「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

黒鉛電極の悪影響いまだ拭えず：
レゾナック25年Q3決算は91％減益、半導体は過去最高益も
レゾナックは2025年11月13日、2025年12月期第3四半期の決算を発表した。半導体・電子材料セグメントが増収増益するも、他4セグメントが減収減益だったことから、連結業績は減収増益になった。（2025/11/14）

中国の自国製シフトが業績に響く：
AIデータセンター向けでGaNやSiC品開発、IPMで新市場狙うサンケン電気
サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。（2025/11/14）

大山聡の業界スコープ（94）：
前門の虎、後門の狼 ―― 日本の半導体はどうすべきか
中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。（2025/11/14）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
「数の利」を地で行く中国
「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。（2025/11/13）

高速高電圧で高いCMRR特性を持ちながら導入しやすさを両立：
PR：差動プローブでSiC／GaNデバイスの正確な波形測定が可能に
半導体として優れた特性を持ち、採用拡大が進んでいる炭化ケイ素（SiC）／窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス。横河計測は、次世代パワーデバイスの高速な電気信号を正確に測定できる高電圧差動プローブを開発した。（2025/11/14）

NVIDIAの800V直流電源アーキテクチャに対応：
「スマホ大の12kW電力供給ボード」を目指す　STの次世代AI DC向け技術
STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。（2025/11/12）

サファイア基板＆PSJ技術：
独自技術で攻めるサンケン電気のGaN戦略　30年には縦型量産も
サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。（2025/11/12）

電力密度が30％以上向上：
次世代パッケージ採用のSiCパワーモジュール、インフィニオン
インフィニオン テクノロジーズは、同社のパッケージ「EasyPACK」の次世代ファミリー「EasyPACK C」を発表した。最初の製品として、SiCパワーモジュールの提供を開始している。（2025/11/12）

ラブライブ！蓮ノ空、最新シングルが発売延期に　ジャケットイラストに不備　Xでは「AI絵か」の指摘も
バンダイナムコミュージックライブは、声優ユニット・蓮ノ空女学院スクールアイドルクラブによる8枚目のシングルCD「はじまりの羽音」を発売延期すると発表した。制作進行に不備があり、ジャケットイラストに誤りがあったという。（2025/11/11）

耐プラズマ性や高温耐性などに注目：
半導体製造装置向けファインセラミックス、2030年に1.6兆円規模へ
矢野経済研究所によると、半導体製造装置向けファインセラミックス部材の世界市場は、2030年に1.6兆円を突破する見通しである。今後は、耐プラズマ性や高温耐性、高熱伝導性などに優れたファインセラミックスを用いた部材の需要拡大が見込まれるという。（2025/11/11）

26〜28年度の中計を発表：
ロームは28年度にSiC事業黒字化へ、中国にも「開発力で負けない」
ロームは2026年度から2028年度までの3カ年の中期経営計画を発表した。SiC事業については「2028年度に黒字化達成を確信している」と強調した。【訂正あり】（2025/11/10）

アミューズメント向けが好調：
ローム25年度上期は黒字転換　通期計画は上方修正
ロームの2025年度上期（2025年4〜9月）売上高は前年同期比5.3％増の2442億円、営業損益は前年同期の9億円の赤字から76億円の黒字に、純利益は同398.9％増の103億円になった。この結果を受け、同社は通期計画を上方修正した。（2025/11/10）

約5mmの大きさを実現：
「世界初」FZ法でルチル型二酸化ゲルマニウムバルク結晶を育成、Patentix
Patentixは、FZ法（浮遊帯域溶解法）を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。（2025/11/10）

dMode GaN HEMT向け：
GaNデバイスの低コスト化促進　X-FABがGaN-on-Siウエハー提供開始
アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。（2025/11/7）

高いテスト効率と拡張性を実現：
SiCやGaNにも対応、アドバンテストのパワー半導体向け統合テスト基盤
アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe（Make Test easy）」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査／評価を、高い効率で行うことができる。（2025/11/6）

Japan Mobility Show 2025：
デンソーの新型インバーターは電力損失7割削減、SDV対応のオリジナルSoCも開発
デンソーは、「Japan Mobility Show（ジャパンモビリティショー） 2025」で開催したプレスカンファレンスにおいて、SiCデバイスを採用した電動車向けの新型インバーターとSDV時代に対応する統合モビリティコンピュータを発表した。（2025/11/4）

