「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

FAニュース：
耐熱200℃のナノソルダー接合材料を開発、パワーデバイス組立に展開へ
パナソニックは2022年6月21日、低温かつ短時間プロセスで接合できる耐熱200℃のナノソルダー接合材料を開発したと発表した。低融点金属粒子と高融点金属粒子を組み合わせた固液反応を用いることで、200℃、10分の低温かつ短時間プロセスでの接合と200℃耐熱の両立を達成した。（2022/6/22）

パワー半導体の組み立てに適用：
ナノソルダー接合材料、低温接合で耐熱200℃を両立
パナソニック ホールディングスは、東北大学や大阪教育大学、秋田大学、芝浦工業大学と共同で、低温かつ短時間での接合と、耐熱200℃を両立させた「ナノソルダー接合材料」を開発した。（2022/6/22）

2025年度にシェア30％を目指す：
ローム筑後工場のSiC製造、2024年をメドに8インチに
ロームは2022年6月8日、ローム・アポロ筑後工場（福岡県筑後市）に完成したSiCパワーデバイスの新製造棟（以下、SiC新棟）の開所式に併せて、SiCパワーデバイスの事業戦略を紹介した。（2022/6/13）

量産開始は2022年12月：
「どんな時も生産を維持」、ロームが筑後工場SiC新棟を公開
ロームは2022年6月8日、SiCパワーデバイスの製造拠点となるローム・アポロ筑後工場（福岡県筑後市）に完成した新棟（以下、SiC新棟）の開所式を開催した。（2022/6/9）

PCIM Europe 2022：
第3世代SiC-MOSFET搭載車載モジュールなど、富士電機
富士電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展、産業、自動車分野向けの第7世代IGBTおよびSiC（炭化ケイ素）搭載パワーモジュールなどを展示した。（2022/5/27）

富士経済が世界市場を調査：
パワー半導体市場、2030年に5兆3587億円規模へ
富士経済は、パワー半導体の世界市場を調査した。電動車や再生可能エネルギーの普及などによって、需要拡大が期待されるパワー半導体市場は、2022年見込みの2兆3386億円に対し、2030年は5兆3587億円規模に拡大すると予測した。（2022/5/25）

富士キメラ総研が世界市場を調査：
車載ECU市場、2035年に21兆198億円規模へ
2035年には車載ECU市場が21兆198億円になり、ECU構成デバイス市場は24兆7334億円の規模になる。富士キメラ総研が、車載ECUと関連デバイスの世界市場について調査した。（2022/5/24）

車載向け耐圧1200Vデバイスも：
2022年内にGaN-on-GaNデバイスを市場投入、NexGen
米NexGen Power Systems（以下、NexGen）は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展し、GaN（窒化ガリウム）基板上にGaN層を形成する縦型GaNデバイス「Vertical GaN」などを紹介した。同社製品は2022年第4四半期にノートPCのAC-DCアダプター用途で出荷される予定だ。また、今後、数四半期以内に車載DC-DCコンバーターやオンボードチャージャー向けに耐圧1200Vのデバイスも出荷を開始する予定だという。（2022/5/24）

Qorvo／UnitedSiCの第4世代品：
耐圧1200VのSiC FET、低いオン抵抗×面積を実現
SiCパワーデバイスを手掛けるUnitedSiC（現Qorvo）は2022年5月20日、同社の「第4世代（Gen4）SiC FET」となる耐圧1200VのSiC FETを発表した。なお、UnitedSiCは2021年11月にQorvoが買収し、現在はQorvoのパワーデバイスソリューションズ部門として事業を行っている。（2022/5/23）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
ルネサス甲府の再稼働が決定、追い上げる日本のパワー半導体
ルネサス エレクトロニクスが甲府工場を再稼働させると発表しました。決断に至った背景には、経産省（国）の存在があるようです。（2022/5/23）

