「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

SiC採用のための電源回路シミュレーション（1）：
SiCパワーMOSFETのデバイスモデル、オン時の容量考慮で精度が大幅向上
スイッチング動作が極めて高速なSiCパワーMOSFETを用いた電源回路設計では、回路シミュレーションの必要性に迫られることになるが、従来のモデリング手法を用いたデバイスモデルでは精度面で課題があった。本連載では、この課題解決に向けた技術や手法について紹介する。（2022/1/24）

STマイクロ 第3世代SiCパワーMOSFET：
次世代EVや産業向け第3世代SiCパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載用および産業用途に適する。（2022/1/21）

プロジェクト：
在宅勤務対応の居室仕様を採用した第1号マンションが都内で竣工、東急リバブル
東急リバブルは、東京都荒川区東日暮里で2021年11月に竣工した新築分譲マンション「ルジェンテ日暮里ガーデン」のモデルルームを建物内に開設し、同年12月11日にオープンした。（2022/1/20）

組み込み開発ニュース：
スイッチング損失を約30％低減した1.7kVフルSiCモジュールを開発
日立パワーデバイスは、同社従来品比でスイッチング損失を約30％低減した1.7kVフルSiCモジュールを開発した。独自設計した温度依存性の低いゲート抵抗を採用し、オンオフ動作に伴うスイッチング損失を低減している。（2022/1/18）

STマイクロエレクトロニクス エグゼクティブ･バイスプレジデント 野口洋氏：
PR：サスティナブル社会実現に向け技術革新＆脱炭素を加速するSTマイクロエレクトロニクス
STマイクロエレクトロニクスは、豊富な半導体製品ラインアップを「オートモーティブ」「インダストリアル」「パーソナルエレクトロニクス」「コンピューター／通信機器」の注力4分野を中心に展開。2021年は各注力分野での力強い需要に支えられ、高水準の事業成長を果たした。2022年以降も、ニーズが高まるエッジAI関連製品やSiC／GaNパワーデバイスなどのラインアップをさらに充実させ成長を図るとともに、長年にわたって取り組むサスティナブル社会の実現に向けた施策を一層、加速させていくという。同社エグゼクティブ･バイスプレジデントで、中国を除くアジア・パシフィック地区のセールス & マーケティングを統括する野口洋氏に、これからの事業戦略について聞いた。（2022/1/21）

フェローテックホールディングス 社長兼グループCEO 賀賢漢氏：
PR：製造装置用部材／電子デバイスともに絶好調、積極投資で急成長を続けるフェローテック
真空シールなど半導体等装置関連事業と、サーモモジュールなど電子デバイス事業を中心に展開するフェローテックグループ。昨今の半導体需要の高まりを受け、両事業ともに好調で、中期経営計画で掲げた業績目標を上回るペースで事業規模を拡大させている。「今後も旺盛な需要は続く見通しであり、積極投資で需要に応えていく」とするフェローテックホールディングス代表取締役社長兼グループCEO（最高経営責任者）を務める賀賢漢氏に今後の事業戦略について聞いた。（2022/1/13）

Apex Microtechnology マーケティング HelenAnn Brown氏／事業開発 Jens Eltze氏：
PR：「ハイスピード・ハイパワーなアナログ」で際立つ存在感、高電圧／大電流アンプで日本市場に切り込むApex
アナログ半導体を手掛ける米Apex Microtechnologyは、ハイスピード・ハイパワーに特化しているという点で、他のアナログ半導体メーカーとは一線を画す存在だ。今後は、アナログ技術に対する高い専門知識と、主力製品であるハイスピード／高電圧／大電流出力のパワーオペアンプを武器に、日本市場でのビジネス拡大を狙う。戦略マーケティングマネジャーのHelenAnn Brown氏と事業開発ディレクターのJens Eltze氏に、同社の強みと日本でのビジネス拡大に対する意気込みを聞いた。（2022/1/13）

モノづくり最前線レポート：
独立分社する東芝デバイスカンパニーの成長をけん引するパワー半導体技術の実力
東芝デバイス＆ストレージがパワー半導体技術について説明。東芝から独立分社するデバイスカンパニーの成長をけん引することが期待されているパワー半導体事業だが、低耐圧と高耐圧のMOSFETで業界トップの性能を実現しており、次世代パワー半導体として期待されているSiCデバイスやGaNデバイスの開発にも注力している。（2022/1/11）

