「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

時価総額6倍は5年延長：
「やっぱりルネサスだと言われないと」 柴田CEOが原点回帰を強調
ルネサス エレクトロニクスは2025年6月26日に経営戦略説明会を実施。社長の柴田英利氏は、組み込みプロセッシングという同社のコアの強みを磨くべく「基本に立ち戻る」ことを強調した。（2025/6/27）

足元でEV低調も「電動化がけん引」とYole：
SiCパワーデバイス市場は年率20％で成長、30年に103億ドル規模に
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、SiCパワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2030年には103米ドル規模に拡大する見込だという。（2025/6/27）

名古屋にも拠点設立：
自動車48V化に対応　日本のMOSFET市場に本格参入する台湾セミコンダクター
Taiwan Semiconductorは日本のMOSFET市場に本格参入すると発表し、「PerFET80Vシリーズ」「PerFET100Vシリーズ」の販売を開始した。発表に合わせて同社は日本のメディア向けに説明会を開催した。（2025/6/27）

組み込み開発ニュース：
ルネサスが「意志ある踊り場」で研究開発に注力、成長目標達成時期は5年延期
ルネサス エレクトロニクスが同社の概況や事業方針などについて説明。市場環境の不確実性が高まる中で、成長目標の達成時期を2030年から2035年に延期するとともに、研究開発への注力による足場固めを優先する方針を表明した。（2025/6/27）

組み込み開発ニュース：
異種材料接合を用いた高出力THzデバイスの量産技術を確立
OKIは、NTTイノベーティブデバイスと共同で、異種材料接合を用いた高出力テラヘルツ（THz）デバイスの量産技術を確立した。2026年の量産化を目指す。（2025/6/26）

航続距離伸長や高性能化に貢献：
トヨタの中国向け新型BEV、ローム製SiC MOSFETを搭載
ロームは、トヨタ自動車などが開発した中国市場向け新型クロスオーバーBEV「bZ5」に、第4世代SiC MOSFETを搭載したパワーモジュールが採用されたと発表した。（2025/6/25）

業績予想は変更せず：
ルネサスがWolfspeedの再建支援、Q2には2500億円の減損か
ルネサス エレクトロニクスがWolfspeedの財務再建に関する再建支援契約を締結した。これに伴い、ルネサスは2025年12月期第2四半期連結決算において、最大約2500億円規模の損失を計上する可能性があるとしている。（2025/6/23）

高効率の電力供給システム開発へ：
ロームとNVIDIA、AIファクトリー実現に向け協業
ロームは、次世代AIデータセンターに向けた「800V電力供給アーキテクチャ」の開発で、NVIDIAと協業する。新たなデータセンターの設計に対しロームは、Si（シリコン）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など、最先端のパワー半導体デバイスを提供していく。（2025/6/19）

超低損失と高飽和磁束密度を両立：
次世代パワエレ向け軟磁性ナノ結晶圧粉コアを開発
トーキンは、次世代パワーエレクトロニクスに向けた「軟磁性ナノ結晶圧粉コア」を、東北大学と共同開発した。新材料は従来材料を大きく上回る超低損失と高飽和磁束密度を実現しており、電力変換機器のさらなる高効率化と小型化が可能となる。（2025/6/13）

6Gなどに向け2026年の量産目指す：
フォトダイオードをSiC上に接合、高出力テラヘルツデバイスを実現
OKIとNTTイノベーティブデバイスは共同で、異種材料接合によって高出力テラヘルツデバイスを高い歩留まりで量産できる技術を確立した。この技術を用い、6Gや非破壊センシングに用いられるテラヘルツデバイスの量産を2026年より始める。（2025/6/11）

EVや再生可能エネルギー向け：
高温環境下でオン抵抗20％減、東芝のSiCトレンチMOSFET
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高温環境下での動作が求められる電気自動車（EV）や再生可能エネルギーなどの電力変換用途に向け、信頼性と効率の向上を可能にする「炭化ケイ素（SiC）トレンチMOSFET」と「SiCスーパージャンクションショットキーバリアダイオード（SJ-SBD）」を開発した。（2025/6/11）

冷却システムを61％小型化できる可能性：
東芝　熱抵抗を21％低減する樹脂絶縁型SiCモジュール開発
東芝は2025年6月4日、樹脂絶縁型SiC（炭化ケイ素）パワー半導体モジュールの新技術を発表した。独自の「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」により、従来のセラミック絶縁型モジュールと比較して熱抵抗を21％低減し、冷却システムのサイズを61％削減できる可能性を示した。（2025/6/4）

