「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

onsemi CEO Hassane El-Khoury氏：
ファブライト化を強調、300mm工場への移行を急ぐ
onsemi（オンセミ）の社長兼CEOであるHassane El-Khoury（ハッサーン・エルコーリー）氏は2021年9月、日本のメディアとの合同インタビューをオンラインで行った。（2021/10/19）

アプライド マテリアルズ ブログ：
半導体イノベーションを支えるのは先端技術だけではない
米国の大手半導体製造装置メーカーであるアプライド マテリアルズ（Applied Materials）のブログの抄訳を紹介する本連載。今回は、同社のMaster Classイベントの開催と絡めて、ICAPS（IoT、通信、自動車、パワー、センサー）分野の動向について紹介する。（2021/10/15）

xEV、ADAS、ゲートウェイの3本柱：
第4世代R-Car SoCも発表、ルネサスが語る車載戦略
ルネサス エレクトロニクスは2021年10月6日、オンラインで記者説明会を実施。同社オートモーティブソリューション事業本部の事業本部長、片岡健氏が車載事業戦略について語った。（2021/10/14）

日本TI UCC14240-Q1：
EV向け1.5W絶縁型DC-DCバイアス電源モジュール
日本テキサス・インスツルメンツは、独自のトランスを内蔵した1.5W絶縁型DC-DCバイアス電源モジュール「UCC14240-Q1」を発表した。高い電力密度と小型軽量化により、電気自動車の走行距離が延長できる。（2021/10/13）

GaN Systemsとの契約締結で：
BMW、GaNパワー半導体の供給確保へ
GaN Systemsは、BMWとGaN（窒化ガリウム）トランジスタのキャパシティー（生産能力）を確保する契約を締結したことを発表した。供給が保証されることで、BMWはサプライチェーンの信頼性を確保することができる。GaN SystemsのCEO（最高経営責任者）を務めるJim Witham氏はインタビューの中で、「GaN Systemsは連続生産によって複数のアプリケーションに対応したキャパシティーを提供する」と述べている。（2021/9/30）

SiCパワー半導体などの熱を除去：
ロータス金属を用いた高効率の沸騰冷却器を開発
科学技術振興機構（JST）は、ロータス金属を用いた高効率の沸騰冷却器を、ロータス・サーマル・ソリューションが開発したと発表した。この技術を用いるとSiC（炭化ケイ素）パワー半導体や高性能CPUを効率よく冷却することが可能になる。（2021/9/27）

アプライド マテリアルズ ブログ：
シリコンカーバイド（SiC）が電気自動車の普及に拍車
米国の大手半導体製造装置メーカーであるアプライド マテリアルズ（Applied Materials）のブログの抄訳を紹介する本連載。今回のテーマは電気自動車への搭載が進むSiCデバイスだ。（2021/9/24）

UnitedSiCが9製品を新たに追加：
オン抵抗6mΩ品など耐圧750VのSiC FETを発表
米国UnitedSiCは、耐圧750Vでオン抵抗が6mΩと小さいSiC（炭化ケイ素）FETを発表した。競合するSiC MOSFET製品に比べオン抵抗は半分以下で、短絡保証時間定格は5マイクロ秒を実現している。（2021/9/15）

LCDドライバパッケージング専門：
UMC、台湾Chipbondの株式を9%取得
台湾のUnited Microelectronics Corporation（以下、UMC）は、LCDドライバのパッケージングを専門に手掛けるChipbond Technology（以下、Chipbond）と株式の交換（スワップ）を行った。それにより、UMCはChipbondの株式の9％を保有することになった。（2021/9/16）

技術的な協力関係をさらに強化：
昭和電工、ロームとSiCエピウエハーの長期供給契約
昭和電工は2021年9月13日、ロームとパワー半導体向けSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーに関する複数年にわたる長期供給契約を締結したと発表した。（2021/9/14）

