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体積を80％削減、表面実装型650V SiC MOSFET：東芝D＆Sが量産開始

東芝デバイス＆ストレージは、表面実装パッケージ「TOLL」を採用した650V耐圧の炭化ケイ素（SiC）MOSFETとして3製品を製品化し、量産を始めた。スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。

» 2025年09月02日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

既存製品に比べターンオン損失を約55％低減した製品も

　東芝デバイス＆ストレージは2025年8月、表面実装パッケージ「TOLL」を採用した650V耐圧の炭化ケイ素（SiC）MOSFETとして3製品を製品化し、量産を始めた。スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの用途に向ける。

新製品の外観と応用イメージ［クリックで拡大］出所：東芝D＆S

　同社にとって第3世代となるSiC MOSFETチップを搭載した新製品は、「TW027U65C」「TW048U65C」「TW083U65C」の3製品。外形寸法は9.9×11.68×2.3mmで、TO-247など従来のリード挿入型パッケージ品に比べ、体積を80％以上も削減した。寄生インピーダンスも小さく、スイッチング損失を低減できるという。

　また、4端子タイプのためゲートドライブ用信号ソース端子をケルビン接続すれば、パッケージ内部にあるソースワイヤーが持つインダクタンスの影響を小さくでき、高速なスイッチングが可能となる。例えば、TW048U65Cだと既存製品に比べターンオン損失を約55％、ターンオフ損失を約25％もそれぞれ低減できる。

新製品の主な仕様（指定がない限りT_a＝25℃）［クリックで拡大］出所：東芝D＆S

東芝D&S、中SICCとSiCパワー半導体用ウエハーで連携
東芝デバイス＆ストレージは2025年8月22日、中国の炭化ケイ素（SiC）ウエハーメーカーSICCとSiCパワー半導体ウエハーに関するビジネス上の連携に向けた基本合意を発表した。SiCパワー半導体の特性向上や品質改善および、安定的なウエハーの供給拡大に向けた連携を実施する。
RC-IGBTとSiC、ダイでもモジュールでも東芝の車載パワー半導体
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ウエハーの傷にだけ色付けして撮影、検査スピードは数百倍に　東芝
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高温環境下でオン抵抗20％減、東芝のSiCトレンチMOSFET
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負極にNTOを用いた新型電池のサンプル提供を開始　東芝
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東芝D＆S、姫路の車載パワー半導体後工程新棟が完成
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