シミュレーション時間がほぼ半減：
ローム、SiC MOSFET用の新SPICEモデルを公開
ロームは、パワー半導体のシミュレーション時間を従来に比べ半減できる新SPICEモデル「ROHMレベル3（L3）」を開発した。L3の第4世代SiC MOSFETモデル（37機種）は既にウェブサイト上で公開しており、製品ページ画面などからダウンロードできる。（2025/6/3）

初のDFN8×8採用品：
90％超の小型化！650V耐圧第3世代SiC MOSFET搭載の新製品、東芝D＆S
東芝デバイス＆ストレージは、650V耐圧の第3世代SiC MOSFETを搭載した4製品を発表した。小型面実装パッケージのDFN8×8を採用し、従来のリード挿入型と比べて体積を90％以上削減。機器の電力密度の向上に貢献する。（2025/6/2）

拡張性に優れたEVパワートレイン設計に：
「ASIL-D」準拠に貢献する車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバー、ST
STマイクロエレクトロニクスは、SiC MOSFETおよびIGBT向けの車載用ガルバニック絶縁型ゲートドライバ「STGAP4S」を発表した。「ASIL-D」準拠に貢献する保護機能と診断機能を備えている。（2025/5/28）

人とくるまのテクノロジー展2025：
SiCデバイスの効率を最大化する絶縁型サーミスタ、すぐそばで動作温度を測れる
村田製作所は、「人とくるまのテクノロジー展 2025 YOKOHAMA」において、パワー半導体用NTCサーミスタ「FTIシリーズ」を展示した。（2025/5/27）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
Wolfspeed「破産申請準備」報道の衝撃、SiCパワー半導体業界の行方
まさかWolfspeedが……。報道を聞いたときには衝撃が走りました。（2025/5/26）

次世代パワー半導体量産の基盤技術：
独自手法でβ型酸化ガリウムを高速成長
東京農工大学の熊谷義直教授らのグループは、次世代パワー半導体の材料として注目されている「β型酸化ガリウム」結晶を、高速に成長させる技術を開発した。このβ型酸化ガリウム結晶は、独自の減圧ホットウォール有機金属気相成長（MOVPE）法を用いて成長させ、高い精度でn型キャリア密度を制御している。（2025/5/26）

人とくるまのテクノロジー展2025：
GaNデバイスの真価は縦型にあり、豊田合成がGaNウエハーとGaN-MOSFETを披露
豊田合成は、「人とくるまのテクノロジー展 2025 YOKOHAMA」において、GaNウエハーとGaN-MOSFETに関する研究開発成果を披露した。（2025/5/23）

2035年には6195億円に拡大も：
SiCウエハー市場、単価下落で伸び率鈍化
富士経済は、パワー半導体向けウエハーの世界市場について、2035年までの予測を発表した。特に注目しているがSiCウエハー市場で、2024年の1436億円に対し、2035年は6195億円と約4.3倍に拡大すると予測した。（2025/5/23）

人とくるまのテクノロジー展2025：
デンソーがSiCウエハーの生産効率を15倍に、新開発のゲート駆動ICで効率1割増し
デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展 2025 YOKOHAMA」において、8インチSiCウエハーの新たな工法と、SiCデバイスで構成するインバーターの効率を向上できる新開発のゲート駆動ICを紹介した。（2025/5/22）

車載ソフトウェア：
新型RAV4の開発でウーブンバイトヨタの「Arene」初採用、SDV本格化へ
ウーブン･バイ･トヨタはトヨタ自動車が発表した「RAV4」の新モデルの開発に、ソフトウェア開発プラットフォーム「Arene（アリーン）」が初採用されたと発表した。（2025/5/22）

製造マネジメントニュース：
レゾナックが減収もコア営業利益は増益　AI半導体向け後工程材が好調
レゾナック・ホールディングスは、2025年度第1四半期（1〜3月）の売上高が前年同期比0.3％減の3211億円で、営業利益は同51％減の139億8200万円となった。営業利益から非経常的な要因により発生した損益を除外したコア営業利益は同55％増の148億円を記録した。（2025/5/22）

「AIチップで直接電力変換を可能に」：
NVIDIAとInfineon、AIサーバ向け800V電力供給アーキテクチャを共同開発
Infineon TechnologiesがNVIDIAと協業し、次世代AIデータセンター向けに「業界初」（同社）の800V高電圧直流（HVDC）電力供給アーキテクチャを開発する。Infineonは「将来のAIデータセンターに必要な電力供給アーキテクチャに革命を起こす」などと強調している。（2025/5/21）

パッケージ温度を38℃抑制：
実装面積を52％削減　高電力密度のOBC向けSiCモジュール、ローム
ロームは、4個または6個のSiC MOSFETを内蔵した、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。750V耐圧品「BSTxxx1P4K01」を6品番、1200V耐圧品「BSTxxx2P4K01」を7品番用意する。（2025/5/20）

