フランスのGaNデバイス専業メーカーExaganは、ドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、同社のパワートランジスタ「G-FET」と、GaNゲートドライバー「G-DRIVE」を展示した。
フランスのGaNデバイス専業メーカーExaganは、ドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」(2018年11月13〜16日)で、同社のパワートランジスタ「G-FET」と、GaNゲートドライバー「G-DRIVE」を展示した。どちらのシリーズも耐圧は650Vで、オン抵抗が30〜190mΩ(G-FET)または65〜190mΩ(G-DRIVE)の製品をラインアップしている。G-FETは、スイッチング周波数が主にメガヘルツ以下、G-DRIVEは数メガヘルツをサポートする。
Exaganの共同創設者でプレジデント兼CEO(最高経営責任者)を務めるFrédéric Dupont氏によれば、同社の注力市場はアダプター/チャージャー、サーバ、自動車の3つだという。特に力を入れるのが、USB-PD(Power Delivery)に対応したチャージャーだ。Exaganは、65W対応のUSB Type-C急速充電器向けに、G-FETを搭載した評価基板を提供している。
2018年10月には、アジアのチャージャー向け市場とサーバ向け市場に本格的に参入すべく、台湾支社「Exagan Taiwan」を設立したと発表した。現在、5人がセールス&アプリケーションチームとして勤務しているという。
Dupont氏は、「チャージャーやアダプター、サーバは小型化と高効率化というGaNデバイスの長所が分かりやすく生きる市場」と述べる。一方で自動車については、「GaNデバイスが本格的に採用されるのは、少なくともあと5年はかかるのではないか」とみる。「現時点では車載品質のGaNデバイスは市場にない。まずは、車載部品の品質規格であるAEC-Q100を、GaNデバイスにも適用できるように拡張する必要がある」(同氏)。Dupont氏は、「車載規格に準拠したGaNデバイスが出てくれば、最初はOBC(On-Board Charger)やDC-DCコンバーターに採用されるだろう」と続けた。
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