FAニュース：
昭和電工がSiCエピウエハーをロームに供給、インフィニオンに続いて
昭和電工は、ロームとの間で、パワー半導体向けのSiC（シリコンカーバイド）エピタキシャルウエハー（以下、SiCエピウエハー）に関する複数年にわたる長期供給契約を締結したと発表した。（2021/9/14）

Littelfuseジャパン LSIC2SD170Bxxシリーズ：
1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード
Littelfuseジャパンは、1700V対応のSiCショットキーバリアダイオード「LSIC2SD170Bxx」シリーズの販売を開始する。産業や発電、エネルギー供給または貯蔵用途でのAC-DCおよびDC-DCパワーコンバーターに適する。（2021/9/7）

鏡面研磨の速度を従来の12倍に：
産総研ら、SiCウエハーの高速研磨技術を開発
産業技術総合研究所（産総研）は、パワー半導体用大口径SiC（炭化ケイ素）ウエハーの高速研磨技術を、ミズホや不二越機械工業と共同開発した。従来に比べ鏡面研磨を12倍の速度で行えるため、加工時間を大幅に短縮することが可能となる。（2021/9/2）

Clean Skyとの協業：
航空宇宙用途のSiCパワーモジュール開発、Microchip
Microchip Technologyは、欧州委員会（EC）コンソーシアムのメンバーであるClean Skyとの協業により、航空宇宙用途に向けたSiC（炭化ケイ素）ベースのパワーモジュール製品ファミリー「BL1/BL2/BL3」を開発した。（2021/9/1）

「録音専用車両」まで用意！　小田急、最後（？）の「1000形未更新車」こだわりツアー3種を開催
「最後の4両編成」ツアーが開催される、ということは……？　9月14日以降、順次発売します。（2021/8/31）

SiC製品を強化：
オンセミ、SiC材料を手掛ける米GTATを4億ドルで買収
onsemi（オンセミ）は2021年8月25日（米国時間）、SiCの製造を手掛ける米GT Advanced Technologies（以下、GTAT）を4億1500万米ドルの現金で買収する正式契約を締結したことを発表した。（2021/8/27）

契約金額は8億米ドル以上：
ST、Creeとの150mm SiCウエハー契約を再拡張
STMicroelectronics（以下、ST）は2021年8月17日（スイス時間）、Creeとの150mm SiC(炭化ケイ素）ウエハーに関する今後数年間の供給契約を拡張したことを明らかにした。（2021/8/27）

SiC技術を採用、最大1500Vに対応：
車載・産業用バッテリーパックのテスト装置を発表
キーサイト・テクノロジーは、車載や産業用途に向けたバッテリーパックのテストシステム「Scienlab SL1700A」シリーズを発表した。SiC（炭化ケイ素）技術を採用し、最大1500Vの高電圧バッテリーパックに対応する。（2021/8/26）

サンケン電気 パワーモジュール開発統括部長兼マーケティング統括部長 福田光伸氏：
PR：開発／生産効率アップで市場ニーズに応えるパワーモジュールを迅速投入 ―― サンケン電気
サンケン電気は2021年度から3カ年中期経営計画をスタートし、マーケティング力の強化、開発効率の向上を図り、パワーデバイス、パワーモジュール、センサーという3つのコアで構成する半導体事業の成長を図る。特に需要拡大が見込まれるパワーモジュール領域に注力し、白物家電、自動車、産業機器に向けた新製品投入を活発化させる方針。同社半導体事業本部マーケティング本部でパワーモジュール開発統括部長および、マーケティング統括部長を務める福田光伸氏にサンケン電気の技術／製品開発戦略を聞いた。（2021/8/24）