ロジスティクス：
三井不動産が茨城に延べ9.8万m2の物流施設完成　ダブル連結トラック対応、工場としても活用
三井不動産が茨城県つくばみらい市で開発を進めていた「MFLPつくばみらい」が竣工した。ダブル連結トラックが走行、転回可能なスペースを整備し、ドライバー専用の休憩施設も整備。また、サプライチェーンの課題解決を支援する複合用途開発を実現した。（2025/5/19）

深刻な不確実性が潜む：
半導体市場は本当に「堅調」なのか
世界半導体市場は堅調に推移している。だがそれは特定の分野や企業の成長に大きく偏っている。特に、米国による関税政策で不確実性が増加していて、各社は成長予測に慎重になっている。（2025/5/19）

半導体後工程はAIがけん引：
レゾナック、半導体好調も黒鉛電極不振で69％減益
レゾナック・ホールディングスは2025年12月期第1四半期（2025年1〜3月期）の決算を発表した。半導体材料は好調だったものの、ケミカル事業では黒鉛電極の市況悪化に伴い赤字が拡大。純利益は前年同期比69％減となる88億円だった。（2025/5/19）

工場ニュース：
第一工業製薬がリチウムイオン二次電池用バインダーの生産能力増強
第一工業製薬は、戦略的資源として位置付けられるリチウムイオン二次電池の需要増に対応するため、滋賀工場で負極用水系複合接着剤「エレクセルCR シリーズ」の生産能力を増強した。（2025/5/16）

東北大学と住友商事：
CO2とシリコン廃棄物がSiCに「生まれ変わる」 合成技術開発へ
東北大学の研究チームと住友商事は、CO2とシリコン廃棄物を有効活用して再資源化する「カーボンリサイクル型SiC（炭化ケイ素）合成技術」の共同開発を始めた。研究期間は2028年3月までの約3年間で、「CO2削減」「産業廃棄物の有効利用」「低コスト化」の同時達成を目標とする。（2025/5/15）

25年度は減収増益予想：
「これ以上ないほど悪い結果」減収減益のローム、最終赤字500億円に
ロームの2024年度通期業績は、売上高が前年度比4.1％減の4484億円になったほか、営業損益は前年度の433億円の黒字から400億円の赤字に、純損益は同539億円の黒字から500億円の赤字に転落した。最終赤字になるのは524億円の赤字を計上した2013年3月期以来で、過去2番目の赤字規模だという。（2025/5/14）

組み込み開発ニュース：
車載充電器のPFC回路やLLCコンバーターに最適なSiCモールドタイプモジュール
ロームは、SiCモールドタイプモジュール「HSDIP20」を発表した。ハイパワーアプリケーションの電力変換回路に必要な基本回路を小型パッケージに内蔵しており、設計工数の削減と電力変換回路の小型化に寄与する。（2025/5/14）

スマートハウスの概念を変える家：
ロボット工学第一人者の石黒浩氏と長谷工の“生きている家”　現代人が失った自然の気配を五感で感じる暮らし
長谷工コーポレーション初のコンセプトハウスとなる感性を取り戻す住まい「ivi house」が、細田工務店や多数のクリエイターの協力を得て、東京都杉並区で完成した。コンセプトは、ロボット工学の第一人者で知られる大阪大学大学院 教授の石黒浩氏が考案。暮らしの中で自然と調和する生命を宿した家を、現代の先端技術と建築の融合で具現化した。（2025/5/12）

「鉄道分野のGXに関する官民研究会」：
鉄道分野のGXに必要な施策とは？　官民研究会で2040年目標や戦略を策定へ
鉄道分野のグリーントランスフォーメーション（GX）に向けて、国土交通省が新たに「鉄道分野のGXに関する官民研究会」を設立。2040年をめどにした具体的な目標や戦略の検討を開始した。（2025/5/8）

31か国から650社／団体以上が出展：
世界最大規模のパワエレ展示会「PCIM」が開幕
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕。31カ国から集まった650以上の企業／団体がパワーエレクトロニクス分野の最新技術を紹介している。（2025/5/7）

電子ブックレット（EDN）：
新入社員が知っておきたい半導体トレンド「次世代パワー半導体」
「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、新入社員が知っておきたい半導体トレンド「次世代パワー半導体材料」に関するおすすめをまとめました。（2025/5/8）

量産ファブでの試作に成功：
500℃でも動くSiC-IC、量産に大きく近づく
広島大学とフェニテックセミコンダクターの合同チームは、500℃の高温下でも動作する炭化ケイ素（SiC）集積回路（SiC-IC）を、量産工場で試作することに成功した。SiC-ICのファウンドリー立ち上げなど、社会実装に向けた取り組みが加速する可能性がある。（2025/5/2）