Apex Microtechnology：
ゲートドライバーを統合したSiCモジュール
Apex Microtechnologyは、SiC MOSFETを用いて性能と電力密度を向上させたデバイスファミリーを立ち上げた。同社は米国アリゾナ州に本社を構え、産業機器や計測／テスト、医療、航空宇宙／防衛、半導体製造装置といった幅広い分野向けに、アナログ／パワー製品を提供している。（2022/5/23）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
ドイツから〜コロナ規制から解き放たれたリアル展示会の姿
3年ぶりのリアル開催となったPCIM Europe 2022に行ってきました。（2022/5/20）

PCIM 2022、Wolfspeed：
高温動作を実現、新世代SiC MOSFETダイとパッケージング技術
Wolfspeed（旧Cree）は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展し、同社が開発する新世代（Gen 3＋）車載用SiC（炭化ケイ素）MOSFETのダイおよび先端パッケージング技術と組み合わせたソリューションなどを紹介した。（2022/5/20）

SiCはエンドツーエンドの提供を強調：
TOLL採用650V耐圧SiC MOSFETなど新製品展示、onsemi
onsemiは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展し、TO-Leadless（TOLL）パッケージを採用した耐圧650VのSiC（炭化ケイ素）MOSFET「NTBL045N065SC1」などを展示した。（2022/5/18）

福山工場の300mmウエハーも初公開：
脱炭素追い風にSiCなどの開発を加速、三菱電機
三菱電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」（2022年5月10〜12日、ドイツ）に出展し、IGBTおよびSiC（炭化ケイ素）のパワーモジュール製品群などを展示した。（2022/5/17）

PCIM2022：
2kV耐圧のSiC MOSFETとダイオードを発表、Infineon
Infineon Technologiesは2022年5月10日（ドイツ時間）、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」において2kV耐圧のSiC MOSFETおよびダイオードを発表した。需要が高まる1500VDCのアプリケーション向けで、「出力密度向上とシステムコスト低減を実現し、次世代の太陽光発電、電気自動車（EV）チャージャー、エネルギー貯蔵システムの基盤を提供する」としている。（2022/5/16）

従来製品に比べ体積を60％削減：
オンセミ、TOLL採用の650V耐圧SiC MOSFETを発表
オンセミ（onsemi）は、TO-Leadless（TOLL）パッケージを採用した耐圧650VのSiC（炭化ケイ素）MOSFET「NTBL045N065SC1」を発表した。従来製品に比べ小型で、より信頼性の高い電源設計が可能となる。（2022/5/13）

CO2を炭素源にしてSiCを合成：
東北大学、カーボンリサイクル技術の事業化を検証
東北大学は、産業廃棄物（シリコンスラッジ）とCO2（二酸化炭素）を反応させて、SiC（炭化ケイ素）を合成する技術を開発し、カーボンリサイクル技術として事業化に向けた検証を行っていく。（2022/5/13）

三社電機製作所 FMG50AQ120N6：
1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品
三社電機製作所は、電流容量50Aの1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品「FMG50AQ120N6」を発表した。独自の低損失内部配線と4ピン構造のTO-247パッケージにより、高速スイッチングと低損失を両立している。（2022/4/28）

組み込み開発ニュース：
電力損失がSiの20分の1、NTTが次々世代パワー半導体AlNのトランジスタ動作に成功
日本電信電話（NTT）は、SiC（炭化シリコン）やGaN（窒化ガリウム）を上回る次々世代パワー半導体材料として期待されるAlN（窒化アルミニウム）を用いたトランジスタ動作に成功したと発表した。AlNのトランジスタ動作に成功したのは「世界初」（NTT）だという。（2022/4/25）

