ウェアラブル機器やIoTが生活を変え、5Gや微細化技術が世界を驚かす：2014年の注目技術10（3/4 ページ）

» 2014年01月08日 12時05分公開

[EE Times Japan]

注目技術その6　微細化技術

　半導体デバイス、強いては、電子機器の進化を支えてきた半導体製造プロセスの微細化技術。ここにきて、微細化の代名詞である「ムーアの法則」の限界も叫ばれるようになったが、2014年はまだまだ微細化技術は健在だ。

　2014年、プロセッサなどシステムLSIは、いよいよ20nmを切り、「14nmプロセス時代」が到来する。インテルが、FinFETを用いたプロセスでは2世代目となる14nmプロセス採用プロセッサを発売し、同プロセスを用いたFPGAの生産なども始まる見込みだ。インテル以外にも、TSMCやGLOBALFOUNDRIESといったファウンドリも14～16nmプロセスによる生産をスタートする。同時に、2016年にも量産が計画されている10nmプロセスに向けた技術開発も本格化していく。

　FinFETではなく、完全空乏型SOI（FD-SOI：Fully Depeleted Silicon-on-Insulator）技術を用いたプロセスの微細化も進展し、20nm世代での生産が見込まれる。

プロセスノードの微細化とリソグラフィ技術の変化

ムーアの法則が終えんを迎えればメリットになる――ブロードコムCTOインタビュー

「半導体業界の共通の課題は微細化、協業で解決すべき」――専門家が討論

注目技術その7　メモリ

　スマートフォンの出荷増に支えられ、堅調に需要が伸びるNAND型フラッシュメモリは、2013年に「1Xnm世代」と呼ばれる10nm台後半のプロセス採用品が量産され、2014年は「1Ynm世代」とされる10nm台半ばのプロセス採用品が登場する。それとともに、いよいよメモリセルを垂直方向に積層した3次元NANDの製品化が相次ぐ見込み。既にサムスン電子が3次元NANDの量産を発表済みで、2014年は東芝など各社が3次元NANDの投入を予定している。

　次世代型不揮発性メモリの開発も盛んだ。MRAM（Magnetic RAM：磁気メモリ）、PCM（Phase-Change Memory：相変化メモリ）、ReRAM（Resistive RAM：抵抗変化型メモリ）、FeRAM（Ferroelectric RAM：強誘電体メモリ）といったさまざまなメモリの開発が進む。だが、どの技術がDRAMにとって代わる存在となるかは、依然としてハッキリせず、2014年も目が離せない。