トレックス セミコンダクター 執行役員 山本智晴氏／開発本部 大川智氏：
PR：協業や企画力強化で省電力／小型／低ノイズ電源ICの価値の最大化に挑むトレックス
電源ICメーカーであるトレックス セミコンダクターは、省電力、小型、低ノイズといった特長を持つ高付加価値電源ICのラインアップを中高耐圧領域などへと広げている。同時に、ユニークな電源周辺デバイスの開発やパートナー企業との協業も積極的に行いシステムレベルのソリューションを構築し、電源ICの価値を最大化する取り組みにも着手。2021年度から5カ年の中期経営計画をスタートさせ、さらなる事業成長に挑む同社執行役員で製品企画 海外統括本部長を務める山本智晴氏と開発本部製品開発部XCL製品グループ長の大川智氏に、技術開発／製品開発戦略について聞いた。（2021/8/24）

マイクロチップ 1700V SiC MOSFET：
1700V SiC MOSFETのパワーソリューション
マイクロチップ・テクノロジーは、1700V SiC MOSFETのダイ、ディスクリートおよびパワーモジュールを発表した。同製品群をIGBTから置き換えることで、充電ステーションの小型化やバッテリー駆動車両の走行距離、動作時間の延長が可能になる。（2021/8/5）

車載用SiCパワーデバイスを中心に：
ローム、中国の吉利汽車と戦略的協力関係を締結
ロームは、SiCパワーデバイスを中心とした自動車向けの先進的な技術開発で、中国の自動車メーカーである吉利汽車（以下、Geely）と、戦略的パートナーシップを結んだ。（2021/8/5）

「欠陥を最小限に抑えた」と説明：
STマイクロ、200mmのSiCウエハーを製造
STMicroelectronics（以下、ST）は2021年7月27日（スイス時間）、次世代パワー半導体の試作用に200mm（8インチ）サイズのSiC（炭化ケイ素）バルクウエハーを自社工場で初めて製造した、と発表した。（2021/7/28）

Microchip Technologyが発表：
衛星／5G向けのKa帯GaN-on-SiC MMICパワーアンプ
現代の衛星システムは、地球表面を幅広くカバーし高速なブロードバンドデータ伝送を提供する静止衛星コンステレーションをベースとしている。Microchip Technologyが2021年6月に発表した新しいMMIC（モノリシックマイクロ波集積回路）パワーアンプ「GMICP2731-10」は、Kaバンド（27.5G〜31GHz）と高RF出力、GaN-on-SiC技術を活用することで衛星通信の厳しい性能要件に対応することができる。（2021/7/28）

電動化：
正確な劣化・寿命を個体別に検出できるEV用パワー半導体向け試験サービス
OKIエンジニアリングは、電気自動車（EV）用パワー半導体向け「劣化・寿命連続モニタリング試験サービス」の提供を開始した。高温逆バイアス試験と同社独自開発の全自動ログシステムを組み合わせることで、高精度な寿命予測とワイドギャップパワー半導体への対応も可能とした。（2021/7/28）

建物の全配電網にインテリジェンス統合を：
Infineon、電気制御のデジタル化に向けAmberと協業
Infineon Technologies（以下、Infineon）とAmber Solutions（以下、Amber）が協業を発表した。Amberが開発した半導体アーキテクチャによって電気のデジタル制御を実現する技術を、共同で製品化していく考えだ。（2021/7/15）

オシロスコープの最新動向：
多チャンネルのオシロスコープ特集〜大手5社の8chモデル紹介〜
今回はオシロスコープの最新動向として主要メーカー5社の8chモデルの概要を紹介する。（2021/7/12）

従来のIGBTに比べ損失を67％低減：
ローム、SiC SBDを内蔵した耐圧650VのIGBTを開発
ロームは、SiCショットキーバリアダイオード（SBD）を内蔵した耐圧650VのIGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65Cシリーズ」を開発した。車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠しており、xEV（電動化車両）や太陽光発電などの用途に向ける。（2021/7/12）

知財ニュース：
首位はデンソー、特許引用数で見る自動車部品メーカーの「他社けん制力」
パテント・リザルトは2021年7月5日、自動車部品メーカーを対象とした、「特許要件を満たさない特許出願」への拒絶理由として引用された特許件数の2020年版ランキングを公開した。（2021/7/8）

