日立金属、ロームからSiC製造の一部を受託へ：ウエハー研磨工程

日立金属は2017年11月9日、ロームからSiC（炭化ケイ素）パワー半導体ウエハーの製造プロセスの一部（研磨工程）を受託する方針を明らかにした。

[竹本達哉，EE Times Japan]

山崎工場（大阪府島本町）で実施へ

　日立金属は2017年11月9日、ロームからSiC（炭化ケイ素）パワー半導体ウエハーの製造プロセスの一部を受託する予定だと発表した。

写真はイメージです。

　日立金属は、これまで情報部品事業として、医療、通信、車載用途などに向けたセラミックス材料の開発、製造を実施してきた。今回、セラミックス材料で培ってきた製造技術を生かす形で、ロームからSiCパワー半導体ウエハーの一部製造工程として研磨工程を受託し、「情報部品事業の強化、拡大を図ることを検討する」（日立金属）という。製造は、情報部品の製造拠点である山崎工場（大阪府島本町）を活用する予定。

　日立金属では「SiCパワー半導体は、現在主流となっているシリコン（Si）パワー半導体と比較して、インバーターやコンバーターなど電力変換器の損失を大幅に低減でき、電力変換器の小型・軽量化を実現することが可能。このため、送電システム、電車、電気自動車やハイブリッド電気自動車、産業機器など、さまざまな分野で今後の需要拡大が見込まれる。成長が期待される分野への集中により、情報部品事業の持続的成長を図っていく」としている。