熱性能の改善なども：
EV急速充電器など向けの1200V耐圧SiC MOSFET、Infineon
Infineon Technologiesは2022年4月13日（ドイツ時間）、高い信頼性を損なうことなくスイッチング動作条件を拡張するなどした新しい1200V耐圧SiC（炭化ケイ素）MOSFET「CoolSiC MOSFET 1200 V M1H」シリーズを発表した。電気自動車（EV）急速充電器や太陽光発電システムなど幅広い産業用アプリケーションでの採用を狙う。同月20日、同社日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンが同製品についての説明を行った。（2022/4/22）

GaN／SiC半導体を高精度で評価：
テレダイン・レクロイ、1GHzプローブなどを発売
テレダイン・レクロイは、帯域幅が1GHzの高電圧光アイソレーションプローブ「DL-ISO」と「パワーデバイステスト用ソフトウェア」を発売する。これらを12ビット分解能オシロスコープと組み合わせることで、GaN（窒化ガリウム）／SiC（炭化ケイ素）半導体の特性を、高い精度で評価することが可能となる。（2022/4/20）

電動化：
「bZ4X」の車載充電器は回路シングル化で小型軽量に、DC-DCコンバーターと一体化
豊田自動織機が車載充電器とDC-DCコンバーターを一体化した小型軽量ユニットを開発。車載充電器の小型化を果たすとともにDC-DCコンバーターと一体化することにより、従来と比べて体積で23％、重量で17％の小型軽量化に成功した。新型EVであるトヨタ自動車の「bZ4X」に採用されている。（2022/4/14）

新たな結晶育成技術と装置を開発：
貴金属るつぼを使わず、酸化ガリウム単結晶を作製
東北大学発ベンチャーのC＆Aと東北大学金属材料研究所は、「貴金属るつぼ」を用いない新たな結晶育成手法により、最大約5cm径の酸化ガリウム単結晶を作製することに成功した。製造コストを抑えつつ高品質の結晶育成が可能となる。（2022/4/7）

米EE Timesが創刊50周年：
半導体業界の「次の50年」に向けて――鍵はグリーン
米国EE Timesは2022年に、50周年を迎える。当社が創刊号を発行したのは、Intelが1971年11月に、近代のコンピュータ時代の先駆けとなるマイクロプロセッサを初めて発表してから、わずか数カ月後のことだった。（2022/3/31）

SiCエピウエハーの安定供給へ：
昭和電工、6インチSiCウエハーの量産を開始
昭和電工は、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体に向けた6インチ（150mm）SiC単結晶基板（SiCウエハー）の量産を始めた。引き続きパートナー各社よりSiCウエハーの調達も行いながら、安定供給に向けて自社生産にも乗り出す。（2022/3/30）

GaNパワー半導体入門（1）：
GaNパワートランジスタとは
省エネ化／低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第1回である今回は、GaNパワートランジスタの構造や特長、ターゲットアプリケーションなどについて説明する。（2022/3/30）

SiC採用のための電源回路シミュレーション（3）：
SiCパワーMOSFETを採用した電源回路、配線レイアウトの考慮が高精度解析に不可欠
SiCパワーMOSFETを採用した電源回路の回路シミュレーションを実行する際は、設計したプリント基板の配線レイアウトを解析し、その寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスを分布定数として高精度で抽出する必要がある。（2022/3/24）

炭化ケイ素層を用い膜剥がれ防ぐ：
ダイヤモンドと接合したGaNで、トランジスタ作製
大阪市立大学と東北大学、エア・ウォーターらの研究グループは、ダイヤモンドに直接接合した窒化ガリウム（GaN）を約800℃で熱処理し、GaNトランジスタを作製することに成功した。（2022/3/23）

急速充電とEVの低コスト化に向け：
800V対応SiCインバーター、McLarenが2024年に商用化
英国のMcLaren Applied（以下、McLaren）は、急速充電と高効率、長距離走行を実現する800V対応のSiC（炭化ケイ素）インバーター「Inverter Platform Generation 5（IPG5）」の本格的な生産に向けて準備を進めている。（2022/3/15）