25年の市場見込みは2869億円：
WBG半導体単結晶の世界市場、35年には8000億円超へ　パワー向けがけん引
矢野経済研究所の調べによれば、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の世界市場（メーカー出荷金額ベース）は、2025年に2869億円となる見込みで、2035年は8298億円規模に達するという。バッテリー電気自動車（BEV）や鉄道車両、産業機器などに搭載されるパワー半導体向けを中心に、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の採用が進む。（2025/10/31）

GaN-on-GaN技術で攻める：
onsemiが縦型GaNパワー半導体開発、700Vと1200V品をサンプル提供
onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。（2025/10/30）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2025年10月号：
IoTセキュリティの現在地――電子版2025年10月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年10月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『IoTセキュリティの現在地――深刻な失敗例と教訓、規制の後押し』です。（2025/10/30）

Yoleが調査結果を発表：
24年のGaNデバイス市場、シェア1位は中国　トップ5に日本勢なし
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。（2025/10/29）

「数年で製造コストをSiと同等に」：
300mm化、双方向スイッチ、車載――Infineonの最新GaNデバイス技術
Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。（2025/10/27）

300mm工場クリーンルームも公開：
Infineonのパワー半導体最前線　「技術革新の中核」フィラッハで聞く
Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。（2025/10/22）

大山聡の業界スコープ（93）：
パワー半導体はリチウムイオン電池の再来か　中国勢台頭の現実味
半導体製造装置など中国企業の発展、成長が著しい。特にパワー半導体分野において中国勢が台頭するのは時間の問題ではないかと思っている。今後中国製半導体製品はどのような進化、発展を目指しているのか。（2025/10/17）

部品面積26%縮小：
放熱性39%向上　ロームのTOLLパッケージSiC MOSFET
ロームは、TOLLパッケージのSiC MOSFET「SCT40xxDLL」シリーズの量産を開始した。同社従来品比で放熱性が約39％向上したほか、部品面積が約26％縮小。厚さも2.3mmに半減している。（2025/10/16）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
パワー半導体「技術革新の中心」Infineonフィラッハに訪問
インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。（2025/10/14）

組み込み開発ニュース：
ロームとインフィニオンがSiCパッケージを共通化、調達の柔軟性を拡大へ
ロームとInfineon Technologies（インフィニオン）は、SiCパワーデバイスのパッケージを共通化する協業を開始した。両社から互換製品を調達できるようになり、設計や調達の利便性が高まる。（2025/10/7）

6／8インチn型SiCウエハーも：
名古屋大ら、溶液成長法による6インチp型SiCウエハー試作に成功
オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。（2025/10/7）

従来比で体積60％減、重さは半減：
山手線車両に次世代VVVFインバーター装置、最新SiC搭載
東日本旅客鉄道（JR東日本）は、三菱電機が開発中の次世代車両駆動用インバーター装置（次世代VVVFインバーター装置）を山手線E235系電車に試験搭載し、制御状態やメンテナンス性などについて確認を行う。2026年2月ごろまで試験搭載し、得られた知見を次世代の車両設計・開発に活用していく。（2025/10/3）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
「安かろう悪かろう」は過去のもの　アップデート不足の自分に気付く
中国関連のニュースを見るたび、「人が多いってすごい」とつくづく思います。（2025/10/2）

工場ニュース：
山形工場にSiCエピタキシャルウエハーの建屋が完成、2026年に稼働
レゾナックは、レゾナック・ハードディスクの山形工場で、SiCエピタキシャルウエハーの生産建屋の竣工式を開催した。各種設備を導入して生産に向けた準備を進め、2026年に稼働する予定だ。（2025/10/2）

EE Exclusive：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。（2025/9/30）

京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏：
SiCの20年　ウエハーは「中国が世界一」に、日本の強みは何か
次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。（2025/9/29）

JR東、小型軽量化した「次世代インバータ装置」を山手線に試験搭載　取り付け場所フレキシブルに
山手線「E235系」電車1編成に、省エネ化・小型軽量化した「次世代車両駆動用インバータ装置」を試験搭載。（2025/9/26）

シリコンやGaNへの協業拡大も計画：
ロームとInfineon、SiCパワー半導体のパッケージ共通化で協業
ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。（2025/9/25）

福田昭のデバイス通信（503） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その4）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高輝度青色発光ダイオード」（後編）
前回に続き、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。高輝度青色LEDの誕生に至る「低温バッファ層」技術の偶然と必然、研究者の挑戦と快進撃を振り返ります。（2025/9/26）

DCグリッドの安全性を担う：
PR：DC遮断を次世代へ導く――インフィニオンが「CoolSiC」ブランド初のJFETを投入
エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。（2025/9/25）