製造マネジメントニュース：
半導体は21世紀のキーパーツ、衰退した産業基盤を国家戦略でカバーできるのか
半導体関連の国際業界団体であるSEMIジャパンは2021年6月22日、経済産業省が主催する「半導体・デジタル産業戦略検討会議」の内容を中心に同省担当者らが半導体関連の産業戦略を解説するセミナーを開催した。（2021/7/2）

次世代パワー半導体の安定供給に向け：
ST、EV／HEV向けパワー半導体でルノーと戦略提携
STMicroelectronicsは2021年6月25日（スイス時間）、Renault Groupと電気自動車（EV）／ハイブリッド自動車（HEV）向け次世代パワー半導体の安定供給に向けた戦略的提携を結んだと発表した。（2021/6/29）

FLOSFIAが“自社工場”で生産へ：
量産間近の酸化ガリウムSBD、評価ボードも入手可能
京都大学発のベンチャーで、酸化ガリウムパワーデバイスの開発を手掛けるFLOSFIAは、「TECHNO-FRONTIER 2021」（2021年6月23〜25日／東京ビッグサイト 青海展示棟）に出展し、酸化ガリウムを使用したSBD（ショットバリアキーダイオード）「GaO-SBD」を搭載した評価ボードなどを展示した。（2021/6/25）

高温環境下で高信頼と電力損失低減：
東芝、SiC MOSFETのデバイス構造を最適化
東芝デバイス＆ストレージは、SiC（炭化ケイ素）MOSFETの新たなデバイス構造を開発した。新構造を採用することで、高温環境下における素子の信頼性向上と電力損失の低減を実現した。（2021/6/25）

耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵：
ローム、面実装のAC-DCコンバーターICを開発
ロームは、耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵したAC-DCコンバーターIC「BM2SC12xFP2-LBZ」を開発し、サンプル出荷を始めた。面実装が可能な小型パッケージ（TO263-7L）で供給する。（2021/6/21）

オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2：
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。（2021/6/18）

電動化：
手乗りサイズのGaNモジュールを富士通ゼネラル子会社が開発、EV補機向けにも展開
富士通ゼネラル傘下の富士通ゼネラルエレクトロニクスが米国トランスフォーム製のGaN-FETチップを採用した最大定格650V／40A級の小型GaNモジュールを開発。200Vクラスを上回る高耐圧で、ゲートドライブ回路を内蔵するとともに、パワーデバイスを4素子以上搭載するフルブリッジ構成のGaNモジュールは「業界初」（同社）だという。（2021/6/16）

富士経済が世界市場を調査：
パワー半導体、2030年に4兆471億円規模へ
パワー半導体市場は2020年の2兆8043億円に対し、2030年は4兆471億円規模に達する見通し――。富士経済が、SiC（炭化ケイ素）などの次世代パワー半導体とSi（シリコン）パワー半導体の世界市場を調査した。（2021/6/15）

製造マネジメントニュース：
先端ロジック半導体のファウンドリを国内誘致へ、半導体・デジタル産業の国家戦略
経済産業省は2021年6月4日、半導体産業やデジタル産業を国家戦略として推進する「半導体・デジタル産業戦略」を取りまとめ公開した。全ての産業の根幹にデジタル産業、半導体産業があると位置付け、先端ロジック半導体の量産化に向けたファウンドリの国内誘致推進などの戦略を紹介した。（2021/6/7）

製造マネジメントニュース：
三菱電機が新中計、5つの重点成長事業で2025年度に売上高5兆円と営利10％目指す
三菱電機が2021〜2025年度の中期経営計画について説明。2025年度目標として、売上高5兆円、営業利益率10％、ROE10％、5年間累計のキャッシュジェネレーション3.4兆円を掲げるとともに、重点成長事業に定めた、FA制御システム、空調冷熱システム、ビルシステム、電動化／ADAS、パワーデバイスの5事業に資源投入を重点配分する方針を打ち出した。（2021/6/4）