ザ・パークハウスアーバンス早稲田：
動くパネルで“自在に区切れるマンション”　三菱地所が発表
三菱地所レジデンス（東京都千代田区）が、都市型コンパクトマンション「ザ・パークハウスアーバンス早稲田」を始動すると発表した。（2022/3/14）

SiCやGaNにも応用可能：
ブリッジレス方式トーテムポール力率補正コントローラーで、高いAC-DC電力変換効率を達成する手法
AC-DC変換を行う変換器は、エネルギー送電網に設置されている最も一般的な負荷の一つになっています。本稿では、ブリッジレス方式トーテムポール力率補正コントローラーで、高いAC-DC電力変換効率を達成する手法について解説します。（2022/3/9）

超伝導発現のメカニズムも解明：
グラフェン原子層にCa原子が入り込み超伝導が発現
東京工業大学は東京大学と共同で、SiC結晶基板の表面上に作製した単一原子層グラフェンの下に、Ca原子が入り込むことによって超伝導が発現することを発見、そのメカニズムも解明した。（2022/3/4）

6インチ枚葉式HVPE装置を開発：
大陽日酸、大口径ウエハー上に酸化ガリウムを成膜
大陽日酸は、東京農工大学やノベルクリスタルテクノロジーと共同で、ハライド気相成長（HVPE）法により、6インチウエハー（サファイア基板）上に酸化ガリウム薄膜を形成することに成功した。（2022/3/3）

ファブライト戦略を進める：
onsemiが米メイン州とベルギーの工場を売却
onsemiは2022年2月28日（米国時間）、米国メイン州サウスポートランドの製造施設売却に関する正式契約の調印と、ベルギー・アウデナールデの工場の売却を完了したと発表した。（2022/3/2）

半導体不足への対処：
Bosch、半導体生産拡大で2億5000万ユーロ追加投資
ドイツのRobert Bosch（以下、Bosch）は長期化する半導体不足に対処するために、2億5000万ユーロを追加投資して半導体製造能力を拡張する計画を発表した。Boschは以前にも、MEMSやその他のデバイスの需要の増加に合わせて、製造施設の拡張を目的とした投資を行い、現在工事を進めているが、今回の投資はそれに続くものとなる。（2022/3/2）

工場ニュース：
EV向けに開発と適用範囲を拡大、SiCパワー半導体増産に向け設備投資を決定
富士電機は、富士電機津軽セミコンダクタに、SiCパワー半導体増産のための設備投資をすると決定した。市場の拡大が見込まれる電気自動車向けにも開発、適用範囲を広げ、脱炭素社会の実現に貢献していく。（2022/3/2）

湯之上隆のナノフォーカス（47）：
界面の魅力と日本半導体産業の未来 〜学生諸君、設計者を目指せ！
今回は、「電子デバイス界面テクノロジー研究会」の歴史と、同研究会が行った、半導体を研究している学生48人へのアンケート結果を紹介する。アンケート結果は、非常に興味深いものとなった。（2022/2/24）

2000万ドルの資金調達：
ダイヤモンド材料のAkhan、半導体材料の開発加速へ
半導体業界向けダイヤモンド材料のメーカーである米新興企業Akhan Semiconductor（以下、Akhan）は、長期投資家を含む財務パートナーとの2000万米ドルの資金調達ラウンドを完了した。同社は、米国イリノイ州ガーニーにある「Diamond Mine 1」と呼ぶ施設を拡張し、商用製品の市場投入に向けて製造能力を強化する計画だという。（2022/2/22）

SiC採用のための電源回路シミュレーション（2）：
SiCパワーMOSFETのスイッチング特性、大電流／高電圧領域の測定で解析精度が向上
SiCパワーMOSFETのデバイスモデルの精度向上には、「大電流／高電圧領域のId-Vd特性」および「オン抵抗の温度依存性」を考慮しデバイスモデルに反映させることも重要となる。今回はこの2点に関する解説を行う。（2022/2/21）