組み込み開発ニュース：
高耐圧酸化ガリウムSBDの開発に成功、トレンチ型でアンペア級・1200V耐圧を実現
NEDOとノベルクリスタルテクノロジーは、「世界初」となるアンペア級・1200V耐圧の「酸化ガリウムショットキーバリアダイオード（SBD）」を開発したと発表した。今後は製造プロセスの確立と信頼性評価を進めて、2023年の製品化を目指す。（2021/12/27）

FA 年間ランキング2021：
半導体不足に右往左往させられた製造現場、スマート工場化の“隙間”にも注目
2021年に公開したMONOist FAフォーラムの記事をランキング形式で振り返ります。公開記事の1年間分のデータを集計した上位記事とそこから見えるFA業界の状況について解説。2021年のランキングは、現在も多くの企業が頭を悩ませている半導体不足に関する記事が上位に食い込んできたことが特徴となりました。（2021/12/22）

独自のゲート抵抗の採用で：
スイッチング損失を従来比で30％低減したSiCモジュール
日立パワーデバイスは2021年12月21日、鉄道車両や再生可能エネルギー発電システム向けに、耐圧1.7kVのフルSiCモジュールを開発したと発表した。同社の従来品に比べて、スイッチング損失を約30％低減したことが特長となる。（2021/12/21）

産総研が作製、動作実証にも成功：
ハイブリッド型トランジスタ、GaNとSiCを一体化
産業技術総合研究所（産総研）は、GaNを用いたトランジスタとSiCを用いたPNダイオードをモノリシックに集積したハイブリッド型トランジスタを作製し、動作実証に成功したと発表した。GaNとSiCの特長である、低オン抵抗と非破壊降伏の両立を可能とした。（2021/12/14）

EV駆動システムに採用：
Wolfspeed、SiC技術開発でGMとサプライヤー契約を締結
Wolfspeedは、GM（General Motors）の電気自動車（EV）向けSiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの開発および提供に向けて同社と戦略的サプライヤー契約を締結した。（2021/12/2）

多様化戦略を展開へ：
QorvoがUnitedSiCを買収、SiC開発競争の最中に
Qorvoが、米国ニュージャージー州プリンストンに拠点を置くSiC（United Silicon Carbide）パワー半導体メーカーUnitedSiCを買収した。QorvoはこのUnitedSiC買収により、現在急速な成長を遂げている、電気自動車（EV）や産業用電力制御、再生可能エネルギー、データセンター用パワーシステムなどの市場へと対応範囲を拡大していくことになる。（2021/11/29）

Nexperia PSC1065H（-J/-K/-L）：
産業向け650V SiCショットキーダイオード
Nexperiaは、産業用電力変換アプリケーション向けSiCショットキーダイオード「PSC1065H（-J/-K/-L）」を発表した。エネルギー損失を抑え、ピーク繰り返し逆電圧（VRRM）は650V、連続順方向電圧（IF）は10Aだ。（2021/11/25）

アプライド マテリアルズ ブログ：
第4のコンピューティング時代に求められるのは先端ロジック・メモリチップだけではない
米国の大手半導体製造装置メーカーであるアプライド マテリアルズ（Applied Materials）のブログの抄訳を紹介する本連載。今回は、同社のMaster Classイベントで発表されたヘテロジニアスデザインと先進のパッケージング技術についてさらに掘り下げる。（2021/11/19）

2023年度下期までを目標に：
東芝が3社に分割へ、デバイスとインフラサービスを分離
東芝は2021年11月12日、東芝本体からデバイスとインフラサービスの両事業をそれぞれ分離し、計3つの独立会社に分割する方針を発表した。東芝本体は東芝テックとキオクシアホールディングスの株式を管理する会社となるが、キオクシアの株式については、約40％保有する全株を売却する予定だ。同社は2023年度下期までに2つの新会社の独立および上場完了を目標としている。（2021/11/15）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
パワー半導体の市場拡大に向け、投資を積極化する国内企業
盛り上がっています。（2021/11/15）

