「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

成長温度が電気特性などに影響：
スパッタ法で高品質ScAlN薄膜の作製に成功
東京理科大学の研究グループは、東京大学や住友電気工業と共同で、汎用性の高いスパッタ法を用い、高品質の窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）薄膜を作製することに成功した。（2025/8/13）

2in1モジュールも開発：
RC-IGBTとSiC、ダイでもモジュールでも 東芝の車載パワー半導体
東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。（2025/8/7）

TECHNO-FRONTIER 2025：
STM32×AIで実現　ドローンモーターの異常をリアルタイムで検知して協調
STマイクロエレクトロニクスは「TECHNO-FRONTIER 2025」に出展し、マイコンを用いたエッジAIソリューションやAIデータセンター向け電源ソリューションを紹介した。（2025/8/7）

研究開発の最前線：
手戻り大幅削減　材料開発期間を短縮するレゾナックパワーモジュールR＆D拠点の共創
レゾナックは、小山事業所（栃木県小山市）内のパワーモジュール研究開発拠点「パワーモジュールインテグレーションセンター（PMiC）」で同拠点の説明会と見学会を行った。（2025/8/7）

「世界最小パッケージ」1200V SBDで攻める：
タイワン・セミコンダクターがSiCパワー半導体市場に参入、その狙いは
Taiwan Semiconductorが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体事業に参入。1200V耐圧品としては「世界最小パッケージ」（同社）となるSiCショットキーバリアダイオード（SBD）製品群を販売開始した。TSCのプロダクトマーケティング担当バイスプレジデントを務めるSam Wang氏に話を聞いた。（2025/8/6）

GaN搭載6.6kW OBC試作品を公開：
「GaNのコストは5年以内にSi並みに」　ロームの勝ち筋は
「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。（2025/8/5）

Microchipが支えるモーター制御最前線：
PR：地球規模のエネルギー効率向上、鍵を握るのは”モーター制御の最適化”
現代社会では、家電製品から産業用機械まで、あらゆるところでモーターが使われています。世界のエネルギー消費の大半をモーターが占めている事を考えると、モーター制御を最適化して効率を高めることは非常に重要です。本稿では、モーターの構造、VFD(可変周波数ドライブ)の活用、ハードウェアサポートや高度なアルゴリズムを含むモーター制御アプリケーションのソリューションについて詳しく解説します。（2025/8/4）

山根康宏の海外モバイル探訪記：
Samsungを超える世界最薄折りたたみスマホ「HONOR Magic V5」は本当に薄い
2025年になってから、畳んだ厚さが約9mmを切る“激薄モデル”が次々と登場しているのです。（2025/8/4）

創業140年を迎える：
「われわれのDNAは製造業」 半導体用材料開発を加速する田中貴金属
田中貴金属グループは2025年7月31日、創業140年を記念した記者説明会を開催した。同社の売上高の7割を占める産業事業では、半導体用材料の開発やカーボンニュートラル実現への取り組みを強化する。【訂正あり】（2025/8/4）

中国とのコスト競争にも自信：
車載SiCモジュール強化の三菱電機、独自モジュール「J3」の新製品投入へ
三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。（2025/7/30）

データセンター／モバイルは伸長見込む：
ルネサス、Wolfspeed再建支援で25年上期は1753億円の赤字
ルネサス エレクトロニクスの2025年上期（1〜6月）の業績（Non-GAAPベース）は、売上高は前年同期比10.9％減の6334億円、営業利益は同484億円減の1757億円、当期純利益は同514億円減の1511億円だった。GAAPベースでの2025年上半期は、米Wolfspeedの再建支援として2350億円の損失を計上したことで、当期純損失が1753億円で赤字となった。（2025/7/28）

日本向けサポートが充実：
SiC／GaNにも　数秒で解析が完了するパワエレ向け国産回路シミュレーター
スマートエナジー研究所は「TECHNO-FRONTIER 2025」（2025年7月23〜25日、東京ビッグサイト）に出展し、パワーエレクトロニクス向けの高速回路シミュレーター「Scideam（サイディーム）」を紹介した。（2025/7/25）

