ムーアの法則は健在！ 10nmに突入したGalaxy搭載プロセッサの変遷：この10年で起こったこと、次の10年で起こること（16）（2/3 ページ）

[清水洋治（テカナリエ），EE Times Japan]

1年でApple、TSMCをキャッチアップ

　図2は、Galaxy S8＋に活用されるプロセッサとDDRの混載パッケージを開封してチップを取り出し、顕微鏡で撮影した写真（型名部分のみ）と、分解によって割り出したチップ配置状況を図解したものである。なお、チップ配置状況は、取り出したパッケージ内のガラスエポキシ（ガラエポ）から割り出した。

図2：「Galasy S8＋」のメイン・プロセッサは5チップ、1パッケージ （クリックで拡大） 出典：テカナリエレポート
※チップ写真は低解像度処理を施しています。

　こうした分析から、AppleがiPhone 7で使ったInFO技術にほぼ等しい技術が、Exynos8895でも使われていることが明確になった。1年前はTSMCしか実現できないと言われたInFOだが、既にSamsungの製品にも同じように使われているわけだ。さらにガラエポには切り込み形状もあり、パッケージ内には受動素子（コンデンサー）もメモリチップとの間に配置されている。図2の赤い部分が受動素子にあたる。

Galaxy S8＋の搭載RAM容量は8Gバイト!?

　Galaxy S8＋に搭載されるLPDDR4の容量は、公式の仕様では4Gバイトと発表されているが、ネット上では8Gバイトとの情報も存在している。実際のところはどうなのだろうか。

　図3は左がGalaxy S7でのLPDDR4チップだ。

図3：「Galaxy S7」と「Galasy S8」のLPDDR4の差 （クリックで拡大） 出典：テカナリエレポート

　1Gバイトのメモリチップが4枚使われているので、4Gバイトの構成であった。しかしGalaxy S8＋は従来のLPDDR4に比べて1.5倍の面積を持つ新DDRチップが4枚搭載されている。新DDRチップ（LPDDR4x）は、S7世代のLPDDR4チップとは同じプロセス技術ではなく、より微細なプロセスで製造されたメモリであることが確認できた。すなわちS8＋に搭載されたメモリ容量はS7世代に比べ2倍の2Gバイトチップ×4枚＝8Gバイトが搭載されているのだ。これは大きな変化が成されたと言える。