製造マネジメントニュース：
東芝がインフラサービスとデバイスを独立分社「解体ではなく未来に向けた進化」
東芝が、インフラサービスとデバイスの事業を分離独立し、3つの独立会社に分割する方針を説明。東芝本体には東芝テックとキオクシアを残し、エネルギーシステムやインフラシステムなどをインフラサービスカンパニーに、半導体とHDDなどのデバイス系の事業をデバイスカンパニーに移管。2023年度下期を目標に2社の分離独立と上場を完了させる。（2021/11/15）

3Dプリンタニュース：
FDM方式3Dプリンタの最新モデルを発表、カーボンファイバー材料にも対応
日本3Dプリンターは、FDM方式3Dプリンタ「Raise3D」シリーズの最新モデル3種を発表した。前モデルより機能が向上した「Raise3D Pro3」「Raise3D Pro3 Plus」、強化繊維樹脂向けのエントリーモデル「Raise3D E2CF」を提供する。（2021/11/15）

インラインで全数自動検査を可能に：
「世界最速」のCT型X線基板検査装置、オムロン
オムロンは2021年11月10日、従来機から検査速度を1.5倍高速化し、「世界最速」（同社）で電子基板を3D検査可能なCT型X線自動検査装置「VT-X750-V3」を開発し、2021年11月20日からグローバルで発売すると発表した。（2021/11/11）

組み込み開発ニュース：
自動車と民生に注力する三菱電機のパワーデバイス事業、12インチ化も着々
三菱電機が2021〜2025年度の中期経営計画で重点成長事業の一つに位置付けたパワーデバイス事業の戦略を説明。産業、再エネ、電鉄などの分野をベースロードとしながら、今後は自動車と民生の分野に注力し、2020年度の売上高1480億円、営業利益率0.5％から、2025年度に売上高2400億円以上、営業利益率10％以上に引き上げる方針だ。（2021/11/11）

名刺サイズの超小型PC「ラズパイ」で遊ぶ（番外編）：
マルチスレッド性能5倍をうたう新「Raspberry Pi Zero 2 W」　その性能をいち早くチェック
ベンチマークテストを通じて新製品「Raspberry Pi Zero 2 W」の実力をチェック！（2021/11/10）

生産能力2倍へ、12インチ工場は24年度に稼働：
パワー半導体に5年で1300億円投資、三菱電機
三菱電機は2021年11月9日、パワーデバイス事業の事業説明会を開催し、2025年度までの今後5年間でパワー半導体事業に1300億円を投資することを明らかにした。福山工場（広島県福山市）への12インチ（300mm）ウエハーライン新設などを予定しており、2025年度までに2020年度比で生産能力を2倍にする方針だ。（2021/11/10）

電動システム：
三菱電機が2025年に電動化とADASの売上高2.5倍に、水平展開でシェア伸ばす
三菱電機は2021年11月9日、自動車分野の重点事業と位置付ける電動化とADAS（先進運転支援システム）の取り組みについて発表した。（2021/11/10）

EV向けの開発、生産が拡大：
電気自動車への移行を後押しするSiC技術
Wolfspeed（旧Cree）は2021年10月、同社の社名変更と同時に、大規模なデザインウィンを獲得したことを発表した。同社は、電気自動車（EV）向けSiC（炭化ケイ素）半導体の開発および生産に関して、GM（General Motors）とサプライチェーン契約を結んだ。2021年8月には、STMicroelectronics（ST）との複数年契約を拡大し、150mmのベアおよびエピタキシャルSiCウエハーの供給に関する8億米ドルの契約を結んでいる。（2021/11/11）

オンラインで電気と熱を連成解析：
「ROHM Solution Simulator」に熱解析機能を追加
ロームは、パワー半導体と駆動用ICなどを一括して動作検証できる無償のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」に、熱解析機能を追加し、同社公式Webサイト上で公開した。（2021/11/8）

次世代パワー半導体を担う：
自動車や航空宇宙でも活路を見いだすGaN技術
オランダの半導体メーカーNexperiaが最近主催したイベントの複数の参加者によると、自動車、民生、航空宇宙用途では、電力転換などのアプリケーションにGaN（窒化ガリウム）技術の利点を活用しつつある。（2021/11/5）

