「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

建物の全配電網にインテリジェンス統合を：
Infineon、電気制御のデジタル化に向けAmberと協業
Infineon Technologies（以下、Infineon）とAmber Solutions（以下、Amber）が協業を発表した。Amberが開発した半導体アーキテクチャによって電気のデジタル制御を実現する技術を、共同で製品化していく考えだ。（2021/7/15）

オシロスコープの最新動向：
多チャンネルのオシロスコープ特集〜大手5社の8chモデル紹介〜
今回はオシロスコープの最新動向として主要メーカー5社の8chモデルの概要を紹介する。（2021/7/12）

従来のIGBTに比べ損失を67％低減：
ローム、SiC SBDを内蔵した耐圧650VのIGBTを開発
ロームは、SiCショットキーバリアダイオード（SBD）を内蔵した耐圧650VのIGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65Cシリーズ」を開発した。車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠しており、xEV（電動化車両）や太陽光発電などの用途に向ける。（2021/7/12）

知財ニュース：
首位はデンソー、特許引用数で見る自動車部品メーカーの「他社けん制力」
パテント・リザルトは2021年7月5日、自動車部品メーカーを対象とした、「特許要件を満たさない特許出願」への拒絶理由として引用された特許件数の2020年版ランキングを公開した。（2021/7/8）

製造マネジメントニュース：
半導体は21世紀のキーパーツ、衰退した産業基盤を国家戦略でカバーできるのか
半導体関連の国際業界団体であるSEMIジャパンは2021年6月22日、経済産業省が主催する「半導体・デジタル産業戦略検討会議」の内容を中心に同省担当者らが半導体関連の産業戦略を解説するセミナーを開催した。（2021/7/2）

次世代パワー半導体の安定供給に向け：
ST、EV／HEV向けパワー半導体でルノーと戦略提携
STMicroelectronicsは2021年6月25日（スイス時間）、Renault Groupと電気自動車（EV）／ハイブリッド自動車（HEV）向け次世代パワー半導体の安定供給に向けた戦略的提携を結んだと発表した。（2021/6/29）

FLOSFIAが“自社工場”で生産へ：
量産間近の酸化ガリウムSBD、評価ボードも入手可能
京都大学発のベンチャーで、酸化ガリウムパワーデバイスの開発を手掛けるFLOSFIAは、「TECHNO-FRONTIER 2021」（2021年6月23〜25日／東京ビッグサイト 青海展示棟）に出展し、酸化ガリウムを使用したSBD（ショットバリアキーダイオード）「GaO-SBD」を搭載した評価ボードなどを展示した。（2021/6/25）

高温環境下で高信頼と電力損失低減：
東芝、SiC MOSFETのデバイス構造を最適化
東芝デバイス＆ストレージは、SiC（炭化ケイ素）MOSFETの新たなデバイス構造を開発した。新構造を採用することで、高温環境下における素子の信頼性向上と電力損失の低減を実現した。（2021/6/25）

耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵：
ローム、面実装のAC-DCコンバーターICを開発
ロームは、耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵したAC-DCコンバーターIC「BM2SC12xFP2-LBZ」を開発し、サンプル出荷を始めた。面実装が可能な小型パッケージ（TO263-7L）で供給する。（2021/6/21）

オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2：
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。（2021/6/18）

電動化：
手乗りサイズのGaNモジュールを富士通ゼネラル子会社が開発、EV補機向けにも展開
富士通ゼネラル傘下の富士通ゼネラルエレクトロニクスが米国トランスフォーム製のGaN-FETチップを採用した最大定格650V／40A級の小型GaNモジュールを開発。200Vクラスを上回る高耐圧で、ゲートドライブ回路を内蔵するとともに、パワーデバイスを4素子以上搭載するフルブリッジ構成のGaNモジュールは「業界初」（同社）だという。（2021/6/16）

富士経済が世界市場を調査：
パワー半導体、2030年に4兆471億円規模へ
パワー半導体市場は2020年の2兆8043億円に対し、2030年は4兆471億円規模に達する見通し――。富士経済が、SiC（炭化ケイ素）などの次世代パワー半導体とSi（シリコン）パワー半導体の世界市場を調査した。（2021/6/15）

製造マネジメントニュース：
先端ロジック半導体のファウンドリを国内誘致へ、半導体・デジタル産業の国家戦略
経済産業省は2021年6月4日、半導体産業やデジタル産業を国家戦略として推進する「半導体・デジタル産業戦略」を取りまとめ公開した。全ての産業の根幹にデジタル産業、半導体産業があると位置付け、先端ロジック半導体の量産化に向けたファウンドリの国内誘致推進などの戦略を紹介した。（2021/6/7）

