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不揮発性メモリを脳神経コンピューティングに活用：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（7）（3/3 ページ）

» 2015年11月17日 09時50分公開

[福田昭，EE Times Japan]

接触ギャップが5nmと微小なナノサイズのリレー

　セッション18（プロセス技術と製造技術）のテーマは「N/MEMSの共振器とセンサー、アクチュエータ」である。テーマの通り、極めて微小な電気機械素子の研究成果が続出する。

　University of California, Berkeleyは、ナノメートルサイズの論理リレー（NEMロジックリレー）でエネルギー遅延時間積を最適化する手法を提唱する（講演番号18.1）。一般的にはリレーの硬さを減らすことがスイッチング・エネルギーの最小化に結び付く。この研究ではリレーのバネ定数を相対的に大きくすることでスイッチング・エネルギーを小さくした。接触ギャップがわずか5nmと小さなNEMロジックリレーでエネルギー遅延時間積を最適化して見せる。

　Tsinghua Universityは、共振周波数が最大14GHzと高い表面弾性波（SAW）トランスデューサを試作し、その概要を発表する（講演番号18.6）。トランスデューサの材料はニオブ酸リチウム（LiNbO₃）、配線幅は30nmと極めて細い。

　Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)を中心とする研究チームは、多孔質の高分子フィルムを摩擦電気エネルギーの収穫素子に活用することを提案する（講演番号18.7）。多孔質層を摩擦帯電層としたときの出力特性を解析した。

セッション18の講演一覧（クリックで拡大）

セッション18の講演一覧（続き）（クリックで拡大）

（次回に続く）

⇒「福田昭のデバイス通信」バックナンバー一覧

ナノワイヤと非シリコン材料で「ムーアの限界」を突破
今回はセッション13～15の概要を取り上げたい。セッション15では、「モア・ムーア（More Moore）」と「モアザン・ムーア（More Than Moore）」の両方に関する研究成果が発表される。「モアザン」については、フランスの研究チームが折り曲げ可能なCMOS回路を紹介する。
IoT向けSoCでは、ムーアの法則を追わず
コストと性能のバランスが最も重視されるIoT機器に搭載されるSoCでは、最先端のプロセスを適用することは必ずしも最善の策ではない。
3D NANDフラッシュの物理解析が進む
今回はセッション4～6の講演を紹介する。セッション4では、人間の脳をモデルにした計算アーキテクチャなどが焦点となる。セッション5では3D NAND型フラッシュメモリ関連の発表が行われ、セッション6ではIGZO材料による20nmノードの高周波FETなどが発表される予定だ。
革新的な磁気メモリ材料の発見か
東京大学物性研究所の中辻知准教授らの研究グループは2015年10月29日、反強磁性体において異常ホール効果を「世界で初めて観測した」と発表した。同研究グループは高密度/高速な不揮発性メモリ素子の実現につながる発見としている。