「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

1週間を凝縮！ 今週の製造業ニュース：
デンソー新型SiCなど世界初公開23件！　「人テク展」が映す自動車技術の現在地
2026年5月25〜29日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週の注目ニュースをお届けします。「人とくるまのテクノロジー展2026」が開催されました。（2026/5/30）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
近くて遠い中国　日本の半導体業界はどう付き合うか
他国との交流は政治、ビジネス、文化などさまざまな形があります。どれかがうまくいかないことがあっても他の形はしっかり続いてほしいなと思います。（2026/5/28）

東芝D＆Sがサンプル出荷開始：
次世代データセンター向け1200V SiC MOSFET、オン抵抗58％削減
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58％削減している。（2026/5/28）

人とくるまのテクノロジー展2026：
新型「bZ4X」の走行距離が伸びた理由、デンソーの「世界初」と「世界最高」が貢献
デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2026 YOKOHAMA」において、「世界初」となる独自3次元構造のSiCパワー半導体と、「世界最高」の出力密度とするコアモジュールを組み込んだ新型インバーターを披露した。（2026/5/28）

26年度中の適用目指す：
立体配線でSiCの体積／損失を半減　富士電機の新パッケージ技術
富士電機は2026年5月26日、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の小型化／低損失化を実現する立体配線構造を開発したと発表した。従来比で製品体積を約5割削減できたほか、モジュール内部回路配線のインダクタンスを約7割、スイッチング損失を約5割低減したという。（2026/5/28）

最大400Vのスタンドオフ電圧：
高電圧車載レール用TVSダイオード、GaN／SiCデバイスの保護用途に
Littelfuseは、最大400Vのスタンドオフ電圧に対応するTVSダイオードを発表した。GaN／SiC MOSFETやIGBTを高エネルギー過渡現象から保護する。（2026/5/28）

技術商社が日本企業に提言：
中国SiCの進化「日本は追い付けないレベル」　競わず活用を
技術商社のマルエム商会が炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社が正規代理店を務める国内外メーカーのSiC関連製品や技術を組み合わせ、日本の顧客に提案するという。同社は記者会見を開催し、同社のSiCビジネスについて説明したほか、急速に進展している中国SiC業界の現状についても解説した。（2026/5/27）

東京大学とNTTが開発：
SiCの理論限界に迫る低損失　AlN系SBDの動作実証に成功
東京大学とNTTは、損失が極めて小さい窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオード（SBD）を開発し、動作実証に成功した。作製した素子は、AlN系デバイスの中で世界最小となるオン抵抗0.34mΩcm2および、逆方向耐圧400V（最大破壊電界8MV/cm）を達成した。この値はSiCやGaNの理論限界に迫るものだという。（2026/5/27）

組み込み開発ニュース：
2035年のパワー半導体市場は7兆3495億円に倍増、酸化ガリウムが149億円規模に
富士経済は、パワー半導体の世界市場調査結果を発表した。2035年の市場規模は2025年比95.7％増の7兆3495億円に達する予測だ。次世代製品の実用化が市場をけん引する。（2026/5/22）

素材／化学メルマガ 編集後記：
中国式市場経済は「多産多死」と「神の見える手」で成長、どゆこと？
今回は、マルエム商会のSiC製品ビジネスに関連する中国の市場動向について、つらつら語っています。（2026/5/22）

製造マネジメントニュース：
中国製SiCウエハーの安さと驚く生産規模　技術商社が仕掛ける新しい「右から左」
低コストと大規模な生産能力で注目される中国のSiC製品。日本企業に対し、老舗技術商社のマルエム商会が「Best-Fitナビゲーター」として、SiCパワー半導体で必要な中国のSiC製品を提供する。「単なる『右から左へ』の商社ではない」という同社のビジネスモデルとは……。（2026/5/22）

京都大学 工学研究科 准教授 金子光顕氏：
SiC LSIの事業化に挑む　28年以降ADCのサンプル出荷へ
京都大学 工学研究科 准教授の金子光顕氏は、炭化ケイ素（SiC）を用いた高温動作LSIの研究開発と事業化に取り組んでいる。まずは高温環境向けのA-Dコンバーター（ADC）開発を進め、2028〜2029年ごろのサンプル出荷を目指す。SiC LSIの可能性や社会実装に向けた課題、事業化の展望について聞いた。（2026/5/19）

