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埋め込みMRAM技術がフラッシュとSRAMを置き換えへ：福田昭のストレージ通信（103） GFが語る埋め込みメモリと埋め込みMRAM（3）（2/2 ページ）

» 2018年05月25日 12時00分公開

[福田昭，EE Times Japan]

データ保持重視のMRAM技術と書き換え重視のMRAM技術

　フラッシュ代替用埋め込みMRAM（eMRAM-F）と、SRAM代替用埋め込みMRAM（eMRAM-S）では、性能がかなり違う。eMRAM-Fは15年以上と長いデータ保持期間を特長としており、eMRAM-Sは10の14乗回と多い書き換えサイクル回数を特長とする。eMRAM-Fの書き換えサイクルは10の8乗回、eMRAM-Sのデータ保持期間は1カ月である。

　データを読み書きする速度はeMRAM-Sが高く、eMRAM-Fが低い。ただしeMRAM-Fの読み書きは遅いとは言っても、書き込みの速度は埋め込みフラッシュよりも高い。メモリセル面積はeMRAM-Fが小さく、eMRAM-Sが大きい。

埋め込みフラッシュメモリとフラッシュ代替用埋め込みMRAM（eMRAM-F）、SRAM代替用埋め込みMRAM（eMRAM-S）の性能比較表（クリックで拡大）出典：GLOBALFOUNDRIES

　使用温度範囲の高温側は、eMRAM-Fが高い。自動車用のグレード1（G1）対応品だと150℃に達する。産業用でも125℃とかなり高い。eMRAM-Sはエンタープライズ向けなので、高温側の温度は105℃とやや低めになる。

　その他の重要な違いに、プリント基板実装におけるハンダ付け（高温処理）への対応がある。eMRAM-Fは260℃のリフローハンダ付けを許容する。eMRAM-Sは260℃のハンダ付けには対応しない。これは対象となるプロセッサが、通常はソケットで実装されるからだと思われる。

（次回に続く）

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