新京成「80000形」の新造車を導入　安全・快適・省エネを追求
新京成電鉄は11月2日、「80000形」の新造車両1編成を導入し、新京成線の松戸駅〜京成津田沼駅間で営業運転を開始した。（2021/11/2）

基板厚みを1/3とし定常損失削減：
富士電機、第2世代SiC-SBDシリーズを発売
富士電機は、データセンターや通信基地局用電源装置に向けた「SiC-SBD（炭化ケイ素−ショットキーバリアダイオード）シリーズ」を発売した。第2世代と呼ぶ新製品は、第1世代品に比べ通電時の電力損失（定常損失）を16％も削減している。（2021/10/29）

アナログとデジタル回路を混載：
東芝、次世代パワー半導体向けドライバーICを開発
東芝は、次世代パワー半導体向けのゲートドライバーICを開発した。アナログとデジタル回路を1チップに集積しており、パワー半導体で発生するノイズを最大51％も低減することができるという。2025年の実用化を目指す。（2021/10/29）

界面の欠陥低減と平たん性向上で：
SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能
京都大学 大学院 工学研究科の木本恒暢教授、立木馨大博士後期課程学生らのグループは2021年10月27日、SiC半導体の課題である界面の欠陥を大幅に削減し、SiC-MOSFETの性能を6〜80倍に向上することに成功したと発表した。（2021/10/27）

分散型電源アーキテクチャの構成が容易に：
PR：EV用インバーターの小型化を一気に加速、トランス内蔵のDC/DCバイアス電源モジュール
電気自動車（EV）の電源アーキテクチャでは、小型化や信頼性向上のために、各ゲートドライバに個別のバイアス電源を割り当てる分散型電源アーキテクチャへの関心が高まっている。Texas Instruments（TI）の絶縁型DC/DCバイアス電源モジュール「UCC14240-Q1」は、トランスと閉ループ制御を統合することで小型化を実現し、分散型電源アーキテクチャに活用しやすくなっている。（2021/10/26）

onsemi CEO Hassane El-Khoury氏：
ファブライト化を強調、300mm工場への移行を急ぐ
onsemi（オンセミ）の社長兼CEOであるHassane El-Khoury（ハッサーン・エルコーリー）氏は2021年9月、日本のメディアとの合同インタビューをオンラインで行った。（2021/10/19）

アプライド マテリアルズ ブログ：
半導体イノベーションを支えるのは先端技術だけではない
米国の大手半導体製造装置メーカーであるアプライド マテリアルズ（Applied Materials）のブログの抄訳を紹介する本連載。今回は、同社のMaster Classイベントの開催と絡めて、ICAPS（IoT、通信、自動車、パワー、センサー）分野の動向について紹介する。（2021/10/15）

xEV、ADAS、ゲートウェイの3本柱：
第4世代R-Car SoCも発表、ルネサスが語る車載戦略
ルネサス エレクトロニクスは2021年10月6日、オンラインで記者説明会を実施。同社オートモーティブソリューション事業本部の事業本部長、片岡健氏が車載事業戦略について語った。（2021/10/14）

日本TI UCC14240-Q1：
EV向け1.5W絶縁型DC-DCバイアス電源モジュール
日本テキサス・インスツルメンツは、独自のトランスを内蔵した1.5W絶縁型DC-DCバイアス電源モジュール「UCC14240-Q1」を発表した。高い電力密度と小型軽量化により、電気自動車の走行距離が延長できる。（2021/10/13）

GaN Systemsとの契約締結で：
BMW、GaNパワー半導体の供給確保へ
GaN Systemsは、BMWとGaN（窒化ガリウム）トランジスタのキャパシティー（生産能力）を確保する契約を締結したことを発表した。供給が保証されることで、BMWはサプライチェーンの信頼性を確保することができる。GaN SystemsのCEO（最高経営責任者）を務めるJim Witham氏はインタビューの中で、「GaN Systemsは連続生産によって複数のアプリケーションに対応したキャパシティーを提供する」と述べている。（2021/9/30）