組み込み開発ニュース：
高温時のオン抵抗を3割削減、ロームの「第5世代SiC MOSFET」
ロームは、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発した。ジャンクション温度175℃でのオン抵抗を同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30％低減しており、車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。（2026/5/15）

上期業績予想も上方修正：
レゾナック26年1Qは126.4％増益　後工程材料が絶好調
レゾナックは2026年5月13日、2026年12月期第1四半期（2026年1〜3月）の決算を発表した。売上高は3079億円で前年同期比4.1％減、営業利益（国際会計基準［IFRS］ではコア営業利益）は336億円で同126.4％増、純利益は153億円で同74.6％増だった。減収も半導体・電子材料の好調やケミカルの赤字縮小などで増益した。（2026/5/14）

26年度は増収増益、黒字転換へ：
「膿み出し切った」SiC関連減損で過去最大1584億円赤字　ローム
ロームの2025年度通期業績は、純損益1584億円と過去最大の赤字となった。赤字は前期から2年連続。SiCパワー半導体の生産設備を中心に1936億円の減損損失を計上した結果で、同社社長の東克己氏は「（これまでの『膿み』は）今回の減損で出し切れたとみている。これからは上げていく方向だけに注力できる」と述べた。（2026/5/13）

車載、産業機器向け：
オン抵抗30％低減　ロームの第5世代SiC MOSFET
ロームは、車載用電動パワートレインや産業機器向け電源に適した「第5世代SiC MOSFET」を開発した。従来の第4世代品と比較して、175℃時のオン抵抗値を約30％低減している。（2026/5/13）

数十億ユーロを投資し製造能力強化：
ボッシュ、第3世代SiCチップを開発　性能20％向上
ボッシュは、同社として第3世代となる炭化ケイ素（SiC）チップを開発し、サンプル出荷を始めた。従来品に比べ性能を20％向上させつつ、チップサイズの小型化を図った。製造能力も強化し、ドイツと米国の製造拠点で数十億ユーロを投資する。（2026/5/9）

組み込み開発ニュース：
パワーデバイスの損失や温度上昇を数秒で検証できる高速シミュレーターを公開
ロームは、パワーデバイスの動作をWeb上で高速にシミュレーションできる「ROHM PLECS Simulator」を公開した。回路設計の初期段階において、最適なデバイス選定にかかる工数を大幅に削減する。（2026/5/8）

AIサーバ、車載など向け：
SiC／GaNモジュールにも好適　78ピコ秒PWM搭載のDSC
マイクロチップ・テクノロジーは、AIサーバやデータセンター、車載、産業機器向けDSC「dsPIC33AK256MPS306」を発表した。78ピコ秒の分解能を有するPWMを搭載している。（2026/5/7）

2026年5月20日（水）／視聴無料：
SiC／GaNの最新動向からEMCまで――「パワーデバイスセミナー」開催！
EE Times Japan／EDN Japanは2026年5月20日（水）、オンラインセミナー「パワーデバイスセミナー 2026 春 『省エネの主役』に躍り出たパワー半導体の最前線」を開催いたします。（2026/5/1）

2025年比で95.7％増に：
パワー半導体世界市場、2035年は7兆円超え　酸化ガリウムも一定規模に
富士経済は2026年4月、パワー半導体世界市場の予測を発表した。2030年ごろから次世代パワー半導体の実用本格化が進み、市場が大幅に拡大。2035年には、2025年比で95.7％増となる7兆3495億円になると予測する。（2026/5/1）

ローム、東芝との統合協議にも言及：
パワー停滞も光デバイス堅調、三菱電機の半導体部門
三菱電機は2025年度通期（2025年4月〜2026年3月）業績を発表した。半導体部門（セミコンダクター・デバイスセグメント）の売上高は前年度比7億円増の2871億円、営業利益は同69億円増の475億円だった。パワー半導体の需要停滞は継続したが、通信用光デバイスが堅調に推移した。（2026/4/30）