組み込み開発ニュース：
東芝がトリプルゲートIGBTを開発、3つのゲート電極でスイッチング損失を4割削減
東芝は、インバーターやDC-DCコンバーターなどの電力変換器に広く用いられているパワー半導体のIGBTについて、電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の損失を従来比で最大40.5％低減できる「トリプルゲートIGBT」を開発したと発表した。今後、信頼性の確認など実用化に向けた開発を進めて、2023〜2024年に製品化を判断したい考え。（2021/6/2）

縦型MOSFETとCMOSを1チップに：
産総研、SiCモノリシックパワーICの開発に成功
産業技術総合研究所（産総研）は、SiC（炭化ケイ素）半導体を用い、縦型MOSFETとCMOS駆動回路をワンチップに集積したSiCモノリシックパワーICを開発、そのスイッチング動作を確認した。SiCモノリシックパワーICを実現したのは世界で初めてという。（2021/6/2）

自動車業界の1週間を振り返る：
「人テク展」がオンラインで開幕、バーチャルだからこその発見もあるかも
5月が終わります！　1週間、お疲れさまでした。（2021/5/29）

製造マネジメントニュース：
デンソーが人工光合成システムを開発中、回収した炭素はカーボンナノチューブに
デンソーは2021年5月26日、オンラインで事業戦略説明会を開き、2035年のカーボンニュートラル達成に向けたロードマップを発表した。（2021/5/27）

TIが製品群を紹介：
EVは「パワートレインの統合」がトレンドに
Texas Instruments（TI）の日本法人である日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は2021年5月17日、記者説明会を開催し、電気自動車（EV）のパワートレインのシステムを統合するアーキテクチャについて説明した。（2021/5/25）

インフィニオン FF11MR12W1M1_B70、FF6MR12W2M1_B70：
窒化アルミニウム採用のSiC MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。（2021/5/24）

車載半導体：
インフィニオンが電動車向けSiCパワーデバイスを強化、武器はIGBTからの移行しやすさ
インフィニオンは、EV（電気自動車）向けのSiCパワーデバイスの展開を本格化させる。これまでハイブリッド車（HEV）など電動車向けに100万個以上の出荷実績があるIGBT搭載のモジュール「Hybrid PACK Drive」にSiC搭載版を用意し、自動車メーカーがこれまでと同じフットプリントのままインバーターをアップグレードできるようにする。（2021/5/24）

航続距離を5％以上伸ばせる：
EVのインバーター向けSiC-MOSFETパワーモジュール
Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2021年5月19日、電気自動車（EV）やハイブリッド自動車（HEV）といった電動車両のトラクションインバーター向けに、SiC-MOSFETを搭載したパワーモジュール「HybridPACK Drive CoolSiC」を発表した。（2021/5/21）

面積を約20％削減、信頼性は2倍に：
東芝、SiCモジュール向けパッケージ技術を開発
東芝デバイス＆ストレージは、SiC（炭化ケイ素）モジュール向けパッケージ技術を開発したと発表した。従来のパッケージ技術に比べ、面積を約20％削減でき、製品の信頼性は2倍に向上するという。（2021/5/12）

高まる需要に応える：
Infineonと昭和電工、SiC材料の供給で契約
Infineon Technologies（以下、Infineon）は2021年5月6日（ドイツ時間）、昭和電工と、エピタキシーを含む広範囲なSiC材料の供給契約を締結したと発表した。これによりInfineonは、SiC製品の需要拡大に対応するための基材を確保できたと述べている。契約期間は2年間で、延長のオプションがある。（2021/5/7）

電子ブックレット（FA）：
東芝300ｍｍウエハーライン増強／キオクシア四日市第7棟起工
MONOistに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、2021年1〜3月に公開した工場関係のニュース（16本）をぎゅっとまとめた「工場ニュースまとめ――2021年1〜3月」をお送りします。（2021/4/26）