SiCパワー半導体などの熱を除去：
ロータス金属を用いた高効率の沸騰冷却器を開発
科学技術振興機構（JST）は、ロータス金属を用いた高効率の沸騰冷却器を、ロータス・サーマル・ソリューションが開発したと発表した。この技術を用いるとSiC（炭化ケイ素）パワー半導体や高性能CPUを効率よく冷却することが可能になる。（2021/9/27）

アプライド マテリアルズ ブログ：
シリコンカーバイド（SiC）が電気自動車の普及に拍車
米国の大手半導体製造装置メーカーであるアプライド マテリアルズ（Applied Materials）のブログの抄訳を紹介する本連載。今回のテーマは電気自動車への搭載が進むSiCデバイスだ。（2021/9/24）

UnitedSiCが9製品を新たに追加：
オン抵抗6mΩ品など耐圧750VのSiC FETを発表
米国UnitedSiCは、耐圧750Vでオン抵抗が6mΩと小さいSiC（炭化ケイ素）FETを発表した。競合するSiC MOSFET製品に比べオン抵抗は半分以下で、短絡保証時間定格は5マイクロ秒を実現している。（2021/9/15）

LCDドライバパッケージング専門：
UMC、台湾Chipbondの株式を9%取得
台湾のUnited Microelectronics Corporation（以下、UMC）は、LCDドライバのパッケージングを専門に手掛けるChipbond Technology（以下、Chipbond）と株式の交換（スワップ）を行った。それにより、UMCはChipbondの株式の9％を保有することになった。（2021/9/16）

技術的な協力関係をさらに強化：
昭和電工、ロームとSiCエピウエハーの長期供給契約
昭和電工は2021年9月13日、ロームとパワー半導体向けSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーに関する複数年にわたる長期供給契約を締結したと発表した。（2021/9/14）

FAニュース：
昭和電工がSiCエピウエハーをロームに供給、インフィニオンに続いて
昭和電工は、ロームとの間で、パワー半導体向けのSiC（シリコンカーバイド）エピタキシャルウエハー（以下、SiCエピウエハー）に関する複数年にわたる長期供給契約を締結したと発表した。（2021/9/14）

Littelfuseジャパン LSIC2SD170Bxxシリーズ：
1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード
Littelfuseジャパンは、1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード「LSIC2SD170Bxx」シリーズの販売を開始する。産業や発電、エネルギー供給または貯蔵用途でのAC-DCおよびDC-DCパワーコンバーターに適する。（2021/9/7）

鏡面研磨の速度を従来の12倍に：
産総研ら、SiCウエハーの高速研磨技術を開発
産業技術総合研究所（産総研）は、パワー半導体用大口径SiC（炭化ケイ素）ウエハーの高速研磨技術を、ミズホや不二越機械工業と共同開発した。従来に比べ鏡面研磨を12倍の速度で行えるため、加工時間を大幅に短縮することが可能となる。（2021/9/2）

Clean Skyとの協業：
航空宇宙用途のSiCパワーモジュール開発、Microchip
Microchip Technologyは、欧州委員会（EC）コンソーシアムのメンバーであるClean Skyとの協業により、航空宇宙用途に向けたSiC（炭化ケイ素）ベースのパワーモジュール製品ファミリー「BL1/BL2/BL3」を開発した。（2021/9/1）

「録音専用車両」まで用意！　小田急、最後（？）の「1000形未更新車」こだわりツアー3種を開催
「最後の4両編成」ツアーが開催される、ということは……？　9月14日以降、順次発売します。（2021/8/31）

SiC製品を強化：
オンセミ、SiC材料を手掛ける米GTATを4億ドルで買収
onsemi（オンセミ）は2021年8月25日（米国時間）、SiCの製造を手掛ける米GT Advanced Technologies（以下、GTAT）を4億1500万米ドルの現金で買収する正式契約を締結したことを発表した。（2021/8/27）

契約金額は8億米ドル以上：
ST、Creeとの150mm SiCウエハー契約を再拡張
STMicroelectronics（以下、ST）は2021年8月17日（スイス時間）、Creeとの150mm SiC(炭化ケイ素）ウエハーに関する今後数年間の供給契約を拡張したことを明らかにした。（2021/8/27）