「関西ネプコン」で12インチSiCエピウエハーを国内初展示：
PR：「中国SiC技術を使いこなせ」――マルエム商会が示すパワー分野の現実解
マルエム商会が、炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社のパートナーである国内外企業のSiCパワーデバイス関連技術／製品を、日本企業の要求に合うよう組み合わせ、ソリューションとして提案する。特に、近年著しく成長している中国／台湾のSiC関連企業の技術や製品を活用できるようになることが大きな利点だ。（2026/4/30）

EE Exclusive：
次世代パワー半導体　「期待の5材料」の現在地
AIデータセンターや電動車（xEV）の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。（2026/4/30）

車載機器や産業機器向け：
ロームが第5世代SiC MOSFET、高温時のオン抵抗30％低減
ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。（2026/4/24）

複数のトポロジーに対応：
過酷環境での電力変換向けSiCモジュール、マイクロチップ
マイクロチップ・テクノロジーは、過酷な環境下での電力変換用途向けSiCパワーモジュール「BZPACK mSiC」を発表した。高温、高湿環境下での信頼性規格「HV-H3TRB」に適合している。（2026/4/23）

世界で戦える企業体に：
三菱電機、ローム・東芝との統合は「非常にポジティブ」
三菱電機は2026年4月15日、パワーデバイス製作所福岡地区（福岡市）に新工場棟「パワーデバイスA棟（PA棟）」を建設し、竣工式を行った。現地では同社半導体・パワーデバイス事業本部長の竹見政義氏が、ローム、東芝とのパワー半導体事業統合についても語った。（2026/4/17）

TEDとアイテスが協業：
SiCデバイスの潜在欠陥、ウエハーレベルで可視化へ
東京エレクトロン デバイス（TED）とアイテスは、SiCデバイスの潜在欠陥をウエハーレベルで可視化する検査ソリューション分野で協業する。UVレーザー技術を用いた新製品「SiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーターITS-SCX100」の開発などを行っていく。（2026/4/17）

大山聡の業界スコープ（99）：
ローム・東芝・三菱電機のパワー半導体はどうなるか
2026年3月は日本国内のパワー半導体業界を揺るがす報道が続いた。今回は、国内パワー半導体の再編の動きの現状、や背景、今後の見通しを整理してみる。（2026/4/17）

高効率と高電力密度を実現：
AIサーバ向け1200V対応SiC MOSFETモジュール、SemiQ
SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。（2026/4/17）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
日の丸パワー半導体狂想曲の行く末　エルピーダルネサスJDIを他山の石に
“日の丸××”には苦い記憶が。にんともかんとも……。（2026/4/16）

早稲田大学や物質・材料研究機構ら：
自然界に存在しない構造を持つ2次元酸化鉄を作製
早稲田大学や物質・材料研究機構（NIMS）、日本原子力研究開発機構、東京大学および、名古屋大学の研究グループは、自然界には存在しない構造を持った2次元酸化鉄を作製することに成功した。（2026/4/15）

ローム買収は「広く検討」：
「技術を束ねて高価値システムに」　デンソーが2030年中計発表
デンソーは中期経営計画説明会「DENSO DIALOG DAY 2026」で、新たな中期経営計画「CORE 2030」の策定を発表した。3本の柱を成長戦略に、2030年の売上高8兆円以上、営業利益10％以上を目指す。（2026/4/13）

湯之上隆のナノフォーカス（89-1）：
ヘリウム調達停止――AIブームを崩壊させる「見えない臨界点」（前編）
米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】（2026/4/9）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
EVに吹く逆風　デンソーの焦りとロームが求める勝機とは
日本のパワー半導体業界では、デンソーによるローム買収提案や、ローム／東芝／三菱電機の3社連合など、再編にまつわる話題が相次いだ。今回は、電気自動車（EV）市場に関する各半導体メーカーの見解を振り返りながら、パワー半導体の新たな成長市場についても考察する。（2026/4/8）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
中国の「猛烈なキャッチアップ」　なぜ可能なのか
「数十年前の日本」なのかもしれません。（2026/4/6）

電力損失50％以上低減：
ローム、8インチSiC MOSFET開発の技術目標を2年前倒しで達成
ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。（2026/4/3）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
「世界2位」は実現するか、ローム、東芝、三菱電機とデンソーの選択は
ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。（2026/4/2）

