「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

従来比で体積60％減、重さは半減：
山手線車両に次世代VVVFインバーター装置、最新SiC搭載
東日本旅客鉄道（JR東日本）は、三菱電機が開発中の次世代車両駆動用インバーター装置（次世代VVVFインバーター装置）を山手線E235系電車に試験搭載し、制御状態やメンテナンス性などについて確認を行う。2026年2月ごろまで試験搭載し、得られた知見を次世代の車両設計・開発に活用していく。（2025/10/3）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
「安かろう悪かろう」は過去のもの　アップデート不足の自分に気付く
中国関連のニュースを見るたび、「人が多いってすごい」とつくづく思います。（2025/10/2）

工場ニュース：
山形工場にSiCエピタキシャルウエハーの建屋が完成、2026年に稼働
レゾナックは、レゾナック・ハードディスクの山形工場で、SiCエピタキシャルウエハーの生産建屋の竣工式を開催した。各種設備を導入して生産に向けた準備を進め、2026年に稼働する予定だ。（2025/10/2）

EE Exclusive：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。（2025/9/30）

京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏：
SiCの20年　ウエハーは「中国が世界一」に、日本の強みは何か
次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。（2025/9/29）

JR東、小型軽量化した「次世代インバータ装置」を山手線に試験搭載　取り付け場所フレキシブルに
山手線「E235系」電車1編成に、省エネ化・小型軽量化した「次世代車両駆動用インバータ装置」を試験搭載。（2025/9/26）

シリコンやGaNへの協業拡大も計画：
ロームとInfineon、SiCパワー半導体のパッケージ共通化で協業
ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。（2025/9/25）

福田昭のデバイス通信（503） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その4）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高輝度青色発光ダイオード」（後編）
前回に続き、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。高輝度青色LEDの誕生に至る「低温バッファ層」技術の偶然と必然、研究者の挑戦と快進撃を振り返ります。（2025/9/26）

DCグリッドの安全性を担う：
PR：DC遮断を次世代へ導く――インフィニオンが「CoolSiC」ブランド初のJFETを投入
エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。（2025/9/25）

電動化：
ロームとシェフラー、協業により新型高電圧インバータブリックを量産開始
ロームとシェフラーは、戦略的パートナーシップに基づき、中国大手自動車メーカー向けにロームのSiC MOSFETベアチップを組み込んだシェフラー製新型高電圧インバータブリックの量産を開始した。（2025/9/24）

材料技術：
パワー半導体接合材向けに粒径100nmの耐酸化ナノ銅粉を開発　従来の課題を克服
近年、銀価格の高騰を受けて、パワー半導体の接合材として銀粉の代わりに銅紛が求められている。しかし、銅粉は銀粉に比べて酸化しやすく、取り扱いが難しいという課題がある。これらの課題を解消した製品として、住友金属鉱山は「耐酸化ナノ銅粉」を開発した。（2025/9/22）

福田昭のデバイス通信（502） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その3）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高輝度青色発光ダイオード」（前編）
今回は、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。青色LED開発のブレークスルーを紹介します。（2025/9/17）

電力密度は従来の2.3倍に：
TO-247より省面積、ロームの新SiCパワーモジュール
ロームは、DOT-247パッケージを採用した2in1構成のSiCパワーモジュールを開発し、量産を始めた。PV（太陽光発電）用インバーターやUPS（無停電電源装置）、半導体リレーといった産業機器用途に向ける。（2025/9/17）

ポスト政策主導時代を迎える半導体市場（3）：
地政学要因で半導体製造は東南アジアとインドへ、東アジア一極集中の脱却なるか
半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。第3回は、転換点にある米欧の半導体政策に呼応する形で新たな産業政策を進める東南アジアの主要工業国やインドの政策動向を紹介する。（2025/9/12）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
面発光レーザー技術にドラマあり、開発者が語る実用化への道筋
「プロジェクトX」のような話でした。（2025/9/11）

