強誘電体メモリ研究の歴史（前編）〜1950年代の強誘電体メモリ：福田昭のストレージ通信（64） 強誘電体メモリの再発見（8）（2/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

初期の強誘電体不揮発性メモリ

　強誘電体材料を使った不揮発性メモリ（FeRAM）が世界で初めて提案されたのは、1952年4月のことである。米国マサチューセッツ工科大学（Massachusetts Institute of Technology）の大学院に在籍していたダドレイ・アレン・バック（Dudley Allen Buck）が執筆した修士論文で、強誘電体キャパシターが不揮発性メモリに応用できること、強誘電体のスイッチがロジックに応用できること、などを指摘した。

　1953年1月には、ベル電話研究所（Bell Telephone Laboratories）のアンダーソン（J. R. Anderson）を中心とする研究チームがチタン酸バリウム（BaTiO₃）の強誘電体結晶でキャパシターを試作し、不揮発性メモリとしての基本動作を確認している。メモリ動作を確認したことを報告したこの論文でアンダーソンは、大きさが1インチ角（25.4mm角）、厚みが0.005インチ（0.127mm）の強誘電体結晶に4000ビットのデータを格納できると述べている。メモリセルアレイはクロスポイント構造である。

　チタン酸バリウム（BaTiO₃）を利用した強誘電体メモリは、動作が安定しないという問題を抱えていた。この問題は解決されることがなかった。さらに当時、電気システム用メモリの研究開発は、強磁性体を使った磁気コアメモリが主流となってきていた。磁気コアメモリは商品化され、メインフレームの主記憶に使われた。このため、強誘電体メモリの研究は下火になり、消滅していった。

初期（第1世代）の強誘電体メモリ。左は強誘電体による不揮発性メモリ考案したダドレイ・アレン・バック（Dudley Allen Buck）。中央は強誘電体キャパシターを記憶素子とするクロスポイント構造メモリのアイデアスケッチ（ベル電話研究所）。右は試作された強誘電体メモリの外観。出典：NaMLabおよびドレスデン工科大学（クリックで拡大）

（後編に続く）

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