製造マネジメントニュース：
デンソーが新中計「CORE 2030」を発表、3本柱の成長戦略で営業利益率10％必達へ
デンソーが2026〜2030年度の中期経営計画「CORE 2030」について説明。「商品づくりの強化」「モノづくりの革新」「人づくり・パートナー協創」という3本柱の成長戦略に基づき、2030年度に売上高8兆円以上、営業利益率10％以上、ROE11％以上などの目標達成を目指す。（2026/4/1）

メイコーの最新技術とは：
高多層や部品内蔵で高密度化　DX要求に応える基板の進化
電子回路基板（PCB）を手掛けるメイコーは、プレス向けセミナーを開催。高密度配線のニーズに向けて開発を進める、モジュール／パッケージ基板や高多層基板、部品内蔵基板などの技術について紹介した。（2026/3/31）

Power Diamond Systems 藤嶌辰也氏／宇田川昌和氏：
「究極の半導体」ダイヤモンドを社会へ　動態展示も実現の早大発新興
電力需要の増大でパワー半導体の性能向上の重要性が高まる中、次世代パワー半導体の研究開発が進んでいる。中でも優れた物性値を誇り、「究極の半導体材料」と称されるのがダイヤモンドだ。ダイヤモンド半導体の研究を進めるPower Diamond Systems（PDS） Co-Founder&CEOの藤嶌辰也氏、同社 事業連携統括 宇田川昌和氏に、ダイヤモンド半導体の社会実装に向けた同社の取り組みについて聞いた。（2026/3/30）

AIデータセンターなど向け：
第5世代トレンチアシストプレーナーSiC MOSFET、Navitas
Navitas Semiconductorは第5世代「GeneSiC」プラットフォームを発表した。トレンチアシストプレーナー構造によって損失を低減し、高効率と高信頼性を実現するものである。（2026/3/27）

次世代SiCアプリケーションに対応：
オプトエミュレーター入力搭載の絶縁ゲートドライバー、Infineon
Infineon Technologiesのシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー「1ED301xMC121」シリーズは、フォトカプラベースの設計とピン互換性のある製品だ。（2026/3/26）

日本担当カントリーマネージャー　高桑浩一郎氏：
PR：自動車と産機を軸に成長加速へ、データセンター用電源が追い風に　STマイクロエレクトロニクス
長引く調整局面を乗り越え、2025年第4四半期に前年同期比プラスへ転換したSTマイクロエレクトロニクス。NXP SemiconductorsのMEMS事業買収や、AIアクセラレーター搭載マイコンの市場投入、800V直流アーキテクチャ用電源の開発など、次々と打ち手を講じている。STマイクロエレクトロニクス 日本担当カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、各事業分野の注目製品や日本での戦略を聞いた。（2026/3/26）

知っておきたいSiCパワー半導体：
SiCパワー半導体とは？　大電力製品の小型・軽量化にむけて
今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。（2026/3/23）

材料技術：
2nmノードのGAAトランジスタの製造課題を解消する3機種
アプライドマテリアルズジャパンは、プレスラウンドテーブル「次世代トランジスタ技術によるAI性能の最大化」を開催し、2nmノードのGAAトランジスタの製造課題を解消する3機種を紹介した。（2026/3/19）

13部門で審査：
EDN、2025年「Product of the Year」発表〜センサー/電源編〜
米EDNが2025年の「Product of the Year Awards」の受賞製品を発表した。13部門で100超の製品を審査している。前編となる今回は、センサーや電源などのカテゴリーでの受賞製品を紹介する。（2026/3/19）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
「再編待ったなし」のパワー半導体業界
基礎研究から実用化までをいかにスピードアップできるかが、鍵だと思います。（2026/3/16）

モビリティメルマガ 編集後記：
ローム買収を検討するデンソーは半導体メーカーになり切れるのか
半導体を作ってるだけでは半導体メーカーとはいえません。（2026/3/11）

最新世代SiC MOSFET採用：
Vishay、1200V対応SiCパワーモジュール5製品
Vishayが1200V対応SiCパワーモジュール5製品を発表した。SOT-227パッケージで既存ソリューションのドロップイン置き換えに対応し、EV充電器や太陽光インバーターなどで高効率化を実現する。（2026/3/11）