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“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ：電子ブックレット

EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回はディスコが開発した、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA（カブラ）」プロセスを紹介します。

» 2017年02月12日 11時30分公開

[EE Times Japan]

“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA（カブラ）」プロセスを紹介します。

“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ

半導体製造装置メーカーであるディスコは、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA（カブラ）」プロセスを開発したと発表した。SiC（炭化ケイ素）ウエハー生産の高速化、取り枚数増を実現し、従来方式と比較して生産性を4倍向上させることが可能という。【著：庄司智昭】

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ISS 2017で語られた半導体技術の今後（後編）
米国で開催された「Industry Strategy Symposium（ISS）」（2017年1月8～11日）では、EUV（極端紫外線）の動向から半導体市場の今後まで、幅広く議論が行われた。
ムーアの法則の“新たな意味”とは
台湾半導体産業協会の専門家は、今後ムーアの法則は、「半導体の集積率の向上」というよりも、より実質的な意味を持つようになると指摘する。3次元構造やTSMCの「InFO」のようなパッケージング技術によって性能の向上を図っていくというものである。
FOWLP向け大型パッケージ基板対応のダイシングソー
ディスコは、「SEMICON Japan 2016」（2016年12月14～16日／東京ビッグサイト）で、TSMCの「InFO」で注目を集めるFOWLP（Fan-Out Wafer Level Package）の生産ニーズに応えるべく、大判パッケージ基板に対応したダイシングソー「DFD6310」などを展示する。
450mmウエハーへの移行、業界は消極的
SEMIが米国で開催した「Industry Strategy Symposium（ISS）」（2017年1月8～11日）では、450mmウエハーの話題はほとんどなかった。450mmウエハーへの移行に積極的だった半導体業界だが、ここ最近はそうでもないようだ。
銅コアの部品内蔵基板が“小型化”にもたらす可能性
太陽誘電は「第46回インターネプコンジャパン」（2017年1月18～20日／東京ビッグサイト）で、モジュールの小型化に貢献する部品内蔵配線基板「EOMIN」などを展示した。
解像度2μmを実現、FOPLP向け直接描画露光装置
SCREENセミコンダクターソリューションズは、半導体後工程のFOPLP（Fan-Out Panel Level Package）向けに、解像度2μmを実現した直接描画露光装置「DW-3000 for PLP」を開発、2017年1月より販売を始める。