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サムスン電子、30nm技術で製造した携帯機器向けフラッシュ・メモリーを発表メモリ/ストレージ技術

» 2010年01月14日 17時42分 公開
[Peter Clarke,EE Times]

 メモリー・チップ大手の韓国Samsung Electronics(サムスン電子)社は、携帯型電子機器に向けたフラッシュ・メモリー2製品を発表した。64Gバイトの組み込みマルチメディア・メモリー・カード(Embedded MMC:eMMC:図1)と、32GバイトのmicroSDカードである。いずれも、同社が開発した32GビットのNAND型フラッシュ・メモリーを採用している。2009年12月から、30nm製造技術を利用して同社が生産しているものだ。

 64GバイトのeMMCは、32Gビットの多値セル(MLC:Multi Level Cell)NAND型フラッシュ・メモリーのダイを16枚積層している。加えて、コントローラのダイも積層しており、合計で17枚のダイを積層している。ダイを30μmに薄型化する技術と最先端のパッケージ技術を採用することで、1.4mm厚のeMMCに17枚のダイを積層することが可能になったという。

図1 図1 韓国Samsung Electronics社が発表した64GバイトのeMMC
内部に合計17枚のダイを積層している。

 32GバイトのmicroSDカードは、64GバイトのeMMCと同様のNAND型フラッシュ・メモリのダイを8枚と、コントローラを積層している。

 64GバイトのeMMCは2009年12月から量産を開始している。32GバイトのmicroSDカードは、現在サンプルを出荷しているところで、2010年2月に量産を始める予定。

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