製造マネジメントニュース：
影響が読めないトランプ関税、デンソーは「誠実に圧縮」して価格転嫁
デンソーは2024年度の決算を発表した。（2025/5/2）

製造マネジメントニュース：
三菱電機の2024年度業績は過去最高、トランプ関税は最大700億円強の損失見込む
三菱電機の2025年3月期連結決算は、売上高、営業利益、当期純利益など主要項目で過去最高を更新する好結果となった。（2025/4/30）

高出力化と電力損失低減を実現：
電力損失を最大79％削減する家電向けSiCモジュール、三菱電機
三菱電機は、家電向けパワー半導体モジュール「SLIMDIP」シリーズでは初のSiC製品となる、フルSiC SLIMDIP「PSF15SG1G6」とハイブリッドSiC SLIMDIP「PSH15SG1G6」を発表した。（2025/4/30）

材料技術：
高熱伝導性／低熱膨張性と優れた加工性を有す金属−セラミックス複合材料
三菱マテリアルは、高熱伝導性／低熱膨張性を持ち、優れた加工性を有する金属−セラミックス複合材料を開発した。（2025/4/25）

研究開発の最前線：
効率的にSiC結晶中の単一スピン情報を読み出し成功
京都大学は、室温下で、4H型炭化ケイ素結晶中の単一スピン情報を電気的に読み出すことに成功した。光照射によって生じる光電流を計測するPDMR法を用いて、従来手法の約1.7倍となる信号対雑音比を達成した。（2025/4/25）

4in1および6in1構成：
実装面積を半減、ロームの車載充電器向け新SiCモジュール
ロームが、電動車（xEV）用オンボードチャージャー（OBC）向けに新たなSiC（炭化ケイ素）モジュールを開発した。高放熱パッケージおよび低オン抵抗の第4世代SiC MOSFETによって一般品DIPモジュール比で1.4倍以上と「業界トップクラス」（同社）の電力密度を実現し、実装面積の大幅な削減を可能とした。（2025/4/24）

25年度1Qも出荷額は高水準を予想：
ディスコの24年度は増収増益、5期連続で過去最高更新
ディスコの2024年度通期（2024年4月〜2025年3月）業績は、売上高が前年同期比27.9％増の3933億円、営業利益が同37.3％増の1668億円、利益率が42.4％といずれも過去最高を更新した。生成AI向けなどが引き続き堅調に推移した。（2025/4/18）

SiチップとSiCチップを並列接続：
SiC搭載の新型IPMを開発、エアコンの電力消費を大幅削減
三菱電機は、エアコンなどの電力消費を大幅に削減できる「インテリジェントパワーモジュール（IPM）」を新たに開発し、サンプル出荷を始めると発表した。（2025/4/17）

2025年4月7日週の動き：
半導体メーカーの「悲喜こもごも」　絶好調のTSMC、人員削減のST
STMicroelectronicsは2025年4月、製造拠点と従業員の再編を全社的に実施することを明らかにした。またInfineon Technologiesは、Marvell Technology（以下、Marvell）の車載イーサネット事業部門を25億米ドルで買収すると発表している。（2025/4/16）

電動化：
日産の第3世代e-POWERを支える「新燃焼コンセプトSTARC」と「5in1」
日産自動車は2025年度後半からシリーズハイブリッドシステム「e-POWER」の第3世代を投入する。まずは欧州向け「キャシュカイ」で採用し、2026年度には北米向け「ローグ」や日本向けの大型ミニバンにも搭載していく。（2025/4/16）

「M3 SiC」技術を採用：
省電力で低コストな1200V SiC搭載パワーモジュール、オンセミ
オンセミは、1200V SiC MOSFETベースのインテリジェントパワーモジュール「SPM31」を発表した。ハイサイドゲートドライバーやLVIC、6つのSiC MOSFET、温度センサーで構成される。（2025/4/10）

SiCにも対応可能：
パワー半導体のスイッチング損失を自動低減する駆動IC　対応品種が1万超に
東京大学は2023年に、パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップを開発した。今回、同技術を4端子パッケージと3端子パッケージの両方に適用できるようにした。これにより、対応する品種の数は2390品種から1万種以上に、大幅に増加した。（2025/4/9）

PCBからの放熱も軽減：
上面放熱パッケージの1200V SiC MOSFET、Nexperia
Nexperiaは、表面実装（SMD）上面放熱パッケージ「X.PAK」を採用した、産業向け1200V SiC MOSFET製品シリーズを発表した。太陽光発電インバーターやバッテリー蓄電システムなどでの用途に適する。（2025/4/9）