製造マネジメントニュース：
三菱電機が新中計、5つの重点成長事業で2025年度に売上高5兆円と営利10％目指す
三菱電機が2021〜2025年度の中期経営計画について説明。2025年度目標として、売上高5兆円、営業利益率10％、ROE10％、5年間累計のキャッシュジェネレーション3.4兆円を掲げるとともに、重点成長事業に定めた、FA制御システム、空調冷熱システム、ビルシステム、電動化／ADAS、パワーデバイスの5事業に資源投入を重点配分する方針を打ち出した。（2021/6/4）

組み込み開発ニュース：
東芝がトリプルゲートIGBTを開発、3つのゲート電極でスイッチング損失を4割削減
東芝は、インバーターやDC-DCコンバーターなどの電力変換器に広く用いられているパワー半導体のIGBTについて、電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の損失を従来比で最大40.5％低減できる「トリプルゲートIGBT」を開発したと発表した。今後、信頼性の確認など実用化に向けた開発を進めて、2023〜2024年に製品化を判断したい考え。（2021/6/2）

縦型MOSFETとCMOSを1チップに：
産総研、SiCモノリシックパワーICの開発に成功
産業技術総合研究所（産総研）は、SiC（炭化ケイ素）半導体を用い、縦型MOSFETとCMOS駆動回路をワンチップに集積したSiCモノリシックパワーICを開発、そのスイッチング動作を確認した。SiCモノリシックパワーICを実現したのは世界で初めてという。（2021/6/2）

自動車業界の1週間を振り返る：
「人テク展」がオンラインで開幕、バーチャルだからこその発見もあるかも
5月が終わります！　1週間、お疲れさまでした。（2021/5/29）

製造マネジメントニュース：
デンソーが人工光合成システムを開発中、回収した炭素はカーボンナノチューブに
デンソーは2021年5月26日、オンラインで事業戦略説明会を開き、2035年のカーボンニュートラル達成に向けたロードマップを発表した。（2021/5/27）

TIが製品群を紹介：
EVは「パワートレインの統合」がトレンドに
Texas Instruments（TI）の日本法人である日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は2021年5月17日、記者説明会を開催し、電気自動車（EV）のパワートレインのシステムを統合するアーキテクチャについて説明した。（2021/5/25）

インフィニオン FF11MR12W1M1_B70、FF6MR12W2M1_B70：
窒化アルミニウム採用のSiC MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。（2021/5/24）

車載半導体：
インフィニオンが電動車向けSiCパワーデバイスを強化、武器はIGBTからの移行しやすさ
インフィニオンは、EV（電気自動車）向けのSiCパワーデバイスの展開を本格化させる。これまでハイブリッド車（HEV）など電動車向けに100万個以上の出荷実績があるIGBT搭載のモジュール「Hybrid PACK Drive」にSiC搭載版を用意し、自動車メーカーがこれまでと同じフットプリントのままインバーターをアップグレードできるようにする。（2021/5/24）

航続距離を5％以上伸ばせる：
EVのインバーター向けSiC-MOSFETパワーモジュール
Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2021年5月19日、電気自動車（EV）やハイブリッド自動車（HEV）といった電動車両のトラクションインバーター向けに、SiC-MOSFETを搭載したパワーモジュール「HybridPACK Drive CoolSiC」を発表した。（2021/5/21）

面積を約20％削減、信頼性は2倍に：
東芝、SiCモジュール向けパッケージ技術を開発
東芝デバイス＆ストレージは、SiC（炭化ケイ素）モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20％削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。（2021/5/12）

高まる需要に応える：
Infineonと昭和電工、SiC材料の供給で契約
Infineon Technologies（以下、Infineon）は2021年5月6日（ドイツ時間）、昭和電工と、エピタキシーを含む広範囲なSiC材料の供給契約を締結したと発表した。これによりInfineonは、SiC製品の需要拡大に対応するための基材を確保できたと述べている。契約期間は2年間で、延長のオプションがある。（2021/5/7）

電子ブックレット（FA）：
東芝300ｍｍウエハーライン増強／キオクシア四日市第7棟起工
MONOistに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、2021年1〜3月に公開した工場関係のニュース（16本）をぎゅっとまとめた「工場ニュースまとめ――2021年1〜3月」をお送りします。（2021/4/26）

微小電流から大電流まで幅広く対応：
岩崎通信機、電流プローブを一新し8機種を投入
岩崎通信機は、電流プローブを一新し「SS-500シリーズ」として8機種を市場に投入する。専用電源2機種も同時に発売する。デジタルオシロスコープ「DS-8000シリーズ」と組み合わせ、パワーエレクトロニクス分野を中心に提案していく。（2021/4/15）

