第5世代と第6世代の携帯電話システム：福田昭のデバイス通信（530） 2026年度版実装技術ロードマップ（13）（2/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

第6世代（6G）が目指す通信サービスの将来像

　第6世代（6G）のサービス開始は2030年が目標とされる。ITU-R（国際電気通信連合 無線通信部門）ではIMT-2030の利用目的として、没入型コミュニケーション（遠隔地の通信相手と自分が仮想空間などで「一緒にいる」感覚を共有）、人工知能（AI）と通信（AIによって人間同士や人間とエージェントの情報伝達や関係構築などを効率化）、超高信頼・低遅延通信（信頼度を5Gと比べて1桁上昇させた、99.99999％（セブンナイン）を目標）、ユビキタスコネクティビティ（いつでも、どこでも、デバイス制限なしにネットワークにシームレスに接続）、大規模通信（アンテナアレイとビームフォーミングによる大容量通信と同時多接続）、統合センシングと通信（基地局からの電波で周囲の物体検知や位置測定などを同時に実施）を挙げている。

6G（第6世代移動体通信システム）の概要と特徴［クリックで拡大］ 出所：JEITA Jisso技術ロードマップ専門委員会

移動体通信端末の実装技術

　実装技術ロードマップでは、民生用スマートフォンのフロントエンドモジュール（FEM：Front End Module）を例に第4世代（4G）と第5世代サブシックス（5G Sub6）、第5世代ミリ波（5Gミリ波、24.5GHz帯）（および第6世代ミリ波（6Gミリ波））、第6世代（6G）の実装技術を比較した。

　4GのFEMはガラスエポキシ基板といった有機樹脂基板の片面にRFチップ（RF IC）と受動部品を搭載し、カバーを取り付ける。5G Sub6のFEMはガラスエポキシ基板の両面にRFチップと受動部品を載せ、全体をカバーで覆う。

6G時代のスマートフォンにおけるフロントエンドモジュール（FEM）の構造［クリックで拡大］ 出所：JEITA Jisso技術ロードマップ専門委員会

　5Gミリ波（24.5GHz帯）のFEMは低損失（誘電正接0.005以下）・低誘電率（比誘電率3.0以下）の絶縁材料を利用したビルドアップ基板の両面にRFチップやフィルタなどを搭載する。なおRFチップと関連ICチップの基板との接続手法はワイヤボンディングではなく、フリップチップとなる。

　6GのFEMでは、絶縁材料により低い損失かつ、より低い誘電率が求められる。メインボードのSoC（System on a Chip）とFEMの信号接続には、光トランシーバを介した光ファイバ接続が使われる。

（次回に続く）

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