追加の保護回路は不要：
AIサーバ向け　1200V／20AのSiCショットキーダイオード、Nexperia
Nexperiaは、最大定格1200V／20Aの炭化ケイ素（SiC）ショットキーダイオード「PSC20120J」「PSC20120L」の2種類をラインアップに追加した。AIサーバ、通信機器の電源ユニットなどでの利用を想定している。（2025/7/25）

複雑なパワー半導体の作製が容易に：
二酸化ゲルマニウム半導体技術が前進、イオン注入でn型導電性
Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）結晶膜に対し、イオン注入法によりドナー不純物を添加することで、n型導電性を付与することに成功した。これにより、複雑な構造を有するパワー半導体デバイスの作製が容易になる。（2025/7/25）

上面放熱パッケージで性能を引き出す：
PR：使いやすいSiCの到来――放熱設計と高速駆動の課題に応えるCoolSiC G2×Q-DPAK
自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。（2025/7/28）

アリゾナ工場への投資がヒントに：
GaN撤退のTSMC、その後の戦略を考察する
TSMCが窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業から撤退するニュースは大きな話題となった。撤退して後の「リソースの余力」を、TSMCはどこに振り分けるのか。（2025/7/24）

PCIM Expo&Conference 2025：
新JFETやSuper Junction品投入へ、InfineonのSiC戦略
Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。（2025/7/23）

研究開発の最前線：
高周波GaNトランジスタの性能向上に役立つ「二次元電子ガス」散乱機構を解明
東京大学は、住友電気工業と共同で、窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガリウム（GaN）のヘテロ接合における二次元電子ガス（2DEG）の散乱機構を解明した。（2025/7/22）

頭脳放談：
第302回 「一体何が？」花形だったはずのパワー半導体に悲報続出、EV市場と“中国”という誤算
浮き沈みの激しい日本半導体の中で、成長エンジンとして期待されていたパワー半導体分野に暗雲が立ち込めている。ルネサス エレクトロニクスが協業するパワー半導体向けのSiCウェハを製造するWolfspeedがChapter 11を申請してしまうなど、暗いニュースが続いている。TSMCもパワー半導体向けのGaNファウンドリ事業から撤退することを明らかにしている。パワー半導体についてのこうした残念なニュースの背景について解説する。（2025/7/18）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
中国の台頭、ファウンドリー顧客開拓……JSファンダリに見る半導体業界の課題
JSファンダリの破産は単に1社の事業が傾いたというだけでなく、半導体業界全体の課題や傾向が表れているように思います。（2025/7/17）

SiC／GaNも活用：
AIサーバラックへの電力供給は1台当たり1MW超に　高効率化で備えるInfineon
AIの需要増加で、ネットワーク上のデータ量は急速に増加している。2010年から2025年の15年間で、データ量は145倍になる見込みだ。チップ性能の向上で、計算量も指数関数的に増加していて、シングルプロセッサの電力需要は3〜4カ月ごとに倍増している。これに伴い、AIデータセンターによる送電網への負担、コスト、堅牢性／信頼性が重要な課題となっている。これに対しInfineon Technologiesは、AIデータセンター向けの電力供給システムの開発を進めている。（2025/7/16）

PCIM Expo&Conference 2025：
買収で市場機会拡大、SiC JFET技術獲得でonsemiが狙う新市場
2025年1月にQorvoのSiC JFET事業を買収したonsemiは、AIデータセンター向け電源におけるニーズへの対応やソリッドステート回路遮断器（SSCB）など新たな市場機会の開拓を進めている。（2025/7/15）

「日本初の独立系ファウンドリー」：
パワー半導体受託生産のJSファンダリが破産申請、負債総額約161億円
アナログ／パワー半導体の受託生産を手掛けるJSファンダリが、東京地裁に破産を申請した。東京商工リサーチによると、負債総額は約161億円だ。（2025/7/14）

組み込み採用事例：
第4世代SiC MOSFETが中国向け新型BEVのトラクションインバーターに採用
ロームの第4世代SiC MOSFETベアチップを搭載したパワーモジュールが、トヨタ自動車の中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」のトラクションインバーターに採用された。（2025/7/14）

組み込み開発ニュース：
AIデータセンターは2029年にサーバ1台の電力が1MW超へ、システム構成はどうなる
インフィニオンテクノロジーズ ジャパンは、生成AIの登場により高性能化への要求が大幅に高まっているAIデータセンター向け電力供給システムの市場動向と同社の取り組みについて説明した。（2025/7/11）

