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» 2016年11月14日 09時45分 公開

SanDiskが語る、抵抗変化メモリの多様な材料組成福田昭のストレージ通信(46) 抵抗変化メモリの開発動向(5)(2/2 ページ)

[福田昭,EE Times Japan]
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半導体製造プロセスとの互換性が重要

 抵抗変化メモリ(ReRAM)の材料は、なんでも良い、というわけにはいかない。半導体の製造工程と互換性のある元素が望ましい。抵抗変化層と電極層には金属や金属酸化物、電解質などが使われる。これらの材料には、半導体の製造工程、特にCMOSプロセスで扱える元素を採用しておくことが、開発期間を早めることにつながる。

 CMOSのフロントエンドプロセス(FEOL、トランジスタ工程)に組み込める元素には、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、亜鉛(Zn)、ゲルマニウム(Ge)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)などがある。FEOLに組み込める元素はあまり多くない。

CMOSのフロントエンドプロセス(FEOL、トランジスタ工程)に抵抗変化メモリの金属や金属酸化物、電解質などとして組み込める元素 (クリックで拡大) 出典:SanDisk

 これに対し、CMOSのバックエンドプロセス(BEOL、金属配線工程)に組み込める元素は、かなり多い。FEOLに組み込める元素を全て含む他、VI族元素(硫黄(S)、セレン(Se)、テルル(Te))と金属元素(マグネシウム(Mg)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)など)などが加わる。

CMOSのバックエンドプロセス(BEOL、金属配線工程)に抵抗変化メモリの金属や金属酸化物、電解質などとして組み込める元素 (クリックで拡大) 出典:SanDisk

次回に続く

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