SiC／GaNパワー半導体、本格普及は2020年以降か：パワー半導体世界市場予測

矢野経済研究所は、2015年のパワー半導体市場規模が前年比7.0％減の148億2000万米ドルになった模様だと発表した。SiCやGaNパワー半導体の本格的な普及は2020年以降になるという。

[庄司智昭，EE Times Japan]

産業／自動車向けが市場をけん引

　市場調査会社の矢野経済研究所は2016年2月、パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。調査結果によると、2015年のパワー半導体世界市場規模（推定値）は、前年比7.0％減の148億2000万米ドルになったという。同社は、2015年がマイナス成長になった要因として、（1）中国と欧州市場の景気減速による需要低迷、（2）民生機器用電源の成長鈍化、（3）参入メーカー増によるコスト競争の3つを挙げる。

　2020年のパワー半導体世界市場規模は231億米ドルと推定しており、2014〜2020年までの年平均成長率は6.5％、2020年の市場規模は2014年の1.5倍に拡大すると予測している。同社によると、産業／自動車向け需要が市場をけん引。産業向けは、サーボモーター、UPS（Uninterruptible Power Supply：無停電電源装置）向けが好調という。

　自動車向けは、車両の電動化に伴いMOSFET、IGBTの出荷数量が拡大。新規需要では、車載向けLEDライトの普及、ISO26262に伴うECUの二重化、ADAS（Advanced Driving Assistant System：先進運転支援システム）用センサーを挙げた。

パワー半導体の世界市場規模推移と予測 （クリックで拡大） 出典：矢野経済研究所

GaNトランジスタは2016年から民生機器用電源へ

　シリコンカーバイト（炭化ケイ素、SiC）や窒化ガリウム（ガリウムナイトライド、GaN）といった次世代パワー半導体市場は、2020年に14億5000万米ドル、2025年に31億3000万米ドルに達すると予測した。2014〜2020年までの年平均成長率は47.6％、2020〜2025年までの年平均成長率は16.6％としている。

　SiCはダイオード中心に採用が進んでいるが、コスト面での懸念からSiCトランジスタの搭載は一部用途に限定される。6インチSiCウエハーで量産が本格化する2020年からSiCトランジスタ、フルSiCモジュールの採用が増加するという。

　GaNトランジスタは、2016年から民生機器用電源を中心に市場が立ち上がる見込み。2020年にはGaNトランジスタを用いたオンボードチャージャーや、DC-DCコンバーターが自動車向けに採用が進むとする。そのため、同社は「次世代パワー半導体の本格的な普及は、2020年以降になる可能性が高い」とリリース上で述べている。

パワー半導体の世界市場規模推移と予測 （クリックで拡大） 出典：矢野経済研究所

　今回の調査は、2015年9月から2016年1月まで、パワー半導体メーカーやウエハーメーカー、システムメーカーなどへのヒアリング調査などによってまとめられている。パワー半導体は、パワーMOSFETやIPD、ダイオード、IGBT、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiC／GaNデバイスなどを対象にしている。