数十kHzの高周波領域で高い性能：
電力損失を半減した鉄系磁性材料を開発　EV応用に期待
物質・材料研究機構（NIMS）は、東北大学や産業技術総合研究所（産総研）と共同で、電力損失を従来の半分以下に抑えることができる鉄系磁性材料を開発した。高周波トランスや電気自動車（EV）の駆動用電源回路といった用途での採用が期待される。（2025/9/9）

650A、800V以上に対応：
ロームのSiC搭載インバーター部品が量産開始、中国大手の新型EVに
ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。（2025/9/5）

希釈水素熱処理を2段階で実施：
SiC MOSデバイスの性能を向上し信頼性も大幅改善、大阪大
大阪大学の研究グループは、「高温での希釈水素熱処理」を2段階で行う独自の手法を用い、炭化ケイ素（SiC）MOSデバイスの性能を向上しつつ信頼性の大幅改善に成功した。（2025/9/4）

ロジスティクス：
相模原市に延べ7.8万m2のレンタルラボ併設型複合型物流施設開発　大和ハウス工業
大和ハウス工業は、神奈川県相模原市の「さがみロボット産業特区」内に、レンタルラボを併設する複合型物流施設「DPL相模原II」を建設する。竣工は2027年9月27日を予定している。（2025/9/3）

東芝D＆Sが量産開始：
体積を80％削減、表面実装型650V SiC MOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、表面実装パッケージ「TOLL」を採用した650V耐圧の炭化ケイ素（SiC）MOSFETとして3製品を製品化し、量産を始めた。スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。（2025/9/2）

先行き不透明感が際立つ：
2025年上半期の半導体業界を振り返る
世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。本稿では、2025年上半期の半導体業界を振り返る。（2025/8/29）

品質向上、供給拡大に向けて基本合意：
東芝D&S、中SICCとSiCパワー半導体用ウエハーで連携
東芝デバイス＆ストレージは2025年8月22日、中国の炭化ケイ素（SiC）ウエハーメーカーSICCとSiCパワー半導体ウエハーに関するビジネス上の連携に向けた基本合意を発表した。SiCパワー半導体の特性向上や品質改善および、安定的なウエハーの供給拡大に向けた連携を実施する。（2025/8/26）

TIが性能向上とコスト低減にまい進：
PR：データセンター省エネ化の立役者になるか　GaNデバイスがサーバ用電源を変える
小型で高効率な電源システムを実現できるGaNパワーデバイスの採用領域は、データセンターや自動車に広がりつつある。特に省電力が喫緊の課題となっているデータセンターでは、GaNに大きな期待が寄せられている。日本テキサス・インスツルメンツは、2025年7月に開催された「TECHNO-FRONTIER」で登壇し、データセンターにおけるGaNの活用について語った。（2025/8/25）

SAKURA-IIの展開を加速：
エッジAI半導体のEdgeCortix、資金調達額が150億円に到達
EdgeCortixは2025年8月18日、シリーズB資金調達ラウンドの初回クローズを発表した。株式などによる累計資金調達額は約150億円（1億米ドル）に達する。（2025/8/25）

高耐圧GaNの製品化を加速：
GaNパワー半導体市場で拡大狙うサンケン電気、パウデックを吸収合併
サンケン電気は窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場での拡大を狙い、開発を加速している。2025年8月13日には低オン抵抗で高耐圧化が容易な独自GaN技術を有する子会社パウデックの吸収合併をすると発表した。（2025/8/21）

2024年は680億米ドル規模：
車載半導体ランキング、首位はInfineonでルネサスは5位
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、2024年の車載半導体市場は680億米ドル規模で、首位はInfineon Technologies。ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は5位だった。（2025/8/18）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2025年8月号：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新　PCIM 2025レポート――電子版2025年8月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年8月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート』です。（2025/8/18）