ダイサイズを14％縮小：
ルネサス、Transphorm買収後初のGaN新製品を発売　AIデータセンター向け
ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の新製品を発表した。2024年6月にTransphormを買収して以来初めての新製品だ。（2025/7/11）

材料からモジュールまで垂直統合を実現：
PR：SiCパワーデバイスはもう難しくない　「使いやすさ」を追及するSTの最新テクノロジー
次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。（2025/7/11）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
Qualcommの狙いは何なのか、やたらと「高い」Alphawave買収額
今回は、zeroRISCの資金調達の話と、QualcommによるAlphawave Semi買収の話の2本立てだ。前者では、やっぱり少し「世知辛く」見えるオープンソースシリコンのビジネスについて、後者ではQualcommが今回の買収で何を考えているのかについて解説してみたい。（2025/7/10）

レゾナックと東北大学が共同研究：
Si廃棄物とCO2からSiCパワー半導体材料を作製へ
レゾナックと東北大学大学院工学研究科、シリコン廃棄物（シリコンスラッジ）と二酸化炭素（CO2）を用いて、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体材料を作製するための研究を共同で行う。（2025/7/10）

モビリティメルマガ 編集後記：
ルネサスはSiCやめちゃうの？
中断するけどまだやめるとまでは言ってませんね。（2025/7/9）

研究開発の最前線：
シリコンスラッジをパワー半導体の原料に 活用に向けた本格検討スタート
レゾナックと東北大学は、シリコンウエハーの製造過程で発生する廃棄物であるシリコンスラッジと炭化ケイ素（SiC）粉末を、パワー半導体のSiC単結晶材料の成長用原料として応用するための基礎検討が完了し、活用に向けた本格検討を開始した。（2025/7/9）

7.5億ドルの支給は未確定：
危うい再建計画　Wolfspeed、CHIPS法補助金で再生図るか
Wolfspeedは2025年6月30日（米国時間）に、米連邦破産法11条の適用を申請したと発表した。同社は、米バイデン前政権で支給が確定している7億5000万米ドルの「CHIPS and Science Act」（CHIPS法）補助金を再建に充てるとされている。（2025/7/8）

電子ブックレット：
60周年！「electronica 2024」展示会レポート
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」のレポート記事をまとめた。（2025/7/3）

次世代パワー半導体材料として注目：
ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶を合成
Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されている「ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」のバルク結晶を合成することに成功した。今後はこのバルク結晶を種結晶として用い、引き上げ法などによって大口径化や高品質化を図り、市場投入を目指す。（2025/7/2）

MOSFETでノーマリーオフ10A超の動作：
最大の壁、p層を克服！酸化ガリウムでFLOSFIAが達成した「世界初」
FLOSFIAが、「世界で初めて」（同社）酸化ガリウム（α-Ga2O3）MOSFETでノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作を実現した。酸化ガリウムパワー半導体開発において、最大の課題とされてきた「p層」（導電型p型半導体層）の改良に成功した。（2025/7/2）

時価総額6倍は5年延長：
「やっぱりルネサスだと言われないと」 柴田CEOが原点回帰を強調
ルネサス エレクトロニクスは2025年6月26日に経営戦略説明会を実施。社長の柴田英利氏は、組み込みプロセッシングという同社のコアの強みを磨くべく「基本に立ち戻る」ことを強調した。（2025/6/27）

足元でEV低調も「電動化がけん引」とYole：
SiCパワーデバイス市場は年率20％で成長、30年に103億ドル規模に
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、SiCパワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2030年には103米ドル規模に拡大する見込だという。（2025/6/27）

名古屋にも拠点設立：
自動車48V化に対応　日本のMOSFET市場に本格参入する台湾セミコンダクター
Taiwan Semiconductorは日本のMOSFET市場に本格参入すると発表し、「PerFET80Vシリーズ」「PerFET100Vシリーズ」の販売を開始した。発表に合わせて同社は日本のメディア向けに説明会を開催した。（2025/6/27）

組み込み開発ニュース：
ルネサスが「意志ある踊り場」で研究開発に注力、成長目標達成時期は5年延期
ルネサス エレクトロニクスが同社の概況や事業方針などについて説明。市場環境の不確実性が高まる中で、成長目標の達成時期を2030年から2035年に延期するとともに、研究開発への注力による足場固めを優先する方針を表明した。（2025/6/27）

