。