成長温度が電気特性などに影響：
スパッタ法で高品質ScAlN薄膜の作製に成功
東京理科大学の研究グループは、東京大学や住友電気工業と共同で、汎用性の高いスパッタ法を用い、高品質の窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）薄膜を作製することに成功した。（2025/8/13）

2in1モジュールも開発：
RC-IGBTとSiC、ダイでもモジュールでも 東芝の車載パワー半導体
東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。（2025/8/7）

TECHNO-FRONTIER 2025：
STM32×AIで実現　ドローンモーターの異常をリアルタイムで検知して協調
STマイクロエレクトロニクスは「TECHNO-FRONTIER 2025」に出展し、マイコンを用いたエッジAIソリューションやAIデータセンター向け電源ソリューションを紹介した。（2025/8/7）

研究開発の最前線：
手戻り大幅削減　材料開発期間を短縮するレゾナックパワーモジュールR＆D拠点の共創
レゾナックは、小山事業所（栃木県小山市）内のパワーモジュール研究開発拠点「パワーモジュールインテグレーションセンター（PMiC）」で同拠点の説明会と見学会を行った。（2025/8/7）

「世界最小パッケージ」1200V SBDで攻める：
タイワン・セミコンダクターがSiCパワー半導体市場に参入、その狙いは
Taiwan Semiconductorが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体事業に参入。1200V耐圧品としては「世界最小パッケージ」（同社）となるSiCショットキーバリアダイオード（SBD）製品群を販売開始した。TSCのプロダクトマーケティング担当バイスプレジデントを務めるSam Wang氏に話を聞いた。（2025/8/6）

GaN搭載6.6kW OBC試作品を公開：
「GaNのコストは5年以内にSi並みに」　ロームの勝ち筋は
「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。（2025/8/5）

Microchipが支えるモーター制御最前線：
PR：地球規模のエネルギー効率向上、鍵を握るのは”モーター制御の最適化”
現代社会では、家電製品から産業用機械まで、あらゆるところでモーターが使われています。世界のエネルギー消費の大半をモーターが占めている事を考えると、モーター制御を最適化して効率を高めることは非常に重要です。本稿では、モーターの構造、VFD(可変周波数ドライブ)の活用、ハードウェアサポートや高度なアルゴリズムを含むモーター制御アプリケーションのソリューションについて詳しく解説します。（2025/8/4）

山根康宏の海外モバイル探訪記：
Samsungを超える世界最薄折りたたみスマホ「HONOR Magic V5」は本当に薄い
2025年になってから、畳んだ厚さが約9mmを切る“激薄モデル”が次々と登場しているのです。（2025/8/4）

創業140年を迎える：
「われわれのDNAは製造業」 半導体用材料開発を加速する田中貴金属
田中貴金属グループは2025年7月31日、創業140年を記念した記者説明会を開催した。同社の売上高の7割を占める産業事業では、半導体用材料の開発やカーボンニュートラル実現への取り組みを強化する。【訂正あり】（2025/8/4）

中国とのコスト競争にも自信：
車載SiCモジュール強化の三菱電機、独自モジュール「J3」の新製品投入へ
三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。（2025/7/30）

データセンター／モバイルは伸長見込む：
ルネサス、Wolfspeed再建支援で25年上期は1753億円の赤字
ルネサス エレクトロニクスの2025年上期（1〜6月）の業績（Non-GAAPベース）は、売上高は前年同期比10.9％減の6334億円、営業利益は同484億円減の1757億円、当期純利益は同514億円減の1511億円だった。GAAPベースでの2025年上半期は、米Wolfspeedの再建支援として2350億円の損失を計上したことで、当期純損失が1753億円で赤字となった。（2025/7/28）

日本向けサポートが充実：
SiC／GaNにも　数秒で解析が完了するパワエレ向け国産回路シミュレーター
スマートエナジー研究所は「TECHNO-FRONTIER 2025」（2025年7月23〜25日、東京ビッグサイト）に出展し、パワーエレクトロニクス向けの高速回路シミュレーター「Scideam（サイディーム）」を紹介した。（2025/7/25）

