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» 2018年05月25日 12時00分 公開

埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ福田昭のストレージ通信(103) GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM(3)(2/2 ページ)

[福田昭,EE Times Japan]
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データ保持重視のMRAM技術と書き換え重視のMRAM技術

 フラッシュ代替用埋め込みMRAM(eMRAM-F)と、SRAM代替用埋め込みMRAM(eMRAM-S)では、性能がかなり違う。eMRAM-Fは15年以上と長いデータ保持期間を特長としており、eMRAM-Sは10の14乗回と多い書き換えサイクル回数を特長とする。eMRAM-Fの書き換えサイクルは10の8乗回、eMRAM-Sのデータ保持期間は1カ月である。

 データを読み書きする速度はeMRAM-Sが高く、eMRAM-Fが低い。ただしeMRAM-Fの読み書きは遅いとは言っても、書き込みの速度は埋め込みフラッシュよりも高い。メモリセル面積はeMRAM-Fが小さく、eMRAM-Sが大きい。

埋め込みフラッシュメモリとフラッシュ代替用埋め込みMRAM(eMRAM-F)、SRAM代替用埋め込みMRAM(eMRAM-S)の性能比較表 (クリックで拡大) 出典:GLOBALFOUNDRIES

 使用温度範囲の高温側は、eMRAM-Fが高い。自動車用のグレード1(G1)対応品だと150℃に達する。産業用でも125℃とかなり高い。eMRAM-Sはエンタープライズ向けなので、高温側の温度は105℃とやや低めになる。

 その他の重要な違いに、プリント基板実装におけるハンダ付け(高温処理)への対応がある。eMRAM-Fは260℃のリフローハンダ付けを許容する。eMRAM-Sは260℃のハンダ付けには対応しない。これは対象となるプロセッサが、通常はソケットで実装されるからだと思われる。

次回に続く

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