メディア

64層TLCで1024GB容量M.2 SSDを製品化東芝メモリ：サンプル出荷を開始

東芝メモリは2017年5月29日、NVM Express（NVMe）SSDの新製品として、64層積層の3ビット/セル（TLC）の3次元（3D）NAND型フラッシュメモリを用い最大容量1024Gバイトを実現した「XG5シリーズ」のサンプル出荷を開始した。

» 2017年05月29日 15時50分公開

[竹本達哉，EE Times Japan]

順次、出荷拡大へ

　東芝メモリは2017年5月29日、64層積層の3ビット/セル（TLC）の3次元（3D）NAND型フラッシュメモリを用いたNVM Express（NVMe）SSDとして、最大容量1024Gバイトの「XG5シリーズ」を製品化し、一部顧客向けにサンプル出荷を開始したと発表した。2017年7〜9月以降、順次出荷を拡大する。

最大容量1024Gバイトを実現した「XG5シリーズ」（クリックで拡大）

　新しいNVMe SSDは、東芝メモリ独自の3D NAND技術である「BiCS FLASH」を用いた積層数64層のフラッシュメモリを搭載。PCI Express Gen3（4レーン）と1ビット/セル（SLC）キャッシュを用いて、3000Mバイト/秒のシーケンシャルリードと2100Mバイト/秒のシーケンシャルライト性能を実現した。

待機電力、従来比50％以上減

　消費電力についても従来品（XG3シリーズ）に比べて「単位消費電力あたりの読み書き性能を改善した」（東芝メモリ）とする他、待機中の消費電力も従来品比50％以上低減した3mW以下を実現している。

　XG5シリーズの記憶容量は、1024Gバイトの他、512Gバイト、256Gバイトの3種を用意。いずれも形状はM.2 2280の片面実装タイプで、TCG Opal Version 2.01を採用した自己暗号化機能付モデルも展開する。

東芝問題は日本の製造業に共通し得る課題なのか
米国の原子力子会社の巨額損失により債務超過に陥るなど経営危機を迎えている東芝。経営危機に陥った理由を分析していくと、東芝固有の問題だけではなく、他の日系電機メーカーにも起こり得る共通の課題が見えてくるのだった。
東芝、64層 512Gbの3D NANDをサンプル出荷開始
東芝は2017年2月22日、64層積層プロセスを用いた512Gビット（Gb）の3D NANDフラッシュメモリ「BiCS FLASH」のサンプル出荷を2017年2月上旬に開始したことを発表した。
東芝、上場廃止危機もメモリ事業は好調
東芝は2017年4月11日、2017年3月期第3四半期（2016年4～12月期）決算を発表した。
Western Digital、「iNAND」の車向け展開を加速
Western Digital（ウェスタンデジタル）は、自動車市場に対し、組み込みフラッシュドライブ製品群「iNAND」の展開を加速させる。自動車市場でも低コスト、大容量のメモリへのニーズが広まり、iNANDの特長を生かしニーズの取り込みを図るようだ。
Intel、データセンター向け3D NAND NVMe SSDを発表
Intelがデータセンター向けに、3D（3次元） NAND型フラッシュメモリを搭載したSSDを2品種発表した。プロトコルにはNMVe（Non-Volatile Memory Express）を採用している。
SK Hynixが72層256Gb 3D NANDフラッシュを開発
SK Hynixが72層の256ビット3D（3次元）NAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。同社は2016年から、36層128Gビット3D NANDフラッシュの発表や、48層256Gビット3D NANDフラッシュの量産開始など、3D NANDフラッシュの開発を加速している。