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多層配線工程に記憶素子を埋め込む不揮発性メモリ技術（後編）：福田昭のストレージ通信（100） STが語る車載用埋め込み不揮発性メモリ（13）（2/2 ページ）

» 2018年04月27日 09時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

MRAM、PCM、ReRAMが記憶素子の候補

　メモリセルの記憶素子を実現する技術には、いくつかの候補が存在する。磁気抵抗メモリ（MRAM）、相変化メモリ（PCM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）などである。いずれも記憶素子における抵抗値の変化をデータとして記録する。具体的には高抵抗状態（HRS）と低抵抗状態（LRS）である。

多層配線工程の中に記憶素子を作り込む埋め込み不揮発性メモリ技術の候補。左から磁気抵抗メモリ（MRAM）、相変化メモリ（PCM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）。出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）

　これらの埋め込み不揮発性メモリ技術に関する研究開発は既に、それなりの歴史を有する。半導体メモリメーカーやマイコンメーカー、シリコンファウンダリなどが研究開発を手掛けてから、既に10年以上が経過した。しかし現在のところは、いずれの技術も埋め込み不揮発性メモリとしてフラッシュメモリに対抗するような兆しは見えていない。ごくわずかな半導体メーカーが商品化しただけだ。車載用埋め込みメモリに関しては、商品化事例は皆無に近い。

　商品化事例が少ないことの大きな理由には、単体メモリとしての実績に乏しいことと、記憶容量当たりのコストでは依然としてフラッシュメモリに大きく水を開けられていることがある。そして車載用に関しては、高温環境における長期信頼性に不安が残る。今後の研究開発の進展に期待したい。

多層配線工程の中に記憶素子を作り込む埋め込み不揮発性メモリ技術が普及しない理由。出典：STMicroelectronics（クリックで拡大）

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