パッケージはクリップボンド構造：
新日本無線、小型SiC-SBDのサンプル出荷を開始
新日本無線は、小型形状で熱抵抗が小さい最大定格650V／10AのSiCショットキーバリアダイオード「NJDCD010A065AA3PS」を開発、サンプル出荷を始めた。（2021/4/2）

筑波事業所で車載ヒューズを生産：
Littelfuseジャパン、日本でのサポート体制を強化
Littelfuseジャパンは、筑波事業所を活用したローカルサポート体制の強化などにより、日本市場での2桁成長を持続し、2025年には全社に占める日本での売上高構成比を現在の約2倍となる10％規模に拡大していく計画だ。（2021/3/19）

「パワー半導体」高性能化・小型化の技術　電動車の航続距離アップに期待
関西学院大と豊田通商が、ハイブリッド車や電気自動車など電動車への需要拡大が見込まれる「パワー半導体」材料の炭化ケイ素基板の品質と生産性を高める技術を共同開発した。実用化できれば、電動車の航続距離アップが期待できる。（2021/3/12）

高品質で低コストの量産技術確立へ：
SiCウエハー製造技術、産学官が連携して共同研究
産業技術総合研究所（産総研）は、次世代パワー半導体用の高品質SiC（炭化ケイ素）ウエハーを低コストで製造するための技術開発に向けて、大型共同研究を始めた。ウエハーメーカーを含む民間企業17社や公的3機関と連携し開発に取り組む。（2021/3/11）

東芝 MG800FXF2YMS3：
産業機器向けデュアルSiC MOSFETモジュール
東芝デバイス＆ストレージは、電圧定格3300V、電流定格800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を発表した。鉄道車両向け電力変換装置や再生可能エネルギー発電システムなどでの利用を見込む。（2021/3/5）

FAニュース：
SiCウエハーの欠陥を無害化するプロセスを開発、SiCデバイスのコスト低減へ
関西学院大学は、高効率のSiCデバイスの製造に必要なSiCウエハーの欠陥を無害化するプロセス技術「Dynamic AGE-ing」を豊田通商と共同開発し、6インチSiCウエハーでの性能検証を完了したと発表した。（2021/3/3）

インフィニオン CoolSiC Hybrid IGBT：
還流SiC-SBDを搭載したIGBT
インフィニオン テクノロジーズは、ブロッキング電圧が650Vの「CoolSiC Hybrid IGBT」ファミリーの販売を開始した。IGBTと併せて還流SiCショットキーバリアダイオード（SiC-SBD）を採用し、スイッチング損失を低減した。（2021/3/3）

2000℃の高温で「歪みを出し切る」：
SiCウエハー欠陥の無害化技術を開発、関学大と豊田通商
関西学院大学と豊田通商は2021年3月1日、SiC（炭化ケイ素）ウエハー基板における基底面転位と呼ばれる欠陥を無害化する表面ナノ制御プロセス技術を開発したと発表した。（2021/3/2）

組み込み開発ニュース：
Fin状トレンチ型SiC-MOSFETを製品化、サンプル出荷開始へ
日立パワーデバイスは、Fin状トレンチ型SiC-MOSFET「TED-MOS」を製品化した。2021年3月よりサンプル出荷を開始する。デバイス設計の自由度が向上したほか、耐久性と低消費電力を両立した。（2021/2/17）

テレダイン・レクロイ HVD3220：
帯域400MHz、電圧範囲2kVの高電圧差動プローブ
テレダイン・レクロイは、400MHz帯域、電圧範囲2kVの高電圧差動プローブ「HVD3220」を発表した。最高0.35％のゲイン精度と優れたCMMRを備え、高速動作するパワーエレクトロニクスの測定に適している。（2021/2/12）

THzトランジスタの商用化を可能に：
製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発
東北大学は、グラフェンを用い低環境負荷で超高速のデバイスを製造する方法を開発した。テラヘルツ（THz）帯で動作する高品質のグラフェントランジスタを、これまでに比べ100分の1以下という安価な製造コストで実現できるという。（2021/2/8）

FAニュース：
パワー半導体の生産性を大幅に向上する、欠陥特定装置を共同開発
Mipoxと名古屋大学は、パワー半導体の生産性を大幅に高める欠陥特定システムを共同開発した。SiCなどを材料とする半導体基板中の結晶欠落の種類や位置、キラー欠陥を非破壊で自動的に検出する。（2021/2/5）

