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パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先：電子ブックレット

EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回のテーマはパワー半導体。「SiCやGaNを使う次世代パワー半導体に期待はあるが、シリコンから置き換わるのは何年も先だろう」と専門家は見ています。

» 2016年09月04日 11時30分公開

[EE Times Japan]

パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回のテーマはパワー半導体です。「SiCやGaNを使う次世代パワー半導体に期待はあるが、シリコンから置き換わるのは何年も先だろう」と専門家は見ています。

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パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先

ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE（European Center for Power Electronics）のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。
【著：村尾麻悠子】

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“オールGaN”のパワーICでアダプターが1/2に小型化
Dialog Semiconductor（ダイアログ・セミコンダクター）が、GaNパワーICを発表した。これによって同社は、GaNパワー半導体市場に本格的に参入する。同社は2016年8月24日、東京都内で記者説明会を開催し、GaNパワーIC「SmartGaN DA8801」の詳細を説明した。
“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ
半導体製造装置メーカーであるディスコは、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA（カブラ）」プロセスを開発したと発表した。SiC（炭化ケイ素）ウエハー生産の高速化、取り枚数増を実現し、従来方式と比較して生産性を4倍向上させることが可能という。
寿命「30億年」に「10年」が挑む
次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。だが、SiCにはまだまだ課題が残っていた。その1つが寿命だ。
SiCには勝てる！欧米も注目する“第3の次世代パワーデバイス”の国内開発プロジェクトが今春スタート
情報通信研究機構（NICT）は、2014年4月をメドに次世代パワーデバイス材料の1つである酸化ガリウムを使ったデバイスの実用化を目指した本格的な開発プロジェクトを発足させる。国内電機メーカーや材料メーカー、半導体製造装置メーカー、大学などと連携して2020年までに酸化ガリウムパワー半導体デバイスの実用化を目指す。
SiCパワー半導体が300℃でも動作する基板構造
昭和電工と大阪大学の菅沼克昭氏が推進するプロジェクトは2016年7月19日、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体が300℃の高温域においても安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。
8インチ基板でGaNデバイスのコスト競争力を強化
パワーエレクトロニクスの最新技術が一堂に会する「PCIM Europe 2016」（2016年5月10～12日、ドイツ・ニュルンベルク）で、フランスのGaNパワーデバイスメーカーExaganが、8インチ（200mm）のGaN on Siウエハーや、耐圧650VのGaN FETなどを展示した。