稼働は2024年を予定：
Infineon、20億ユーロでSiC／GaN半導体新工場を建設
Infineon Technologiesは2022年2月17日（ドイツ時間）、20億ユーロ（約2600億円）以上を投じてマレーシアのクリムにある拠点にSiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）半導体のフロントエンドの新工場を建設する、と発表した。同社は、この新工場の稼働によって、「SiC、GaNベースの製品で新たに年間20億ユーロの売り上げ増が可能になる」としている。（2022/2/18）

太陽光：
太陽光の自家消費に最適なストリングス形パワコン、富士電機がJET認証を取得
富士電機は2022年2月、太陽光発電用ストリング形パワーコンディショナーの新製品「PIS-50/500-J」において、JET認証を取得したと発表した。マルチストリング対応の自家消費システム向け3相PCSだ。（2022/2/14）

製造マネジメントニュース：
東芝が描く2分割後の事業戦略、デバイス分野は5700億円の投資計画
東芝は2022年2月8日に開催した投資家向け説明会の中で、今後独立分社化を進める予定の、エネルギーやインフラ関連事業をまとめたインフラサービスカンパニーと、半導体やHDDなどデバイス系事業をまとめたデバイスカンパニーの事業戦略について発表した。（2022/2/10）

HDD、半導体製造装置の戦略も説明：
パワー半導体研究開発に1000億円、東芝の半導体戦略
東芝は2022年2月8日、会社分割後にできる2社の事業戦略に関する説明会を行った。デバイス＆ストレージ事業をスピンオフする「デバイスCo.」では、シリコンパワー半導体のラインアップ拡充やSiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）デバイス開発を加速し、パワー半導体の研究開発だけで5年間に1000億円を投入する計画などを明かした。（2022/2/9）

IGBTとSiCパワーMOSFET向け：
ガルバニック絶縁型ゲートドライバーICを発表
STマイクロエレクトロニクスは、デュアルチャネルのガルバニック絶縁型ゲートドライバーICとして2製品を発表した。IGBT向け「STGAP2HD」と、SiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET向け「STGAP2SICD」である。（2022/2/9）

新日本無線とリコー電子デバイスが経営統合：
PR：アナログソリューションプロバイダへ飛躍！　総合アナログ半導体メーカー「日清紡マイクロデバイス」が誕生
2022年1月1日、日清紡グループ傘下の新日本無線とリコー電子デバイスの両社が経営統合し、新たな国産アナログ半導体メーカー・日清紡マイクロデバイスが発足した。オペアンプなど信号処理用アナログICを得意にしてきた新日本無線と、電源ICを得意にしたリコー電子デバイスの統合により、あらゆるアナログ半導体を取りそろえる国内屈指の“総合アナログ半導体メーカー”が誕生した。日清紡マイクロデバイス初代社長に就任した田路悟氏に新会社の事業戦略について聞いた（2022年1月5日インタビュー）（2022/2/2）

規格やトポロジーをまとめる：
電気自動車の充電インフラ
電気自動車の充電インフラについて、規格や電力トポロジーをまとめる。さらに、SiCデバイスが鍵を握ることにも触れる。（2022/2/2）

EE Exclusive：
半導体業界 2022年の注目技術
本稿では、2022年に注目しておきたい半導体関連技術を取り上げる。（2022/1/31）

パワー半導体増産投資上積みへ：
富士電機、津軽工場でのSiCパワー半導体設備投資を決定
富士電機は2022年1月27日、パワー半導体の生産拠点である富士電機津軽セミコンダクタ（青森県五所川原市／以下、津軽工場）でSiC（炭化ケイ素）を使用したパワー半導体の増産に向けた設備投資を実施すると発表した。（2022/1/28）

耐圧1200V品と1700V品：
東芝、Dual SiC MOSFETモジュール2製品を発表
東芝デバイス＆ストレージは、産業用機器向けにSiC（炭化ケイ素）MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2製品を発表した。（2022/1/28）