電動化：
ロームとシェフラー、協業により新型高電圧インバータブリックを量産開始
ロームとシェフラーは、戦略的パートナーシップに基づき、中国大手自動車メーカー向けにロームのSiC MOSFETベアチップを組み込んだシェフラー製新型高電圧インバータブリックの量産を開始した。（2025/9/24）

材料技術：
パワー半導体接合材向けに粒径100nmの耐酸化ナノ銅粉を開発　従来の課題を克服
近年、銀価格の高騰を受けて、パワー半導体の接合材として銀粉の代わりに銅紛が求められている。しかし、銅粉は銀粉に比べて酸化しやすく、取り扱いが難しいという課題がある。これらの課題を解消した製品として、住友金属鉱山は「耐酸化ナノ銅粉」を開発した。（2025/9/22）

福田昭のデバイス通信（502） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その3）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高輝度青色発光ダイオード」（前編）
今回は、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。青色LED開発のブレークスルーを紹介します。（2025/9/17）

電力密度は従来の2.3倍に：
TO-247より省面積、ロームの新SiCパワーモジュール
ロームは、DOT-247パッケージを採用した2in1構成のSiCパワーモジュールを開発し、量産を始めた。PV（太陽光発電）用インバーターやUPS（無停電電源装置）、半導体リレーといった産業機器用途に向ける。（2025/9/17）

ポスト政策主導時代を迎える半導体市場（3）：
地政学要因で半導体製造は東南アジアとインドへ、東アジア一極集中の脱却なるか
半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。第3回は、転換点にある米欧の半導体政策に呼応する形で新たな産業政策を進める東南アジアの主要工業国やインドの政策動向を紹介する。（2025/9/12）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
面発光レーザー技術にドラマあり、開発者が語る実用化への道筋
「プロジェクトX」のような話でした。（2025/9/11）

数十kHzの高周波領域で高い性能：
電力損失を半減した鉄系磁性材料を開発　EV応用に期待
物質・材料研究機構（NIMS）は、東北大学や産業技術総合研究所（産総研）と共同で、電力損失を従来の半分以下に抑えることができる鉄系磁性材料を開発した。高周波トランスや電気自動車（EV）の駆動用電源回路といった用途での採用が期待される。（2025/9/9）

650A、800V以上に対応：
ロームのSiC搭載インバーター部品が量産開始、中国大手の新型EVに
ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。（2025/9/5）

希釈水素熱処理を2段階で実施：
SiC MOSデバイスの性能を向上し信頼性も大幅改善、大阪大
大阪大学の研究グループは、「高温での希釈水素熱処理」を2段階で行う独自の手法を用い、炭化ケイ素（SiC）MOSデバイスの性能を向上しつつ信頼性の大幅改善に成功した。（2025/9/4）

ロジスティクス：
相模原市に延べ7.8万m2のレンタルラボ併設型複合型物流施設開発　大和ハウス工業
大和ハウス工業は、神奈川県相模原市の「さがみロボット産業特区」内に、レンタルラボを併設する複合型物流施設「DPL相模原II」を建設する。竣工は2027年9月27日を予定している。（2025/9/3）

東芝D＆Sが量産開始：
体積を80％削減、表面実装型650V SiC MOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、表面実装パッケージ「TOLL」を採用した650V耐圧の炭化ケイ素（SiC）MOSFETとして3製品を製品化し、量産を始めた。スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。（2025/9/2）

先行き不透明感が際立つ：
2025年上半期の半導体業界を振り返る
世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。本稿では、2025年上半期の半導体業界を振り返る。（2025/8/29）

品質向上、供給拡大に向けて基本合意：
東芝D&S、中SICCとSiCパワー半導体用ウエハーで連携
東芝デバイス＆ストレージは2025年8月22日、中国の炭化ケイ素（SiC）ウエハーメーカーSICCとSiCパワー半導体ウエハーに関するビジネス上の連携に向けた基本合意を発表した。SiCパワー半導体の特性向上や品質改善および、安定的なウエハーの供給拡大に向けた連携を実施する。（2025/8/26）

TIが性能向上とコスト低減にまい進：
PR：データセンター省エネ化の立役者になるか　GaNデバイスがサーバ用電源を変える
小型で高効率な電源システムを実現できるGaNパワーデバイスの採用領域は、データセンターや自動車に広がりつつある。特に省電力が喫緊の課題となっているデータセンターでは、GaNに大きな期待が寄せられている。日本テキサス・インスツルメンツは、2025年7月に開催された「TECHNO-FRONTIER」で登壇し、データセンターにおけるGaNの活用について語った。（2025/8/25）