組み込み開発ニュース：
異種材料接合を用いた高出力THzデバイスの量産技術を確立
OKIは、NTTイノベーティブデバイスと共同で、異種材料接合を用いた高出力テラヘルツ（THz）デバイスの量産技術を確立した。2026年の量産化を目指す。（2025/6/26）

航続距離伸長や高性能化に貢献：
トヨタの中国向け新型BEV、ローム製SiC MOSFETを搭載
ロームは、トヨタ自動車などが開発した中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」に、第4世代SiC MOSFETを搭載したパワーモジュールが採用されたと発表した。（2025/6/25）

業績予想は変更せず：
ルネサスがWolfspeedの再建支援、Q2には2500億円の減損か
ルネサス エレクトロニクスがWolfspeedの財務再建に関する再建支援契約を締結した。これに伴い、ルネサスは2025年12月期第2四半期連結決算において、最大約2500億円規模の損失を計上する可能性があるとしている。（2025/6/23）

高効率の電力供給システム開発へ：
ロームとNVIDIA、AIファクトリー実現に向け協業
ロームは、次世代AIデータセンターに向けた「800V電力供給アーキテクチャ」の開発で、NVIDIAと協業する。新たなデータセンターの設計に対しロームは、Si（シリコン）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など、最先端のパワー半導体デバイスを提供していく。（2025/6/19）

超低損失と高飽和磁束密度を両立：
次世代パワエレ向け軟磁性ナノ結晶圧粉コアを開発
トーキンは、次世代パワーエレクトロニクスに向けた「軟磁性ナノ結晶圧粉コア」を、東北大学と共同開発した。新材料は従来材料を大きく上回る超低損失と高飽和磁束密度を実現しており、電力変換機器のさらなる高効率化と小型化が可能となる。（2025/6/13）

6Gなどに向け2026年の量産目指す：
フォトダイオードをSiC上に接合、高出力テラヘルツデバイスを実現
OKIとNTTイノベーティブデバイスは共同で、異種材料接合によって高出力テラヘルツデバイスを高い歩留まりで量産できる技術を確立した。この技術を用い、6Gや非破壊センシングに用いられるテラヘルツデバイスの量産を2026年より始める。（2025/6/11）

EVや再生可能エネルギー向け：
高温環境下でオン抵抗20％減、東芝のSiCトレンチMOSFET
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高温環境下での動作が求められる電気自動車（EV）や再生可能エネルギーなどの電力変換用途に向け、信頼性と効率の向上を可能にする「炭化ケイ素（SiC）トレンチMOSFET」と「SiCスーパージャンクションショットキーバリアダイオード（SJ-SBD）」を開発した。（2025/6/11）

冷却システムを61％小型化できる可能性：
東芝　熱抵抗を21％低減する樹脂絶縁型SiCモジュール開発
東芝は2025年6月4日、樹脂絶縁型SiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールの新技術を発表した。独自の「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」により、従来のセラミック絶縁型モジュールと比較して熱抵抗を21％低減し、冷却システムのサイズを61％削減できる可能性を示した。（2025/6/4）

シミュレーション時間がほぼ半減：
ローム、SiC MOSFET用の新SPICEモデルを公開
ロームは、パワー半導体のシミュレーション時間を従来に比べ半減できる新SPICEモデル「ROHMレベル3（L3）」を開発した。L3の第4世代SiC MOSFETモデル（37機種）は既にウェブサイト上で公開しており、製品ページ画面などからダウンロードできる。（2025/6/3）

初のDFN8×8採用品：
90％超の小型化！650V耐圧第3世代SiC MOSFET搭載の新製品、東芝D＆S
東芝デバイス＆ストレージは、650V耐圧の第3世代SiC MOSFETを搭載した4製品を発表した。小型面実装パッケージのDFN8×8を採用し、従来のリード挿入型と比べて体積を90％以上削減。機器の電力密度の向上に貢献する。（2025/6/2）

拡張性に優れたEVパワートレイン設計に：
「ASIL-D」準拠に貢献する車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバー、ST
STマイクロエレクトロニクスは、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。「ASIL-D」準拠に貢献する保護機能と診断機能を備えている。（2025/5/28）