SAIMEMORYの新構造メモリ 低消費電力に焦点：性能と熱のトレードオフを突破

Intelの日本法人であるインテルは2026年2月3日、最新AI PCを紹介するイベント「Intel Connection Japan 2026」を開催した。基調講演では、同日に発表されたSAIMEMORYが開発する次世代メモリ技術「ZAM」での協業についても紹介した。【訂正あり】

[杉山康介，EE Times Japan]

　Intelの日本法人であるインテルは2026年2月3日、最新AI PCを紹介するイベント「Intel Connection Japan 2026」を開催した。基調講演「インテルCore Ultraシリーズ3プロセッサが切り拓く、AI PCとエッジAIの新たな未来」の中では、同日に発表されたSAIMEMORYとの協業についても紹介した。

　SAIMEMORYは、次世代メモリ技術の実用化に向け、2024年12月にソフトバンクが設立した子会社だ。両社は高容量／広帯域／低消費電力の次世代メモリ技術「ZAM」（Z-Angle Memory：ザム）の実用化に向けて協業契約を締結し、2027年度中のプロトタイプ作製、2029年度中の実用化を目指すとしている。

SAIMEMORY概要［クリックで拡大］

縦に積み上げて熱を逃がす「世界初」構造メモリ

　登壇したSAIMEMORYの代表取締役社長兼CEOである山口秀哉氏は「SAIMEMORYではAIメモリを再定義すべく、特に性能と熱のトレードオフを突破したいと考えている。一般的にメモリは高容量や広帯域が優先されやすいが、当社のメモリは低消費電力を最優先にするのが特長だ」と語る。

　性能と低温を両立すべく、設計したのがZAMだ。Z軸、すなわち縦方向に積み上げる構造のメモリで「簡単に言えば、縦型にすることで熱が上に逃げていくイメージ。世界初の構造だ」（山口氏）という。

【訂正】「世界初の構造で、現時点で16層ほど積み上げられている」を「世界初の構造だ」と修正しました。「現時点で16層ほど積み上げられている」の部分はZAMではなく広帯域メモリ（HBM）に言及したと推測されます。お詫びして訂正致します。［編集部／2026年2月4日 午後19時10分］

開発中のZAMは「世界初」（同社）の縦積み構造だという［クリックで拡大］

　「SAIMEMORYではエンドツーエンドでの実行や、リサーチからマーケット提供まで、一気通貫のソリューションを提供できる。今回、Intelとの協業を発表したが、ほかにも生産や開発、サプライチェーンまで、さまざまなパートナーを国内外に有している。今後少しずつ発表する予定なので楽しみにしてほしい」（山口氏）

　ZAMの開発においては、Intelが米国エネルギー省の支援を受けて推進している「Advanced Memory Technology（AMT）プログラム」で確立された次世代メモリの基盤技術や、「Next Generation DRAM Bonding（NGDB）イニシアチブ」で実証された技術的知見なども活用される。

　登壇したIntelのシニアエンジニアであるJoshua Fryman氏は「2016年ごろ、通常のDRAMでは求める要件を満たしていなかったが、ベンダー側は自社アーキテクチャの修正に興味がなかった。そこでIntelはメモリ研究をはじめ、米国エネルギー省との連携の末、AMTプログラムで次世代メモリの基盤技術を確立した。ソフトバンク、SAIMEMORYと協力して、IntelのDRAM研究技術を製品化できることを本当にうれしく思っている」と語った。

左からインテル代表取締役社長の大野誠氏、SAIMEMORY代表取締役社長兼CEOの山口秀哉氏、IntelシニアエンジニアのJoshua Fryman氏（山口氏が手に持つのは、Intelが開発したメモリのプロトタイプ）［クリックで拡大］