パナソニックとUMC、40nm ReRAMの共同開発で合意：2018年にサンプル出荷へ

パナソニック セミコンダクターソリューションズは、半導体ファウンドリである台湾UMCと、40nm量産プロセスの抵抗変化メモリ（ReRAM）共同開発に合意したと発表した。

[庄司智昭，EE Times Japan]

2018年にサンプル出荷へ

2013年7月に発表したReRAMを搭載した8ビットマイコン「MN101LRシリーズ」 （クリックで拡大） 出典：パナソニック

　パナソニック セミコンダクターソリューションズ（以下、PSCS）は2017年2月1日、半導体ファウンドリである台湾UMCと抵抗変化メモリ（ReRAM）の共同開発に関して合意したと発表した。40nm量産プロセスによるサンプル品を2018年に出荷するという。

　ReRAM（Resistive Random Access Memory）とは、金属酸化物薄膜にパルス電圧を加えることで大きな抵抗変化を生じさせ、「0」「1」を記憶する不揮発性メモリである。金属酸化物を電極ではさんだシンプルな構造で、製造プロセスが容易なのが特長だ。低消費電力や高速書き換え特性などからIoT時代に不可欠な技術として期待されている。

　PSCSは、2013年から180nmプロセスでReRAMを量産。ポータブルヘルスケア機器など向けにReRAMを搭載した8ビットマイコン「MN101LRシリーズ」も提供している。

　PSCSのReRAMプロセス技術と、UMCのCMOSプロセス技術を融合することにより、ICカードやウェアラブル端末に採用されているフラッシュメモリに代わる混載用不揮発性メモリ実現を目指す。PSCSは「業界に先行してReRAMの普及を加速させる」とした。