追加の保護回路は不要：
AIサーバ向け　1200V／20AのSiCショットキーダイオード、Nexperia
Nexperiaは、最大定格1200V／20Aの炭化ケイ素（SiC）ショットキーダイオード「PSC20120J」「PSC20120L」の2種類をラインアップに追加した。AIサーバ、通信機器の電源ユニットなどでの利用を想定している。（2025/7/25）

複雑なパワー半導体の作製が容易に：
二酸化ゲルマニウム半導体技術が前進、イオン注入でn型導電性
Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）結晶膜に対し、イオン注入法によりドナー不純物を添加することで、n型導電性を付与することに成功した。これにより、複雑な構造を有するパワー半導体デバイスの作製が容易になる。（2025/7/25）

上面放熱パッケージで性能を引き出す：
PR：使いやすいSiCの到来――放熱設計と高速駆動の課題に応えるCoolSiC G2×Q-DPAK
自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。（2025/7/28）

アリゾナ工場への投資がヒントに：
GaN撤退のTSMC、その後の戦略を考察する
TSMCが窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業から撤退するニュースは大きな話題となった。撤退して後の「リソースの余力」を、TSMCはどこに振り分けるのか。（2025/7/24）

PCIM Expo&Conference 2025：
新JFETやSuper Junction品投入へ、InfineonのSiC戦略
Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。（2025/7/23）

研究開発の最前線：
高周波GaNトランジスタの性能向上に役立つ「二次元電子ガス」散乱機構を解明
東京大学は、住友電気工業と共同で、窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガリウム（GaN）のヘテロ接合における二次元電子ガス（2DEG）の散乱機構を解明した。（2025/7/22）

頭脳放談：
第302回 「一体何が？」花形だったはずのパワー半導体に悲報続出、EV市場と“中国”という誤算
浮き沈みの激しい日本半導体の中で、成長エンジンとして期待されていたパワー半導体分野に暗雲が立ち込めている。ルネサス エレクトロニクスが協業するパワー半導体向けのSiCウェハを製造するWolfspeedがChapter 11を申請してしまうなど、暗いニュースが続いている。TSMCもパワー半導体向けのGaNファウンドリ事業から撤退することを明らかにしている。パワー半導体についてのこうした残念なニュースの背景について解説する。（2025/7/18）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
中国の台頭、ファウンドリー顧客開拓……JSファンダリに見る半導体業界の課題
JSファンダリの破産は単に1社の事業が傾いたというだけでなく、半導体業界全体の課題や傾向が表れているように思います。（2025/7/17）

SiC／GaNも活用：
AIサーバラックへの電力供給は1台当たり1MW超に　高効率化で備えるInfineon
AIの需要増加で、ネットワーク上のデータ量は急速に増加している。2010年から2025年の15年間で、データ量は145倍になる見込みだ。チップ性能の向上で、計算量も指数関数的に増加していて、シングルプロセッサの電力需要は3〜4カ月ごとに倍増している。これに伴い、AIデータセンターによる送電網への負担、コスト、堅牢性／信頼性が重要な課題となっている。これに対しInfineon Technologiesは、AIデータセンター向けの電力供給システムの開発を進めている。（2025/7/16）

PCIM Expo&Conference 2025：
買収で市場機会拡大、SiC JFET技術獲得でonsemiが狙う新市場
2025年1月にQorvoのSiC JFET事業を買収したonsemiは、AIデータセンター向け電源におけるニーズへの対応やソリッドステート回路遮断器（SSCB）など新たな市場機会の開拓を進めている。（2025/7/15）

「日本初の独立系ファウンドリー」：
パワー半導体受託生産のJSファンダリが破産申請、負債総額約161億円
アナログ／パワー半導体の受託生産を手掛けるJSファンダリが、東京地裁に破産を申請した。東京商工リサーチによると、負債総額は約161億円だ。（2025/7/14）