工場ニュース：
SiCパワーデバイスの生産能力強化のため、環境配慮型の新棟を建設
ロームは、SiCパワーデバイスの生産能力を強化するため、グループ会社のローム・アポロの筑後工場に新棟を建設した。使用電力を100％再生可能エネルギーとする、環境配慮型の最新工場となる。（2021/2/2）

コロナ禍で勝機を見いだす分野も：
半導体業界 2021年に注目すべき10の動向
2021年の半導体／エレクトロニクス業界において、注目しておきたい10の動向を挙げる。（2021/1/29）

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 芝宮孝司氏：
PR：“アナログの泥臭さ”が生きる低電圧出力が勝負どころに、設計力を底上げしタイムリーな製品投入を狙う
小型・低消費電力の電源ICに強みを持つトレックス・セミコンダクター。新しい中期経営計画の初年度となる2021年度は、主力製品のラインアップ拡充を図る他、資本提携したインドのアナログICメーカーとの協業による設計力の底上げと、半導体受託製造を手掛ける子会社フェニテックセミコンダクターの工場移管による高収益体制の確立を目指す。同社社長の芝宮孝司氏に、事業戦略を聞いた。（2021/1/13）

主要な生産工程を環境配慮型へ：
ローム、SiCパワーデバイスの生産能力強化
ロームは、SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの製造拠点となるローム・アポロ筑後工場（福岡県筑後市）の新棟が完成したと発表した。製造に用いる電力を100％再生可能エネルギーで賄う環境配慮型の最新工場で、製造設備を順次導入し2022年の稼働を目指す。（2021/1/7）

コロナ禍と進む分断：
2020年の半導体業界を振り返る
新型コロナウイルス感染症（COVID-19）が世界中で猛威をふるい、その影響が多方面に及んだ2020年。半導体／エレクトロニクス業界にとっては、COVID-19の他にも、米中ハイテク戦争というもう一つの懸念を抱えたままの1年となりました。この2020年を、EE Times Japanに掲載した記事とともに振り返ります。（2020/12/25）

デンソー 昇圧用パワーモジュール：
燃料電池自動車向けの昇圧用パワーモジュール
デンソーは、燃料電池自動車向けにSiCパワー半導体を搭載した次期型昇圧用パワーモジュールの量産を開始した。新開発の車載用SiCトランジスタと車載用SiCダイオードを組み合わせた、小型で効率的なモジュールだ。（2020/12/18）

自動車業界の1週間を振り返る：
EV販売より取り扱い終了を選ぶディーラーも？　Uberは自動運転と空飛ぶクルマ手放す
みなさんこんにちは、金曜日です。寒いですね。1週間、お疲れさまでした。東京都が2030年までに都内で販売する新車を全て電動車にする方針を示したこともあり、先週に引き続き、今週も電動化の動向が話題になりましたね。（2020/12/11）

車載半導体：
デンソーのSiCパワー半導体、新型ミライのFC昇圧コンバータで採用
デンソーは2020年12月10日、SiCパワー半導体を搭載した昇圧用パワーモジュールの量産を開始したと発表した。トヨタ自動車が同年12月9日に全面改良して発売した燃料電池車（FCV）「MIRAI（ミライ）」に搭載されている。（2020/12/11）

FCVってEVと何が違うの？　トヨタ、燃料電池車「MIRAI」をフルモデルチェンジ　満タン850キロ走行可能に
「空気をきれいにする機能」も搭載……!?!?（2020/12/10）

電気自動車：
トヨタの燃料電池車「MIRAI」に新型登場、航続距離850kmで給電機能も向上
トヨタ自動車は2020年12月9日、フルモデルチェンジした燃料電池車（FCV）「MIRAI（ミライ）」を発表。従来モデルより航続距離を高めた他、外部給電の機能も刷新。2つのグレードを用意し、価格は710万円〜805万円（税込）となっている。（2020/12/10）

燃料電池車：
新型ミライの燃料電池システム、乗用車以外への活用も視野に刷新
トヨタ自動車は2020年12月9日、燃料電池車（FCV）「MIRAI（ミライ）」をフルモデルチェンジして発売した。税込みメーカー希望小売価格は先代モデルからほぼ据え置きの710万円から。優遇税制や補助金を組み合わせることにより、ベーシックなGグレードの場合でおよそ139万5700円の購入補助が受けられる。生産は同社の元町工場（愛知県豊田市）で行う。（2020/12/10）

シリコンIGBTの性能向上を実証：
両面ゲートIGBT、スイッチング損失を6割低減
東京大学生産技術研究所は、シリコンIGBTの表裏両面にMOSトランジスタのゲートを設けた「両面ゲートIGBT」を作製し、表面だけの従来構造に比べ、スイッチング損失を62％低減できることを実証した。（2020/12/9）